--- title: "南亚科法说会释利多:Q4 获利创高、资本支出增至 500 亿!今日股价强攻涨停后市将如何?" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/273060446.md" description: "南亚科(2408)于 19 日举行法说会,公布 2025 年第四季财报,获利创高,单季 EPS 达 3.58 元,全年顺利转亏为盈。2026 年资本支出将增至 500 亿元,致力于 10 奈米新厂建设。合并营收达 300.94 亿元,季增 60.3%。毛利率从 18.5% 跃升至 49.0%。总经理李培瑛表示,2026 年 DRAM 市场将继续面临供需失衡,AI 效应推动需求增长。" datetime: "2026-01-19T09:24:57.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/273060446.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/273060446.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/273060446.md) --- # 南亚科法说会释利多:Q4 获利创高、资本支出增至 500 亿!今日股价强攻涨停后市将如何? 记忆体大厂**南亚科(2408)**于今(19)日举行线上法说会,公布 2025 年第四季财报并释出 2026 年营运展望。受惠于 AI 浪潮带动伺服器需求,以及 DDR4、DDR5 报价强势上扬,南亚科去年第四季获利创高,不仅单季 EPS 高达**3.58 元**,更带领全年顺利转亏为盈。 针对 2026 年,总经理李培瑛展现极强信心,宣布资本支出将从去年的 134 亿元爆发性成长至 500 亿元,全力冲刺 10 奈米级新厂建设。 该公司于 2025 年第四季展现强劲的营运复苏动能,各项财务指标显示 DRAM 产业已正式告别库存去化周期,进入获利扩张期。该季合并营收达新台币**300.94 亿元**,季增(QoQ)达**60.3%**;归属母公司税后净利为**110.83 亿元**,单季每股盈余高达**3.58 元**,不仅较前一季成长逾六倍,更创下近 20 个季度以来的单季新高。 在获利结构方面,毛利率表现突出,由上季的 18.5% 大幅跳升至 49.0%。此显著增长主要受惠于两大核心驱动力:第一,受限于供给侧产能转移至 HBM,带动传统 DRAM 平均销售价格季涨幅逾 30%;第二,DDR5 渗透率提升与高阶产品组合优化,进一步强化了边际贡献。 综观 2025 年全年度营运表现,南亚科累计合并营收为**665.87 亿元**,全年 EPS 结算为**2.13 元**,正式终结连续两年的年度亏损困局。 总经理李培瑛指出,2026 年 DRAM 市场仍将延续结构性供需失衡的格局。其主要归因于供给侧产能转置与需求侧位元消耗量扩张的双重作用。 - 需求端:AI 效应由云端向边缘端扩散。AI 伺服器对高阶产能的持续吸纳已使 DDR5 及新型记忆体规格处于常态化缺货。此外,终端市场正迎来硬体规格升级潮,AI PC 与生成式 AI 手机的单机搭载容量显著提升,叠加消费性电子应用的稳健复苏,支撑了整体位元需求的强劲增长。 - 供给端:HBM 产能排挤与先进制程转置。供给面的关键变数在于全球三大原厂(三星、SK 海力士、美光)策略性将大量产能转向高频宽记忆体(HBM)生产。由于 HBM 的投片量相较标准型 DRAM 具备更高消耗比(约 2 至 3 倍),此种产能排挤效应导致传统型 DRAM 的供给量出现断崖式受限,难以支撑既有的市场需求。 - 价格趋势:在报价走势上,南亚科预期 2026 年第一季 DRAM 合约价将维持上行趋势。尽管随基期拉高,单季涨幅可能难以重现 2025 年第四季的极端斜率,但由于买方库存水位偏低且供应商控片立场坚定,上升通道依然明确。值得关注的是,DDR4 因出现结构性供给缺口,其报价韧性与涨幅力道有望在特定区间内领先。 此外,南亚科于本次法说会中正式宣布,将 2026 年度资本支出上调至新台币 500 亿元,较前一年度大幅扩张 2.7 倍,此一激进的投资策略展现了公司在获利结构改善后,由稳健经营转向加速技术更迭的战略决心。 在资金配置逻辑上,公司采取基础设施先行的配置模式,将总预算的 70% 投入泰山新厂的厂务系统建置与高规格无尘室工程,其余 30% 则用于关键生产设备的采购与装机。根据营运时程规划,泰山新厂预计于 2027 年第一季启动设备装机,并于同年上半年底前达成量产目标;预期至 2028 年上半年,月投片量将提升至 2 万片规模,且制程技术将直接跨入 10 奈米级第三代(1C)及第四代(1D)节点,以优化位元产出率与产品能效。 而在产品组合的先进布局方面,南亚科已顺利完成 128GB DDR5 RDIMM 的技术验证,并积极投入客制化 AI 专案开发,此举标志著公司正加速缩减与全球三大原厂(Tier 1)在 AI 基础设施供应链中的技术断层,力求在高价值记忆体市场中取得关键竞争地位。 ## 南亚科未来股价将如何?分析师:留意未来两年高额折旧费用带来的潜在获利压力 在法说会召开前,南亚科股价已先行「预热」。上周五(16 日)股价收在 250 元,上涨 5.26%,显示市场已提前反应转亏为盈的利多。今日,股价开盘即跳空大涨,并迅速封死涨停板**275.0 元**,创下历史新高。然而,法说会后其股价走势将取决于以下两大因素: - 利多兑现后的卖压: 由于南亚科目前被列为处置股(至 1 月 22 日),买盘力道受限。部分短线资金可能在法说会利多确认后逢高获利了结,股价短期内可能在高位区间震荡。 - 估值重新定锚: 美系外资近日将台系记忆体族群目标价全面上调。若以 2026 年 EPS 预估与高达 49% 的毛利率来看,南亚科的 PB 值有进一步上修的空间。 短线虽因处置期间及涨幅已大而有回档压力,但在第一季报价续涨与 DDR5 渗透率提升的基本面支撑下,南亚科股价长线趋势依旧看好。 需要留意的是,虽然目前报价上扬,但南亚科 500 亿元的庞大支出将带来巨额折旧费用。未来两年的营业利润必须维持高档,才能支撑此规模的投资计划。 ### 相关股票 - [002408.CN](https://longbridge.com/zh-CN/quote/002408.CN.md) ## 相关资讯与研究 - [高盛谈 “DRAM 市况”:基本面稳健,但市场情绪转弱](https://longbridge.com/zh-CN/news/281118033.md) - [群智咨询:预计二季度 DRAM 涨价周期将持续 下半年涨幅呈收窄态势](https://longbridge.com/zh-CN/news/282022045.md) - [中科闻歌递表港交所,或成 “中科院系 AI 第一股”](https://longbridge.com/zh-CN/news/282502110.md) - [兴业证券:AI 推理需求爆发驱动存储需求 国内利基存储公司有望深度受益](https://longbridge.com/zh-CN/news/282308740.md) - [机构:AI 旺盛需求拉动下,二季度存储合约价有望持续上涨](https://longbridge.com/zh-CN/news/282491260.md)