--- title: "信越化学将开发用于 300 毫米氮化镓（GaN）的 QST 基板" description: "新日本化学公司已经研发出一种面向增强氮化镓外延生长的 300 毫米 QST 衬底，并最近提供了样品。这种衬底解决了氮化镓器件制造商对更大衬底的关键需求，以降低成本并避免翘曲。这种 300 毫米 QST 衬底与现有硅线兼容，可实现高质量的厚氮化镓生长。新日本化学公司正在扩大其 QST 衬底生产，并在 2024 年的 SEMICON TAIWAN 展会上展示了这一新进展。这一进步可能会显著推动氮化镓器" type: "news" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/213822968.md" published_at: "2024-09-09T10:49:58.000Z" --- # 信越化学将开发用于 300 毫米氮化镓（GaN）的 QST 基板 > 新日本化学公司已经研发出一种面向增强氮化镓外延生长的 300 毫米 QST 衬底，并最近提供了样品。这种衬底解决了氮化镓器件制造商对更大衬底的关键需求，以降低成本并避免翘曲。这种 300 毫米 QST 衬底与现有硅线兼容，可实现高质量的厚氮化镓生长。新日本化学公司正在扩大其 QST 衬底生产，并在 2024 年的 SEMICON TAIWAN 展会上展示了这一新进展。这一进步可能会显著推动氮化镓器件在各种应用中的采用 新闻: 供应商 总部位于东京的信越化学株式会社已经研发出了一款 300 毫米（12 英寸）的 QST 基板，并最近开始提供样品。 由美国加利福尼亚州圣克拉拉的 Qromis 公司开发的 QST（Qromis 基板技术）专门用于 GaN 外延生长，并于 2019 年授权给了信越化学。信越化学此后已经销售了 150 毫米（6 英寸）和 200 毫米（8 英寸）的 QST 基板以及相应直径的 GaN-on-QST 外延基板。与此同时，为了满足客户需求，该公司致力于进一步增加直径，并研发了 300 毫米（12 英寸）的 QST 基板。 尽管 GaN 器件制造商可以利用现有的硅生产线进行 GaN 生长，但由于缺乏适合 GaN 生长的大直径基板，他们无法从材料直径的增加中受益，信越化学指出。据称，新的 300 毫米 QST 基板可以实现 GaN 外延生长而不会出现翘曲或裂缝（这在硅基板上是无法实现的），从而显著降低器件成本。除了正在进行的 150 毫米和 200 毫米 QST 基板设施的增强外，信越化学还在着手大规模生产 300 毫米 QST 基板。 由于 QST 基板与 GaN 具有相同的热膨胀系数，可以约束 SEMI 标准厚度的 QST 基板上 GaN 外延层的翘曲和裂缝。这种基板材料可以实现大直径高质量和厚度的 GaN 外延生长。信越化学表示，许多客户正在评估 QST 基板和 GaN-on-QST 外延基板用于功率器件、高频器件和 LED。尽管商业环境具有挑战性，但客户已经进入开发阶段，以应对近期对包括数据中心电源在内的功率器件日益增加的兴趣。 该公司认为，将 300 毫米 QST 基板加入 150 毫米和 200 毫米产品线可以显著加速 GaN 器件的推广。 信越化学在 2024 年 9 月 4 日至 6 日于台湾台北举办的 SEMICON TAIWAN 2024 展会上展示了 300 毫米 QST 基板。 OKI 在信越的 QST 基板上开发了 GaN 剥离/键合技术 信越化学推出用于 GaN 功率器件生长的 QST 基板 信越化学获得 Qromis 的 GaN 基板技术许可 信越化学 GaN-on-Si www.semicontaiwan.org www.shinetsu.co.jp ### Related Stocks - [NVTS.US - Navitas Semiconductor](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVTS.US.md) - [TGAN.US - Transphorm](https://longbridge.com/zh-CN/quote/TGAN.US.md) ## Related News & Research | Title | Description | URL | |-------|-------------|-----| | Navitas 發佈了第五代 SiC 溝槽輔助平面 MOSFET 技術 | Navitas Semiconductor 推出了其第五代 GeneSiC 技術平台，採用高壓 SiC 溝槽輔助平面 MOSFET。這項新技術提供了 1200V 的 MOSFET 系列，與上一代相比，RDS,ON x QGD 性能指標提高了 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/275873622.md) | | 瑞薩電子授權 EPC 的低壓 eGaN 技術，以增強其 650V 以上的產品組合 | 瑞薩電子公司已獲得 EPC 的低壓 eGaN 技術許可，以增強其 650V 以上的產品組合。該協議使瑞薩能夠訪問 EPC 已建立的供應鏈，並在晶圓製造能力上進行合作。此次合作旨在提高各種應用中的電源效率和供應鏈韌性，包括人工智能數據中心和電 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/275574977.md) | | 現在是否應該購買 Navitas Semiconductor 的股票？在動盪市場中的重大變化 | Navitas Semiconductor (NVTS) 正在將重點從中國電子產品轉向人工智能數據中心，這導致了股票的波動。2025 年前三個季度的收入下降了 41%，降至 3.896 億美元，運營虧損為 6640 萬美元。儘管如此，股票在 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/271653365.md) | | 市場對 Navitas Semiconductor Corp 是看漲還是看跌？ | Navitas Semiconductor Corp 的空頭頭寸減少了 8.24%，目前有 5264 萬股被賣空，佔可用股份的 30.41%。交易者平均需要 3.21 天來平倉這些頭寸。空頭頭寸的下降可能表明市場對該股票的看漲情緒，儘管這並 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/271792329.md) | | Navitas Semiconductor (NVTS) 是否在以短期收入換取更高價值的人工智能電源領域的領導地位？ | Navitas Semiconductor Corp. 正在將重點轉向更高功率的客户和收入，簡化其分銷網絡，同時預計由於降低對低功率和某些中國移動業務的優先級，收入將減少。這一戰略旨在與更高價值的應用對齊，特別是在人工智能和先進電力市場。管 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/271679042.md) | --- > **免责声明**：本文内容仅供参考，不构成任何投资建议。