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title: "华创证券：国产整机与核心子系统加速突破 光刻机国产替代迎来奇点时刻"
type: "News"
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description: "华创证券发布研报指出，国产光刻机在政策、需求与验证的推动下，预计将进入商业化加速阶段。光刻机是半导体设备中最复杂、价值最高的环节，2024 年中国将成为全球最大光刻机采购市场。建议关注具备核心能力的本土厂商如茂莱光学和汇成真空。光刻机市场份额预计将达到 24%。"
datetime: "2025-10-15T01:44:05.000Z"
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# 华创证券：国产整机与核心子系统加速突破 光刻机国产替代迎来奇点时刻

智通财经 APP 获悉，华创证券发布研报称，光刻机是半导体设备中最复杂、价值量最高的环节，也是国产化进程中亟待攻克的高地。2024 年中国已成为全球最大光刻机采购市场，贡献 ASML 营收 41%。未来在政策、需求与验证三重驱动下，国产光刻机有望进入商业化加速阶段。国产整机与核心子系统加速突破，进入从验证向量产转化的关键阶段，建议关注具备核心环节能力的本土厂商茂莱光学 (688502.SH)、汇成真空 (301392.SZ) 等。

## 华创证券主要观点如下：

**光刻机是半导体设备中最复杂、价值量最高的环节，也是国产化进程中亟待攻克的高地**

光刻作为晶圆制造的核心工序，承担电路图形转移的关键使命，单机价值量居半导体设备首位。根据观研天下数据中心，2024 年光刻机以约 24% 的市场份额在半导体设备中占比最高。

光刻机演进遵循瑞利判据 (CD=k·λ/NA)，通过光源波长缩短、数值孔径提升及工艺因子优化，延续摩尔定律推动工艺节点突破。1) 汞灯到 DUV 再到 EUV，波长逐步缩短;2) 浸没式技术突破折射率瓶颈，使 NA 提升至 1.35;3) 工艺因子优化，离轴照明、OPC、相移掩模、多重曝光等系统性优化手段扩展工艺窗口;4) 曝光方式由接触式演进至步进扫描投影，确立现代主流架构。

光源系统、光学系统与工作台系统三大核心子系统构成，分别承载能量供给、图形成像与精准对位三大关键功能。光源系统通过不断缩短波长以提升分辨率，演进路径从汞灯、KrF、ArF 扩展至 EUV 激光等离子体光源;光学系统作为成像核心，DUV 时代以高 NA 折射透镜为主，EUV 时代则转向多层反射镜体系以适应光源波长极限，架构显著改变;而工作台系统则承担晶圆高速移动与高精度对准，在浸没式与 EUV 设备中演进至双工件台和磁悬浮结构，支撑高通量与纳米级精度协同。三大系统协同推进光刻精度提升、良率改善与产能释放，共同构筑整机壁垒。

**他山之石可以攻玉，复盘光刻机产业五十年龙头更替史**

美系厂商凭借半导体发源地优势率先起步，日系企业依托精密光学与政策扶持在 DUV 时代登顶;ASML 则通过三次代际跃升实现跨越反超：2000 年 TWINSCAN 双工件台提升产能效率，2004 年浸没式 ArF 突破光学极限，2007 年市占率超越尼康。此后，依托 EUV 光源独家攻关与客户联合投资，ASML 于 2017 年实现量产交付，奠定先进制程核心地位。与此同时，公司并购 Cymer、HMI、Berliner Glas 并深度绑定蔡司，形成覆盖光源、光学、检测的闭环壁垒。全球格局上，2024 年 ASML/Canon/Nikon 市占率分别为 61.2%/34.1%/4.7%，Canon 与 Nikon 聚焦 KrF 与 i-line 等成熟机型，而 ASML 在 ArFi 浸没式与 EUV 领域高度垄断。未来，随着 ASMLHigh-NA 逐步量产，高端市场 “一超” 格局有望进一步稳固。

**需求、政策与外部环境共振，国产替代迎来追赶窗口期**

2024 年中国已成为全球最大光刻机采购市场，贡献 ASML 营收 41%。当前中国光刻机高端机型依赖进口，在美日荷联合封锁风险下，国产化进度势在必得。政策端 “02 专项” 体系化布局曝光光学、双工件台、浸液系统等核心环节，推动国产技术快速迭代，上海微电子、华卓精科等已在 90nm ArF 机型与双工件台实现突破。未来在政策、需求与验证三重驱动下，国产光刻机有望进入商业化加速阶段。

**风险提示：**技术验证进度不及预期、下游扩产需求不及预期、原材料成本波动风险、竞争格局演变风险。

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