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title: "TechInsights：2027 年底 DRAM 预计将迈入个位数纳米技术节点"
description: "TechInsights 预计到 2027 年底，DRAM 将迈入个位数纳米技术节点，主要产品包括 D1a 和 D1b。2025 年第一季度，SK 海力士将推出 D1c 产品，预计 D1c 将在 2026 年和 2027 年主导市场。未来 AI 和数据中心对内存容量的需求将增加，需开发更高密度的 3D DRAM 架构。"
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url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/228644054.md"
published_at: "2025-02-18T06:44:03.000Z"
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# TechInsights：2027 年底 DRAM 预计将迈入个位数纳米技术节点

> TechInsights 预计到 2027 年底，DRAM 将迈入个位数纳米技术节点，主要产品包括 D1a 和 D1b。2025 年第一季度，SK 海力士将推出 D1c 产品，预计 D1c 将在 2026 年和 2027 年主导市场。未来 AI 和数据中心对内存容量的需求将增加，需开发更高密度的 3D DRAM 架构。

智通财经 APP 获悉，TechInsights 平台上最新发布了 T1-2025 DRAM 视频简报。该视频简报提供了 DRAM 技术的详细信息、路线图更新、趋势、比较以及前景展望。D1a 和 D1b 是市场上的主流产品。到 2027 年底，TechInsights 预计 DRAM 将迈入个位数纳米技术节点，如 D0a，随后将是 0b 和 0c 世代。

2025 年第一季度，市场上将首次推出 D1c 的一小部分产品，首先由 SK 海力士推出。D1c 世代将在 2026 年和 2027 年占据主导地位，包括 HBM4 DRAM 应用。从市场角度看，HBM 产品，尤其是 HBM3 和 HBM3E，性能卓越但目前价格高昂，而传统产品如 LPDDR5 和 DDR5 器件则价格较低且性能相对较弱。

未来 AI 和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量，例如 32 Gb、48 Gb 或 64 Gb 芯片，但目前市场上主流仍是 16 Gb 裸晶。在更高密度的 DRAM 芯片中，应开发 3D DRAM 架构，如 4F2 垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM 单元或 3D 堆叠 DRAM 单元，并在 10 纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK 海力士和美光等主要厂商，作为下一代 DRAM 缩放的候选方案。

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