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title: "据报道，三星未能通过由 Nvidia 设定的 HBM3E 内存资格测试。 - WCCFTECH"
description: "三星未能通过英伟达设定的 HBM3E 内存资格测试，可能会影响其作为英伟达下一代显卡关键供应商的地位。随着三星和 SK 海力士努力解决挑战并确保其作为关键供应商的地位，HBM 市场的竞争预计将加剧"
type: "news"
locale: "zh-CN"
url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/204088645.md"
published_at: "2024-05-14T12:14:37.000Z"
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# 据报道，三星未能通过由 Nvidia 设定的 HBM3E 内存资格测试。 - WCCFTECH

> 三星未能通过英伟达设定的 HBM3E 内存资格测试，可能会影响其作为英伟达下一代显卡关键供应商的地位。随着三星和 SK 海力士努力解决挑战并确保其作为关键供应商的地位，HBM 市场的竞争预计将加剧

行业报告现在表明，三星未能通过 NVIDIA 设定的 HBM3E 内存验证特定阶段，可能给这家韩国巨头制造了障碍。

半导体行业充满了关于三星电子的报告，这些报告表明，作为高带宽内存（HBM）市场的领先参与者，三星电子在其 HBM3E 内存产品与 NVIDIA 的验证阶段可能遇到了挑战。这一潜在障碍可能会对三星作为 NVIDIA 下一代显卡关键供应商的地位产生重大影响，并进一步加剧 HBM 市场的竞争。

三星作为 HBM 领域的创新者声誉无可置疑。该公司最近在开发具有 12 层 DRAM 的 HBM3E 方面取得的成就使其有望超越目前的市场领导者 SK 海力士和美光。通过保持与 8 层 HBM3E 相同的高度，同时提供更高的层数和更好的性能，预计三星的 HBM3E 产品将在容量和带宽方面提供显著提升，超越竞争对手的能力 然而，三星与英伟达合作的 HBM3E 内存验证过程似乎遇到了困难。尽管三星已经开始开发带有每秒 2TB 惊人带宽的 HBM4，但目前尚不清楚公司何时会宣布 HBM3E 的大规模生产 \[1\]。相比之下，英伟达首席执行官黄仁勋在最近的 GTC 2024 大会上确认，三星的 HBM3E 正在进行验证阶段 \[1\]。

与此同时，另一家 HBM 市场的重要参与者 SK 海力士也面临着其 12 层 HBM3E 产品的工艺问题 \[1\]。尽管 SK 海力士在 2024 年 3 月开始向英伟达正式供应 8 层 HBM3E，但据报道，其 12 层 HBM3E 目前遇到一些问题。然而，该公司在 GTC 2024 展示了其 12 层 HBM3E，并据称在 2024 年 2 月早些时候向英伟达提供了样品 \[1\]。

这些发展对半导体行业的影响是重大的。HBM 市场的竞争预计将加剧，因为三星和 SK 海力士都在努力解决挑战，确保其在英伟达和其他领先的显卡制造商中的关键供应商地位 \[1\] 根据 \[1\] 报道，三星电子已成为英伟达和 SK 海力士的 HBM3E 供应商

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