--- title: "美光：预计 2025 年 HBM 收入将达到数十亿美元（FY25Q1 电话会）" type: "Topics" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/dolphin/post/26177502.md" description: "美光（MU.O）于北京时间 2024 年 12 月 19 日早的美股盘后发布了 2025 财年第一季度财报（截止 2024 年 11 月），要点如下：以下为美光 2025 财年第一季度财报电话会纪要，财报解读请移步《美光：AI 再火也填不平 “周期坑”》一、$美光科技(MU.US) 财报核心信息回顾：二、美光财报电话会详细内容 2.1、高管层陈述核心信息：业务进展财务业绩亮点美光在 2025 财年第一季度实现创纪录营收..." datetime: "2024-12-19T05:52:06.000Z" locales: - [en](https://longbridge.com/en/dolphin/post/26177502.md) - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/dolphin/post/26177502.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/dolphin/post/26177502.md) author: "[Dolphin Research](https://longbridge.com/zh-CN/dolphin.md)" generator: "portal-rs" --- # 美光：预计 2025 年 HBM 收入将达到数十亿美元（FY25Q1 电话会） 美光（MU.O）于北京时间 2024 年 12 月 19 日早的美股盘后发布了 2025 财年第一季度财报（截止 2024 年 11 月），要点如下： **以下为美光 2025 财年第一季度财报电话会纪要，财报解读请移步《**[**美光：AI 再火也填不平 “周期坑”**](https://longportapp.cn/zh-CN/topics/26174251)**》** **一、**$美光科技(MU.US) **财报核心信息回顾：** ![IMG_256](https://pub.pbkrs.com/uploads/2024/503ebaedd9405745c6190831d665b20d?x-oss-process=style/lg) **二、美光财报电话会详细内容** **2.1、高管层陈述核心信息：** 业务进展 **财务业绩亮点** 美光在 2025 财年第一季度实现创纪录营收，收入、毛利率和 EPS 均达到或高于指引范围中点。 **业务板块成果** **数据中心业务** \- 数据中心收入同比增长超 400%，环比增长 40%，达到创纪录水平，收入占比首次超公司总收入的 **50%**。 \- 在固态硬盘（SSDs）领域，数据中心 SSD 取得创纪录营收，同时在数据中心 SSD 和整体 SSD 的市场份额上都实现了新突破，巩固了市场地位。 \- HBM 出货量超计划，收入环比翻倍以上，最大数据中心客户收入约占公司总收入的 **13%**。 **技术与产品进展** \- 公司技术路线图进展顺利，正在生产行业最先进的 DRAM 和 NAND 节点。 \- 持续提升 1 - beta 技术节点（支持 HBM3E），准备在 2025 年提升 1 - gamma 技术节点（使用 EUV）。 \- 在 NAND 方面，凭借领先的 G8 和 G9 节点保持技术领先并按需管理节点提升。 **市场与客户动态** **服务器市场** \- 因 AI 需求和传统服务器更新周期强劲，上调 2024 年服务器单位增长预期至低双位数百分比，预计 2025 年继续增长。 **PC 市场** \- PC 更新周期放缓，预计 2024 年单位量增长平缓，略低于预期。 \- 因 Windows 10 生命周期结束和老化安装基数，**预计 2025 年单位量中个位数百分比增长，增长集中在下半年**。 **移动市场** \- 2024 年智能手机单位量预计中个位数百分比增长，**2025 年低个位数百分比增长**。 \- AI 推动移动 DRAM 内容增长，如本地搜索和上下文感知用户界面等应用。 \- 客户库存动态如预期，**出货量预计集中在下半年**。 **汽车与工业市场** \- 汽车市场因生产低于预期、车型结构变化等因素，内存和存储内容增长放缓，长期看好相关技术应用推动增长。 \- 工业市场需求受库存调整影响，**预计 2025 年下半年复苏**。 **行业展望与战略举措** **行业供需情况** \- 预计 2024 年行业 DRAM 位需求高双位数百分比增长，**2025 年中双位数百分比增长**。 \- 预计 2024 - 2025 年行业 **NAND 位需求低双位数百分比增长（低于预期）**，原因包括消费者设备 NAND 内容增长放缓、库存调整和不同终端市场需求动态变化，以及数据中心 SSD 购买近期放缓。 \- 公司已采取行动调整 NAND 供应，包括削减资本支出、放缓技术节点过渡和减少晶圆启动。 **HBM 市场潜力** \- HBM 市场未来几年将强劲增长，预计 2028 年总市场规模 TAM 将从 2024 年的 160 亿美元增长 4 倍，2030 年超 1000 亿美元。 \- 公司对 HBM 的 TAM 预测显示其在 2030 年将超过 2024 年整个 DRAM 行业（包括 HBM）的规模。 \- 公司在 HBM 领域取得进展，产品被设计进 NVIDIA 平台，**2025 年 HBM 市场规模预计超 300 亿美元**，公司目标是在**下半年实现与 DRAM 市场份额相当的目标**，**预计 2025 年 HBM 收入达数十亿美元**。 **战略合作伙伴关系与投资计划** \- 公司与美国商务部达成协议，获得资金支持先进 DRAM 制造工厂建设。 \- 在新加坡扩展制造业务，投资 HBM 先进封装设施，支持 AI 驱动需求并与现有业务协同，还包括对 NAND 长期制造需求的支持。 财务表现 **收入端** \- 2025 财年第一季度总收入约为**87 亿美元**，环比增长 12%，同比增长**84%**，创历史新高。 \- DRAM 收入 **64 亿美元**，同比增长 **87%**，占总收入 73%，出货量低双位数百分比增长，价格高个位数百分比增长； \- NAND 收入 **22 亿美元**，同比增长 **82%**，占总收入 26%，出货量和价格均低个位数百分比下降。 **各业务部门** \- 计算和网络业务单元收入 **44 亿美元**，创季度新高，环比增长 46%； \- 移动业务单元收入 **15 亿美元**，环比下降 19%； \- 嵌入式业务单元收入 **11 亿美元**，环比下降 10%； \- 存储业务单元收入 **17 亿美元**，环比增长 3%。 **成本、利润端** \- 毛利率提升 300 个基点至 **39.5%**，受 DRAM 定价提高和产品组合向数据中心转移推动，部分被 NAND 价格下降抵消。 \- 营业费用 **10.5 亿美元**，环比下降 3400 万美元，受益于较低的劳动力相关成本和持续严格的费用控制。 \- 营业利润 **24 亿美元**，营业利润率 **27.5%**，环比上升约 500 个基点，同比上升 48 个百分点。 \- 调整后 EBITDA 为 **44 亿美元**，利润率 **50.6%**，环比上升 265 个基点，同比上升 31 个百分点或 35 亿美元。。 \- 第一财季税收为 3.33 亿美元，有效税率为**14.1%**。 \- 非 GAAP 稀释每股收益 **1.79 美元**，上一财季为 1.18 美元，上年同期为每股亏损 0.95 美元。 **现金流和资本支出** \- 第一财季运营现金流在约为**32 亿美元**，资本支出为 31 亿美元，导致本季度自由现金流为**1.12 亿美元**。 \- 第一财季期末库存为 87 亿美元或 149 天，比上一季度下降了 9 天。 \- 现金和投资 87 亿美元，流动性 112 亿美元（含未使用信贷额度），总债务 138 亿美元，净杠杆率低，债务加权平均到期日为 2031 年。 **FQ2 展望** \- 预计 **DRAM 位出货量环比下降，NAND 位出货量较明显的下降，之后恢复增长，下半年出货量更强**。 \- 预计 **Q2 毛利率受 NAND 行业状况影响，部分被 HBM 和数据中心 DRAM 增长抵消**，预计 Q3 毛利率受 NAND 低产能利用率影响。 \- 预计 Q2 运营费用 11 亿美元，主要反映了研发支出的计划增加。预计 2025 财年运营费用增长低至中双位数百分比。 \- 预计库存美元和库存天数在 Q2 因出货量低而增加，下半年改善，财年末 DRAM 库存紧张低于目标水平。 \- 预计 Q2 和 2025 财年剩余时间非 GAAP 税率为中双位数百分比，2026 财年税率为高双位数百分比。 \- 预计 Q2 净资本支出 30 亿美元，2025 财年资本支出约 140 亿美元，重点投资 DRAM 技术节点提升和新工厂建设，削减 NAND 资本支出并管理技术节点过渡。 **Q2 非 GAAP 指引** \- 预计收入 **79 亿美元**，上下 2 亿美元，毛利率 **38.5%，**上下 100 个基点，运营费用 **11 亿美元**，上下 1500 万美元，税率中双位数百分比，EPS **1.43 美元**上下 0.10 美元。 \- 公司将谨慎灵活管理支出，在 DRAM 领域进行有纪律投资并推动 HBM 增长，在 NAND 领域削减资本支出和晶圆产量以维持供应纪律，预计 2025 财年实现创纪录营收、显著提高盈利能力和正自由现金流。 **2.2、Q&A 分析师问答** **Q：如何确定 DRAM 和 NAND 在 5 月季度会出现季节性或周期性回升？回升幅度如何？** **A：FQ2 展望受消费市场库存调整及数据中心 SSD 市场购买放缓影响。**消费市场库存预计春季改善，因智能手机和 PC 等市场销售正常，但此前库存积压导致采购减少，且 **Q4 库存已有改善，预计 Q1 进一步提升，从而推动下半年出货量增长。**同时，鉴于数据中心建设持续及 AI 需求增长，数据中心存储需求有望在下半年恢复增长，故预计下半年强于上半年。 **Q：NAND 低产能利用率对当前指引的影响及全年影响如何？2025 年 HBM 组合增加对营收有何影响？** A：**Q2 指引毛利率下降 100 个基点，主要受 NAND 影响。**NAND 市场需求疲软，**消费者市场需求及数据中心 SSD 销量均放缓**，虽有成本负杠杆效应，但 Q2 不含低产能利用率的影响，该费用将从 Q3 开始影响毛利率，不过 Q3 之后，**业务量增长、AI 驱动数据中心及边缘增长、有利的产品组合效应（包括 HBM）等因素将为毛利率扩张创造条件。** **Q：公司下半年营收增长幅度如何？** **A：财政下半年增长驱动因素包括消费市场库存改善、数据中心 SSD 需求恢复以及 HBM 持续增长势头。**HBM 方面，公司目标是在下半年使 HBM 份额达到与 DRAM 份额相当的水平，且执行良好，预计将持续推动营收增长。此外，智能手机和 PC 市场中 AI 产品的渗透率增加，也将有助于下半年出货量和营收的提升。 **Q：资本支出变化及对财政全年营收占比有何影响？芯片法案对股份回购的限制及对资本回报的影响？** A：公司削减了 NAND 资本支出，但 DRAM 支出仍处于较高水平，**之前指引的资本支出占全年营收的 35%（mid-30s）左右，现在将升至更高的 38%（high-30s）左右。** 股份回购限制及对资本回报的影响：**该限制对公司资本回报能力无重大影响，普通股息不受影响，预计会继续支付并增长。**前两年公司可回购股份以抵消股票薪酬股东稀释，第三至五年在满足一定财务和其他条件时不受限制，且这些条件合理，符合公司以股东和利益相关者利益运营业务的方式。 **Q：HBM 市场份额目标变化及 TAM 估计提升原因？HBM 对 Q2 毛利率的提升作用及 Q3 毛利率与 Q2 对比情况？** A：TAM 估计提升原因及份额目标变化：与**客户评估市场需求后，因 2025 年 HBM 需求和产量增加，将其 2025 年的 TAM 估计从 250 亿美元上调至 300 亿美元。**公司此前预计在 2025 年某个时间达到 HBM 份额与 DRAM 行业份额相当的目标，现明确为下半年，公司 HBM 产能和产量增长势头良好，预计 2025 年实现数十亿美元营收，并对 HBM4 及 4E 的未来发展充满信心。 **HBM 对毛利率影响及 Q2、Q3 毛利率对比：**Q2 毛利率下降主要受 NAND 影响，尽管 DRAM 业务有积极影响，但 NAND 市场条件需到本日历年第一季度才开始改善，且供应响应成本将影响 Q3 毛利率，限制其扩张能力。不过，Q3 之后市场有望改善，公司将有机会扩大利润率。 **Q：如何看待 HBM 的长期市场份额？是否应将的 DRAM 市场份额视为限制因素？** A：**公司专注于在 2025 年下半年实现 HBM 份额与行业 DRAM 份额相当的目标，**目前 HBM 势头良好，已向第二大客户发货，Q1 将增加第三个大客户，产品性能优势有助于获取份额和溢价定价，公司将继续利用产品优势扩大市场份额。 **Q： 2025 日历年的 HBM TAM 估计从 250 亿美元提高到 300 亿美元，同时保持市场份额，但价格和数量固定，而良率在提高。简单来说，如果三个月前认为 2025 年下半年 HBM 营收为 55 亿 - 60 亿美元，现在是否应认为是 65 亿 - 70 亿美元？** A：未提供 HBM 营收具体数字，仅表示 2025 年将达数十亿美元，且公司有望实现 HBM 份额与行业 DRAM 份额相当的目标，同时强调 HBM 长期潜力巨大，预计 2030 年成为超 1000 亿美元市场，2028 年是 2024 年的 4 倍，公司将抓住市场机会，推动产品向高利润领域转型。 **Q：从 HBM3E 8 - high 升级到 12 - high 时，trade ratio（成本 - 性能交易比率）会增加，到 HBM4 时，芯片尺寸更大，trade ratio（成本 - 性能交易比率）也会增加。那么在这些过渡过程中，纯粹从良率重置的角度看，是否会对毛利率产生负面影响？还是您认为过渡会很顺利，不会对毛利率产生影响？** A:HBM3E trade ratio（成本 - 性能交易比率）约为 3，HBM4 更高，这是整个 HBM 行业的情况。从 8 - high 到 12 - high，产品复杂性增加，12 - high 会有自己的良率提升过程，但 8 - high 的经验会对后续有所帮助。公司团队在提升产品产量方面表现出色，相信从 8 - high 到 12 - high 时也能做好良率提升工作。从 8 - high 到 12 - high，每个芯片容量增加 50%，这为客户在 GPU 和加速器上增加内容提供了机会，总体 HBM 价值不断提升。 **Q：关于 DRAM 的问题，如果明年供应等于需求且存在过剩库存，市场将如何表现？另外，您提到高端 DRAM 和 HBM 或前沿边缘 DRAM 和 HBM 表现良好，能否定义一下什么是前沿边缘，其占市场的百分比是多少？如果其余市场仍供过于求，会发生什么？** **A：公司目前预计 DRAM 库存总量将低于目标水平，前沿边缘节点（如 HBM、LP5、DDR5）供应紧张，2025 年行业供应仍紧张，HBM 需求增加将对非 HBM 产品的前沿边缘供应施压。**整体 DRAM 行业健康，公司 2025 财年在 HBM、高密度 DIMM 和 LP5 解决方案方面有望实现数十亿美元营收，这些产品对 AI 应用重要，HBM 与 LP5 等协同推动 AI 发展，且大部分生产集中在**前沿**边缘节点（如目前的 1 - alpha 和 1 - beta 节点，2025 年将开始提升 1 - gamma 节点）。 **Q：作为公司业务的一部分，非前沿边缘 DRAM 市场如何再次恢复健康？** A：公司供应组合向市场需求产品转移，生产更多聚焦**前沿**边缘产品，同时严格管理资本支出和供应增长，以维持市场健康。 **Q：中国竞争对手在 DDR5 和 LP5 市场的竞争力及美光应对策略？** **A:2025 财年剩余时间 LP4 和 DDR4 产品组合约占业务的 10%，未来将继续下降，中国竞争主要在低端消费市场**，市场正向高性能产品转移，数据中心等高端市场对产品质量要求更高，美光凭借领先技术和先进产品路线图，专注于高端市场，推动产品组合向高利润领域转变。 **Q：您提到未来几年大容量企业 SSD 将取代近线 HDD，我知道这是您长期以来的观点，最近是否有任何因素会加速这一趋势？您提到公司 2025 财年 NAND 前端成本降低在低双位数百分比范围，这与硬盘驱动器行业的同行类似，所以我想知道在考虑这一动态时，最近是否有任何变化？** A:公司与客户密切合作，**SSD 在性能、功耗、占地面积和成本等方面的优势使其总体拥有成本不断改善，未来将取代 HDD，AI 是重要驱动因素，**如今年数据中心 SSD 需求强劲，未来数据中心对 SSD 的性能、功耗和占地面积要求将推动这一趋势，预计 2027 年及以后将更明显。**公司 2025 财年 NAND 前端成本降低预计在低双位数百分比范围，与同行类似。** 本文的风险披露与声明：[海豚投研免责声明及一般披露](https://support.longbridge.global/topics/misc/dolphin-disclaimer) ### 相关股票 - [MU.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MU.US.md) --- > **免责声明: 本文仅供参考，不构成任何投资建议。**