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type: "Topics"
locale: "zh-CN"
url: "https://longbridge.com/zh-CN/dolphin/post/44248232.md"
description: "$英伟达(NVDA.US) 要继续加大内存容量，业内有两条并行的路：一是突破工艺、把单颗做得更强，二是不拼单颗、以数量取胜。全行业都在比谁把 HBM 堆得更高，英伟达却选择反向"砍层数"。先看堆高这条路。HBM 要和 GPU 共封装、共用顶盖，总高度有上限（HBM4 放宽到 775um）。要塞进更多层，只能把颗粒削更薄、把微凸点做更小甚至改用铜铜键合，工艺更难、良率更低、散热更棘手；好处则是新增的每层容量都能享受首排内存的高带宽。但英伟达选了反方向。下一代 Rubin Ultra 的 HBM 最初规格 16 层，后降到 12 层，最近又传可能砍到 8 层。这样一来，单颗容量落到约 192GB——比当代 Rubin 的 288GB 还要低，对一款旗舰堪称罕见的"倒退"（以上均未经官方确认，只代表其在权衡选项）。为什么宁可降层？核心是产能有限：最先进的 HBM4E 更复杂，供应商短期难以按英伟达需要的量和节奏产出；而同等容量下 HBM 本就比常规 DRAM 多耗 3~4 倍晶圆，堆得越高越费料。更关键的是，系统总容量仍能不降反升——靠 Scale-up 把更多 GPU 连在一起，B300 一个机柜约 20TB，Rubin Ultra 单颗虽小，576 颗互联后反而冲到 110TB。可见降层多颗，本质是产能受限下压降工艺与成本、以量取胜。但它也带来两个新问题：一是瓶颈从"内存厂扩产"转向 Base Die 和共同封装产能，即能从台积电锁到多少产能；二是对 GPU 互联和内存池化提出更高要求。所以 HBM 层数到底增还是减，取决于两点：带宽能否跟上（跟得上，堆高才有价值），以及封装与 Base Die 产能是否充足（够用，降层多颗才走得通）。"
datetime: "2026-10-09T02:02:01.000Z"
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author: "[Dolphin Research](https://longbridge.com/zh-CN/dolphin.md)"
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