<p>新闻：微电子</p>
<p>KnowMade 表示，全球知识产权动态突显出 2025 年第三季度氮化镓（GaN）创新活动的激增</p>
<p>KnowMade 发布了其《2025 年第三季度 GaN 专利监测报告》，该报告突出了 2025 年第三季度氮化镓（GaN）创新趋势、不断变化的竞争知识产权格局以及塑造未来电力和射频电子技术的技术进步。</p>
<p>2025 年第三季度的专利格局确认了 GaN 工业扩张的加速。在这一季度，发布了 599 个新的专利族，保持了高创新速度。值得注意的是，这些专利中有 70% 来自中国企业，显示出中国在 GaN 发展方面的持续推动。</p>
<p>基于应用的详细分类揭示了电力电子领域的强劲势头：</p>
<ul>
<li>376 个新的专利族针对电力应用，显著超过射频技术；</li>
<li>107 个专利族专注于射频应用；</li>
<li>超过 110 个专利族涉及多个应用领域，反映出 GaN 材料和器件的广泛相关性。</li>
</ul>
<p>这一持续的知识产权流动展示了全球对 GaN 技术的强烈兴趣，涵盖了能源效率、快速充电系统、电动汽车（EV）动力系统、电信基础设施和高频组件，这些都是 2025 年第三季度 GaN 创新的核心驱动因素。</p>
<h2>新进入者加入 GaN 知识产权格局</h2>
<p>2025 年第三季度，许多知识产权新进入者首次申请与 GaN 电子相关的专利，其中大多数是中国公司。几家值得注意的非中国新进入者也做出了重要贡献：</p>
<ul>
<li>法国的 Alpsemi 披露了一种高电压高电子迁移率晶体管（HEMT）外延结构，专用于先进的电力转换；</li>
<li>韩国的 SK Foundry 推出了一种 GaN 晶体管结构，旨在减轻电流崩溃，提高器件可靠性；</li>
<li>美国的 Atomera 推出了一种超晶格结构，能够增强 GaN-on-silicon 外延中的应力和应变控制，同时促进与生长基底的自我分离——这是一个关键的制造优势。</li>
</ul>
<h2>突破性的协作创新</h2>
<p>2025 年第三季度 GaN 创新的一个亮点是加州大学、马里兰大学、弗吉尼亚大学和美国海军之间的显著学术 - 军事合作。合作伙伴引入了碳化物 ‘声子桥层’，旨在减少集成钻石散热器与铝镓氮（AlGaN）HEMT 之间的热边界阻力。这一发展可能会在 GaN 器件的热管理方面带来显著改善。</p>
<h2>加强已建立企业的知识产权地位</h2>
<p>确认 GaN 生态系统的竞争整合，2025 年第三季度还记录了 426 个首次获得授权的专利族，包括：</p>
<ul>
<li>超过 230 个新授权的专利族涉及电力应用，而射频应用为 90 个；</li>
<li>大约 100 个新授权的专利族涵盖多应用发明。</li>
</ul>
<p>在电力 GaN 市场参与者中，英飞凌在本季度的 GaN 知识产权表现中脱颖而出，获得了 15 个新授权的专利族，远超 Innoscience（7 个）和罗姆（3 个）。英飞凌的新授权专利涵盖 GaN 晶体管、制造方法、低电感封装、电力集成电路和基于 DC/DC 转换器的系统。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/Image2-3.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="825" height="469" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/Image2-3.jpg"/></p>
<p>主要代工厂也加强了其知识产权地位：UMC 获得了八个授权专利；台积电和格芯各自通过增加三个授权专利族来增强其知识产权组合。</p>
<p>这种竞争动态强调了一个快速成熟的行业，其中集成器件制造商（IDMs）和代工厂都在基础 GaN 技术上进行大量投资，KnowMade 总结道。</p>
<p>更多参与者展示了针对电力和射频 GaN 技术的共同知识产权战略</p>
<p>垂直 GaN 电力器件的知识产权竞争状态</p>
<p>GaN 电力器件</p>
<p>www.knowmade.com</p>

ATOM

格芯

<p>KnowMade 的 2025 年第三季度氮化镓专利监测报告显示，氮化镓技术的创新显著，共发布了 599 个新的专利家族，其中 70% 来自中国。关键领域包括电力电子和射频应用。Alpsemi、SK Foundry 和 Atomera 的显著贡献突显了全球的关注。美国的学术与军事合作在热管理方面取得了突破。英飞凌在新授予的专利中处于领先地位，主要的代工厂如联电、台积电和格芯也在加强其知识产权地位，这表明氮化镓行业正在成熟</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻：微电子</p>
</div><p>Global IP dynamics highlight surging GaN innovation activity in Q3/2025, says KnowMade</p>
<div class="lb-trans"><p>KnowMade 表示，全球知识产权动态突显出 2025 年第三季度氮化镓（GaN）创新活动的激增</p>
</div><p>KnowMade has released its ‘Q3 2025 GaN Patent Monitor’, which highlights major gallium nitride (GaN) innovation trends in third-quarter 2025, the evolving competitive IP landscape, and the technological advances shaping future power and RF electronics.</p>
<div class="lb-trans"><p>KnowMade 发布了其《2025 年第三季度 GaN 专利监测报告》，该报告突出了 2025 年第三季度氮化镓（GaN）创新趋势、不断变化的竞争知识产权格局以及塑造未来电力和射频电子技术的技术进步。</p>
</div><p>The Q3/2025 patent landscape confirms GaN’s accelerating industrial expansion. During the quarter, 599 new patent families were published, maintaining a high innovation pace. Notably, 70% of these originated from Chinese players, demonstrating China’s continued drive to lead GaN development.</p>
<div class="lb-trans"><p>2025 年第三季度的专利格局确认了 GaN 工业扩张的加速。在这一季度，发布了 599 个新的专利族，保持了高创新速度。值得注意的是，这些专利中有 70% 来自中国企业，显示出中国在 GaN 发展方面的持续推动。</p>
</div><p>A detailed application-based breakdown reveals strong momentum in power electronics:</p>
<div class="lb-trans"><p>基于应用的详细分类揭示了电力电子领域的强劲势头：</p>
</div><ul>
<li>376 new patent families targeted power applications, significantly outpacing RF technologies;</li>
<li>107 patent families focused on RF applications;</li>
<li>over 110 patent families addressed multiple application fields, reflecting the transversal relevance of GaN materials and devices.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>376 个新的专利族针对电力应用，显著超过射频技术；</li>
<li>107 个专利族专注于射频应用；</li>
<li>超过 110 个专利族涉及多个应用领域，反映出 GaN 材料和器件的广泛相关性。</li>
</ul>
</div><p>This sustained IP flow illustrates the robust global interest in GaN technologies across energy efficiency, fast-charging systems, electric vehicle (EV) powertrains, telecom infrastructure, and high-frequency components, all central drivers of Q3/2025 GaN innovation.</p>
<div class="lb-trans"><p>这一持续的知识产权流动展示了全球对 GaN 技术的强烈兴趣，涵盖了能源效率、快速充电系统、电动汽车（EV）动力系统、电信基础设施和高频组件，这些都是 2025 年第三季度 GaN 创新的核心驱动因素。</p>
</div><h2>Newcomers joining GaN IP landscape</h2>
<div class="lb-trans"><h2>新进入者加入 GaN 知识产权格局</h2>
</div><p>Q3/2025 saw a high number of IP newcomers filing their first GaN-electronics-related patents, most of them being Chinese companies. Several notable non-Chinese new entrants introduced meaningful contributions:</p>
<div class="lb-trans"><p>2025 年第三季度，许多知识产权新进入者首次申请与 GaN 电子相关的专利，其中大多数是中国公司。几家值得注意的非中国新进入者也做出了重要贡献：</p>
</div><ul>
<li>Alpsemi (in France) disclosed a high-voltage high-electron-mobility transistor (HEMT) epitaxial structure dedicated to advanced power conversion;</li>
<li>Soth Korea-based SK Foundry introduced a GaN transistor structure designed to mitigate current collapse, improving device reliability;</li>
<li>Atomera (in USA) unveiled a superlattice structure enabling enhanced stress and strain control in GaN-on-silicon epitaxy while facilitating self-separation from the growth substrate — a key manufacturing advantage.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>法国的 Alpsemi 披露了一种高电压高电子迁移率晶体管（HEMT）外延结构，专用于先进的电力转换；</li>
<li>韩国的 SK Foundry 推出了一种 GaN 晶体管结构，旨在减轻电流崩溃，提高器件可靠性；</li>
<li>美国的 Atomera 推出了一种超晶格结构，能够增强 GaN-on-silicon 外延中的应力和应变控制，同时促进与生长基底的自我分离——这是一个关键的制造优势。</li>
</ul>
</div><h2>Breakthrough collaborative innovation</h2>
<div class="lb-trans"><h2>突破性的协作创新</h2>
</div><p>A highlight of Q3/2025 GaN innovation is a prominent US-based academic–military collaboration between the University of California, University of Maryland, University of Virginia, and the US Navy. The partners introduced carbide ‘phonon bridge layers’, engineered to reduce thermal boundary resistance between an integrated diamond heat spreader and an aluminium gallium nitride (AlGaN) HEMT. This development could unlock dramatic improvements in GaN device thermal management.</p>
<div class="lb-trans"><p>2025 年第三季度 GaN 创新的一个亮点是加州大学、马里兰大学、弗吉尼亚大学和美国海军之间的显著学术 - 军事合作。合作伙伴引入了碳化物 ‘声子桥层’，旨在减少集成钻石散热器与铝镓氮（AlGaN）HEMT 之间的热边界阻力。这一发展可能会在 GaN 器件的热管理方面带来显著改善。</p>
</div><h2>Strengthening IP positions among established players</h2>
<div class="lb-trans"><h2>加强已建立企业的知识产权地位</h2>
</div><p>Confirming the competitive consolidation of the GaN ecosystem, Q3/2025 also recorded 426 patent families being granted for the first time, including:</p>
<div class="lb-trans"><p>确认 GaN 生态系统的竞争整合，2025 年第三季度还记录了 426 个首次获得授权的专利族，包括：</p>
</div><ul>
<li>over 230 newly granted families concerned power applications, versus 90 for RF;</li>
<li>about 100 newly granted families covered multi-application inventions.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>超过 230 个新授权的专利族涉及电力应用，而射频应用为 90 个；</li>
<li>大约 100 个新授权的专利族涵盖多应用发明。</li>
</ul>
</div><p>Among the power GaN market players, Infineon stands out as the quarter’s strongest GaN IP performer, securing 15 newly granted patent families, well ahead of Innoscience (7) and Rohm (3). Infineon’s newly granted patents span GaN transistors, manufacturing methods, low-inductance packaging, power ICs, and DC/DC converter-based systems.</p>
<div class="lb-trans"><p>在电力 GaN 市场参与者中，英飞凌在本季度的 GaN 知识产权表现中脱颖而出，获得了 15 个新授权的专利族，远超 Innoscience（7 个）和罗姆（3 个）。英飞凌的新授权专利涵盖 GaN 晶体管、制造方法、低电感封装、电力集成电路和基于 DC/DC 转换器的系统。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/Image2-3.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/Image2-3.jpg"/></p>
<p>Major foundries also reinforced their IP position: UMC obtained eight granted patents; TSMC and GlobalFoundries each strengthened their IP portfolios with three additional granted patent families.</p>
<div class="lb-trans"><p>主要代工厂也加强了其知识产权地位：UMC 获得了八个授权专利；台积电和格芯各自通过增加三个授权专利族来增强其知识产权组合。</p>
</div><p>This competitive dynamic underscores a rapidly maturing industry in which both integrated device manufacturers (IDMs) and foundries are investing heavily in foundational GaN technologies, concludes KnowMade.</p>
<div class="lb-trans"><p>这种竞争动态强调了一个快速成熟的行业，其中集成器件制造商（IDMs）和代工厂都在基础 GaN 技术上进行大量投资，KnowMade 总结道。</p>
</div><p>More players exhibiting a common IP strategy for power and RF GaN technologies</p>
<div class="lb-trans"><p>更多参与者展示了针对电力和射频 GaN 技术的共同知识产权战略</p>
</div><p>Status of the IP competition for vertical GaN power devices</p>
<div class="lb-trans"><p>垂直 GaN 电力器件的知识产权竞争状态</p>
</div><p>GaN power devices</p>
<div class="lb-trans"><p>GaN 电力器件</p>
</div><p>www.knowmade.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.knowmade.com</p>
</div>

KnowMade 表示，全球知识产权动态显示 2025 年第三季度氮化镓（GaN）创新活动显著增加