--- title: "存储芯片，正式涨价" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/234058193.md" description: "今日，存储芯片正式开始涨价，结束了长达多半年的低迷。NAND 存储大厂闪迪宣布自 4 月 1 日起涨价超 10%，美光也将提高新订单价格约 11%。SK 海力士、三星等也将同步上调价格。由于减产措施的实施，NAND 芯片价格出现反弹，预计 2025 年第二季价格将止跌回稳。" datetime: "2025-04-01T12:21:32.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/234058193.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/234058193.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/234058193.md) --- # 存储芯片，正式涨价 今日，存储芯片正式开始涨价浪潮。 自此，存储市场长达多半年的低迷态势，终于迎来转折。 存储芯片的两大主力产品 NAND 与 DRAM，在新一季度的市场表现也各不相同。 ##  **01** **NAND，开始涨价** 打响涨价第一枪的是 NAND 存储大厂闪迪，其表示**将于****4 月 1 日开始实施涨价，涨幅将超 10%**，该举措适用于所有面向渠道和消费类产品。 紧接着美光也告知将针对新订单提高价格，平均涨幅约 11%。3 月 25 日，**美光直接发布涨价函，预计****此次涨价幅度将在 10%~15%。** 之后，SK 海力士、三星相继宣布将于**4 月同步上调 NAND 闪存价格**。 根据渠道反馈，国产存储公司的零售品牌致态宣布，**将于 4 月起上调提货价格，涨幅可能超过 10%。** 一系列消息接踵而至，在业内引起轩然大波。 新一季度，NAND 芯片价格出现反弹，这主要**归功于各大 NAND 龙头果断且迅速地调整减产措施。** 随着 2024 年 NAND 产品价格走势疲软，为提早应对市场供过于求问题，美光、三星、SK 海力士、铠侠等原厂陆续从 2024 年第 4 季重启减产措施，借此阻止 NAND 价格的下跌趋势。 今年 1 月，美光新加坡 NAND 厂突发断电，导致 NAND 供货吃紧。群联科技执行长潘健成亦透露，虽从 2024 年 12 月已向美光下单采购，但近期却意外发生交货不足的问题。三星电子和 SK 海力士两大韩厂的减产措施也在持续发酵，其中三星在 3 月的交货量仅有原先订单的 20-25%。 其实，早在上个月，现货市场的动向就透出了一些不寻常的信号。 CFM 的报价显示，小容量的 eMMC 以及一些 SSD 产品的价格已悄然上升，个别渠道也开始了涨价的试探性动作。 TrendForce 近日发布报告称，**预计 2025 年第二季 NAND Flash 价格将止跌回稳****，环比增加 0-5%**。其中 Client SSD 合约价将季增 3%-8%；Enterprise SSD 合约价将持平第一季；eMMC 合约价将与上季持平。NAND Flash Wafer 合约价将季增 10%-15%。 叠加上述存储龙头的最新涨价动作，市场上已经有人嗅到这一商机，开始囤积 SSD 了，盼着在 NAND 价格飙升之际大赚一笔。 ##  **02** **DRAM，跌幅收敛** 再看 DRAM 市场在今年第二季度的价格走向。 先说结论**，**尽管 DRAM 市场还没有明确的涨价声音传出，但可以确定的是，**第二季度 DRAM 市场价格跌幅将同步收敛。**一般型 DRAM 价格跌幅将收敛至季减 0%-5%，若纳入 HBM 计算，受惠于 HBM3e 12hi 逐渐放量，预计均价为季增 3%-8%。 具体数据方面： **在 PC DRAM 领域，**DDR4 价格走势偏弱，环比下降 3%-8%；DDR5 价格环比基本持平。 **在****Server DRAM****领域，**DDR4 跌幅低于市场预期，环比下降 3%-8%；DDR5 价格也环比基本持平。 **在****Mobile DRAM****领域，**LPDDR4X 跌幅将收敛至季减 0%-5%；LPDDR5X 价格将季增 0%-5%。 **在****Graphics DRAM****领域**，GDDR6 跌势将收敛至 3%-8%；GDDR7 价格将持平上季或缓跌，约下降 0%-5%。 **在****Consumer DRAM****领域**，DDR3 合约价环比持平，DDR4 合约价季增 0%-5%。 综合来看，DRAM 的价格还未来到正向增长区间。DRR5 的合约价格大约是从今年 2 月起持续上涨，LPDDR5X 的价格也相对稳健，但 DDR4、DDR3、GDDR6 等产品还在给存储市场 “拖后腿”。 近日有研究机构对 8 家相关企业进行采访后发现，很多观点认为 “对卖家来说，没有能够替代中国的市场，再加上受到低价的中国产品影响，价格正在下降”。**关于接下来的 DRAM 价格，企业认为可能要到下半年才会上涨的观点居多。** ##  **03** **HBM，市场暴涨 880%** 近日，SK 海力士表示未来 AI 内存的需求前景光明。 预计今年 HBM 在 SK 海力士 DRAM 总销售额中的占比将超过 50%。SK 海力士 CEO 兼总裁 郭鲁正表示：“大型科技公司正在扩大投资，以确保在人工智能市场的领导地位。由于图形处理单元 (GPU) 和定制芯片 (ASIC) 的增加，我们预计 HBM 的需求将出现爆炸式增长。” 他补充道，“**今年的 HBM 市场预计将比 2023 年增长 8.8 倍以上，另一种 AI 存储器企业固态硬盘 (SSD) 市场预计也将增长 3.5 倍”。**此外，对于 ‘DeepSeek 冲击’，他持乐观态度，并表示，如果各种 AI 生态系统被激活，将有助于在中长期内增加（对 HBM 的）需求”。 为了继续引领 AI 市场，SK 海力士还将继续准备 CXL 等下一代技术和产品。郭鲁正表示：“除了 HBM 以外，我们还准备了 CXL、LPCAMM2、SOCAMM 等多种解决方案，从而不仅仅作为 AI 内存供应商，还能提供综合解决方案。” ##  **04** **国产存储厂商，蓄势待发** 如果说，以前的存储市场主要被国际厂商所包揽，如今国产厂商的强势出击，硬生生把这一格局，撕开一道大口子。 在三星和 SK 海力士对华出口的存储产品组合中，三星主要向中国供应 LPDDR、NAND Flash、图像传感器和显示驱动器 IC 等。SK 海力士则专注于 DRAM 和 NAND 产品的生产和销售。 从去年开始，随着国产厂商竞争加剧，DDR3 和 DDR4 内存收益下滑，三星、SK 海力士、美光便在中国大陆的这一市场中逐渐淡出。 预计从今年夏季开始，由于这些主要厂商的退出，市场上 DDR3 和 DDR4 的供应将显著减少。而这些需求的承接方，正是大批国产存储芯片公司。 因此，在存储市场复苏之际，国产厂商有望迎来新的机遇。 从国内市场来看，国产 NAND 产品近期涨价基本已成事实。 近日，一家国内存储模组厂商负责人表示，今年所有存储芯片原厂的价格都在涨。几家存储芯片原厂的报价，在同一时期内都会比较接近，差异不会很大。其中，“小**容量 NAND 是这一轮涨价里最先有反应的品类，也是最早反弹的品种**”。 目前存储芯片制造商转向大容量 NAND 生产，小容量 eMMC 等产品制造转由模组厂商承担，受原厂晶圆定价影响。比如**佰维存储、江波龙**等模组厂商均基于原厂 NAND 推出 eMMC 产品。 因此，**在小容量市场复苏之际，这两家公司将同步受益。** **佰维存储**在接受 23 家机构调研时表示，在嵌入式存储领域，公司 BGASSD 已通过 Google 准入供应商名单认证；在 PC 存储领域，公司 SSD 产品目前已经进入联想、宏碁、惠普、同方等国内外知名 PC 厂商，此前佰维存储就表示，其旗下 SP406/416 系列企业级 PCIe4.0 SSD、SS621 系列企业级 SATA SSD，与联想服务器完成兼容性测试并获认证，强化企业级市场布局。 技术研发层面，3 月初，佰维存储宣布，其自研的 eMMC 主控芯片 SP1800 已完成批量验证支持 QLC 颗粒并针对智能穿戴设备优化功耗，同时具备端到端数据保护能力，适用于车规级应用场景。 据悉，2024 年，佰维存储智能穿戴存储业务收入同比大幅增长，2025 年将深化与 Meta 等客户在 AI 眼镜领域的合作。 **江波龙**近日正式向香港联交所递交了发行境外上市外资股（H 股），并在香港联交所主板挂牌上市的申请。目前，江波龙在产品布局上持续发力，其首颗 32Gbit 2D MLC NAND 完成流片验证，覆盖 SLC/MLC 多容量产品，适用于网络通信、安防监控等领域。该公司目前拥有嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线，经营三个主要品牌，分别是 FORESEE、Zilia、雷克沙。 其次，目前国内多家芯片厂商布局 NAND 存储芯片。包括**兆易创新、东芯股份、江波龙**等。不过，兆易创新、东芯股份 NAND 产品均为 2D SLC NAND。而本轮 NAND 涨价主要以 3D NAND 产品为主，而 2D NAND 今年价格始终平稳，未见明显价格拐点。 DRAM 方面，**北京君正**于投资者互动平台表示，公司正在积极推进 DRAM 产品的更新迭代，采用 20nm 工艺的新产品预计将在 2025 年推出样品，后续还将陆续推出更新工艺的 DRAM 产品。此外，北京君正还计划在 20nm 工艺产品之后，继续推进更先进工艺的 DRAM 产品研发。 ##  **05** **存储龙头，期待回春** 在刚刚过去的第一季度，存储巨头们过的可并不算如意。 **美光：存储业务****营收****狂跌 20%** 近日，美光发布了截至 2025 年 2 月 27 日的 2025 财年第二财季财报，尽管在这一季度中美光实现营收 80.5 亿美元，同比增长 38%。但单拎出来其存储业务部门（SBU）看，可以发现美光也面临着存储市场逆风的压力。 财报显示，美光 SBU 营收 14 亿美元，环比下降 20%。 **三星、SK 海力士：对华出口暴跌** 2024 年，韩国芯片出口总额高达 1330 亿美元，其中近四成来自中国订单。 去年，三星和 SK 海力士这两家公司依托中国《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方案》相关举措，在华销售额实现大幅增长。 三星电子 3 月 12 日公布的业务报告显示，公司去年对华出口额同比增加 53.9%，为 64.9275 万亿韩元，超过对美出口额 61.3533 万亿韩元。在公司对华出口额中，芯片销售占绝大部分。另据三星电子审计报告数据，公司在中国西安的 NAND 工厂（销售额 11.1802 万亿韩元，营业利润 1.1954 万亿韩元）和上海的半导体销售分公司（销售额 30.0684 万亿韩元）去年销售额也大幅提升。 SK 海力士同样在中国市场取得了稳健增长。其无锡 DRAM 工厂去年不仅成功扭亏为盈，营业利润达到 5985 亿韩元，销售额也同比增长 64.3%，净利润同比大增 65.4%。SK 海力士在中国的销售额为 5.6 万亿韩元，较前年有所增加。 暴涨之后，在 2025 年开年，形势急转直下。 最新数据显示，今年一月，韩国对华芯片出口暴跌 22.5%，2 月跌幅扩大至惊人的 31.8%。行业预测，3 月跌幅可能突破 30%，芯片出口量或将创十年新低。 "**以前是订单接到手软，现在仓库堆满芯片卖不出去。**"韩国半导体行业人士近日感叹，这个曾凭借存储芯片傲视全球的产业，正经历着前所未有的寒冬。 三星、美光、SK 海力士等厂商此前已经退出 SLC NAND Flash 市场。出于成本效率因素考虑，市场预计后续海外存储原厂可能逐渐退出 MLC NAND Flash 市场。随着国际巨头的逐渐淡出，国产存储公司的发挥空间便更大了。 随着三大存储龙头逐步转向附加值更高的 HBM、DDR5 等领域。上个月，SK 海力士宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 12 层（12Hi）HBM4 内存，并在全球率先向主要客户出样了 12Hi HBM4。 AI 大模型训练催生海量算力需求，HBM 在 DRAM 市场的占比已近 30%，预计到 2026 年 HBM4 将推动定制化需求爆发。英伟达、AMD 的新品发布周期，与三星、SK 海力士的技术迭代形成共振，在此背景下，国际存储龙头便可在存储市场的复苏浪潮中享受更为丰厚的红利。 本文作者：丰宁，来源：半导体产业纵横，原文标题：《存储芯片，正式涨价》 风险提示及免责条款 市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。 ### 相关股票 - [MU.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MU.US.md) - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SSNGY.US.md) - [HPQ.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/HPQ.US.md) - [300223.CN](https://longbridge.com/zh-CN/quote/300223.CN.md) - [GOOGL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/GOOGL.US.md) - [688110.CN](https://longbridge.com/zh-CN/quote/688110.CN.md) - [CP00062.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/CP00062.US.md) - [NVDY.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDY.US.md) - [NVDL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDL.US.md) - [NVDA.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDA.US.md) - [GOOG.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/GOOG.US.md) - [603986.CN](https://longbridge.com/zh-CN/quote/603986.CN.md) ## 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