--- title: "三星、SK 海力士财报同日对决，双双冲刺史上最好业绩，HBM4 之争全面升级" description: "三星与 SK 海力士将在 1 月 29 日同日发布财报。三星因传统 DRAM 价格反弹，Q4 营业利润预计激增 208%，有望首次突破 20 万亿韩元，迅速缩小与 SK 海力士的利润差距。双方正激烈角逐，力争在 2026 年达到业绩巅峰，巨额资本支出与下一代 HBM4 芯片的供应争夺将成为焦点，直接影响未来市场格局。" type: "news" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/273365811.md" published_at: "2026-01-22T11:37:39.000Z" --- # 三星、SK 海力士财报同日对决，双双冲刺史上最好业绩，HBM4 之争全面升级 > 三星与 SK 海力士将在 1 月 29 日同日发布财报。三星因传统 DRAM 价格反弹，Q4 营业利润预计激增 208%，有望首次突破 20 万亿韩元，迅速缩小与 SK 海力士的利润差距。双方正激烈角逐，力争在 2026 年达到业绩巅峰，巨额资本支出与下一代 HBM4 芯片的供应争夺将成为焦点，直接影响未来市场格局。 在全球存储芯片市场因供需紧张和需求强劲而迎来价格飙升之际，三星电子与 SK 海力士即将于 1 月 29 日同日发布 2025 年第四季度财报。这将是两大巨头首次在同一天公布业绩，不仅标志着存储行业的周期性复苏进入关键阶段，更因双方在利润表现、未来资本开支及下一代高带宽内存（HBM）技术上的激烈博弈而备受投资者关注。 最新的业绩前瞻显示，三星电子有望交出一份历史性的季度答卷，其第四季度营收预计突破 90 万亿韩元，营业利润同比激增 208%，或成为首家单季营业利润突破 20 万亿韩元的韩国企业。这一强劲表现主要得益于其存储半导体业务的迅猛反弹，不仅大幅缩小了与 SK 海力士的盈利差距，更有望在随后的季度实现反超。与此同时，尽管 SK 海力士因高度依赖 HBM 而受制于传统 DRAM 价格上涨带来的红利有限，但市场仍预计其季度营业利润将达到至少 18 万亿韩元。 此次财报发布的另一大看点在于两家公司对 2026 年业绩峰值的展望及资本支出计划。随着内存供应紧张局面预计将持续至 2027 年，分**析师普遍预测两大巨头将在 2026 年双双迈入 “100 万亿韩元营业利润俱乐部”。**此外，两家公司在下一代 HBM4 芯片供应上的竞争态势也将成为焦点，尤其是双方已向英伟达交付付费最终样品，这直接关系到未来高利润市场的份额分配。 投资者正密切留意此次财报电话会议中关于产能扩张和技术路线图的信号**。市场普遍预期，三星将大幅增加在存储领域的投资以提升 HBM 产量及推进得克萨斯州 Taylor 工厂建设，而 SK 海力士的资本支出预计将在 2026 年突破 30 万亿韩元，重点投向 M15X 晶圆厂及龙仁半导体集群。** ## **利润差距显著收窄** 随着商品 DRAM 价格自 2025 年下半年起反弹，以及主流 DRAM 出货量的增加，三星电子的存储部门盈利能力正在快速恢复。据 ZDNet 引用的预测数据，三星电子存储半导体业务的营业利润预计将在 17 万亿韩元的高位区间。如果整体财报预测成真，三星将不仅创下营收同比增长 22.7% 的佳绩，更有望成为韩国历史上首个单季营业利润达到 20 万亿韩元（约合 138.2 亿美元）的企业。 相比之下，SK 海力士虽然最初预计营业利润在 16 至 17 万亿韩元之间，但据 ZDNet 引用的行业消息，其第四季度营业利润现已被上调至至少 18 万亿韩元。然而，分析指出，由于 SK 海力士的业务结构更侧重于 HBM，这在一定程度上限制了其从近期传统 DRAM 价格飙升中获取的收益幅度。 **市场普遍预期这一追赶态势将在 2026 年第一季度发生逆转。**根据 ZDNet 的报道，**随着商品 DRAM 价格预计再次大幅上涨，三星存储部门的营业利润有望在该季度超越 SK 海力士。**TrendForce 的数据显示，2026 年第一季度主流 DRAM 的平均售价预计将环比跳涨 55% 至 60%。 ## 2026 年或迎业绩巅峰 在内存供应紧张预计将延续至 2027 年的背景下，两家韩国存储巨头正蓄势待发，准备在 2026 年迎来业绩巅峰。据媒体报道，**分析师预测 SK 海力士在 2026 年的销售额将超过 165 万亿韩元，营业利润突破 100 万亿韩元。**与此同时，麦格理和 KB 证券的投行报告指出**，三星电子 2026 年的营业利润也可能达到约 150 万亿韩元，这意味着两家公司都将稳固地迈入 “100 万亿韩元营业利润俱乐部”。** 为了支撑这一增长预期，巨额资本支出计划已在酝酿之中。尽管官方尚未发布详细计划，但据 The Bell 此前报道，SK 海力士的资本支出在 2024 年达到 10 万亿韩元的高位区间，2025 年增至 20 万亿韩元的中段区间，并预计在 2026 年超过 30 万亿韩元。媒体称，该公司已将数百亿韩元投入清州 M15X 晶圆厂和龙仁集群项目。 三星方面同样计划激进扩张。媒体报道称，三星计划在 2025 年 DS 部门支出 40.9 万亿韩元的基础上，于 2026 年大幅增加存储领域的投资。其关键优先事项包括提升 HBM 产量、扩建平泽 DS 基地以及推进得克萨斯州 Taylor 晶圆厂的建设。 ## **HBM4 技术竞赛白热化** 除了财务数据，两大巨头在 HBM4 领域的争夺战也在升温。TrendForce 指出，英伟达在 2025 年第三季度修改了其 Rubin 平台的 HBM4 规格，将单引脚速度要求提高至 11 Gbps 以上，这迫使三大 HBM 供应商必须修改设计。 据 SeDaily 报道，三星和 SK 海力士已于 2025 年底开始向英伟达交付付费的 HBM4 最终样品。行业预计，**具体的供应量和定价将在 2026 年第一季度锁定**，TrendForce 补充称，最终结果将在本季度中后期合同正式敲定后明朗化。 在这场技术竞赛中，三星试图通过采用 1Cnm 工艺制造 HBM4，并利用先进的内部代工技术生产基础裸片来挑战 SK 海力士，这有望提供更高的传输速度。尽管如此，TrendForce 指出，SK 海力士已经获得相关合同，并预计在 2026 年仍将保持在 HBM 总供应量中的主导份额。 ### Related Stocks - [PSI.US - 动态半导体 ETF - Invesco](https://longbridge.com/zh-CN/quote/PSI.US.md) - [SMSN.UK - Samsung Electronics Co., Ltd. Sponsored GDR](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMSN.UK.md) - [SSNGY.US - 三星电子](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SSNGY.US.md) - [SMH.US - 半导体 ETF - VanEck Vectors](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMH.US.md) - [SOXL.US - 半导体 3 倍做多 - Direxion](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXL.US.md) - [FTXL.US - 纳斯达克半导体 ETF - First Trust](https://longbridge.com/zh-CN/quote/FTXL.US.md) - [07709.HK - 南方两倍做多海力士](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07709.HK.md) ## Related News & Research | Title | Description | URL | |-------|-------------|-----| | 三星高管：内存需求将持续到 2027 年，HBM4 客户反馈 “非常满意” | 三星电子芯片部门首席技术官表示，受人工智能推动的强劲需求影响，公司预计内存芯片的强劲需求将在今年持续并延续至明年。他特别指出，客户对三星下一代高带宽内存芯片 HBM4 的反馈” 非常满意”。此前有报道称，三星电子将在农历新年假期后率先启动全 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/275547909.md) | | AI 需求爆发，韩企北美销售额增长 14%，海力士在美销售额大增 65% | 据韩国科技媒体 ETNews 报道，受全球人工智能基础设施投资热潮驱动，韩国企业 2025 年前三季度在北美市场销售额同比增长 14.1%，达 343.8 万亿韩元。IT 与电子板块成为主要增长引擎，销售额增长 20.7%。SK 海力士在美 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/275440742.md) | | 反超三星、利润率盖过台积电：SK 海力士是如何问鼎 AI 存储领域 “隐形霸主” 的？ | SK 海力士过去 12 个月市值飙升 340%，已从债权人控制的 “僵尸公司” 逆袭为 AI 产业链定价者。其凭借 HBM 先发优势，在 AI 需求爆发的浪潮下，深度绑定英伟达与微软，拿下全球过半 HBM 份额；市占率超越三星，利润率超越台 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/275576275.md) | | 报道：英伟达或放宽 HBM4 规格要求，因三星、SK 海力士面临产能和良率限制 | 英伟达或被迫放宽 HBM4 技术规格，在采购顶级芯片同时引入低配版本，以确保 Rubin 平台量产。三星虽领跑认证，但良率仅 60%，SK 海力士亦在 11Gbps 性能达标上遇阻。“双轨采购” 已成定局，供应稳定性优先于极致性能。能否在放 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/275866330.md) | | 三星将率先量产 HBM4：抢下 AI 存储的” 下一张门票” | 据悉三星 HBM4 量产和出货时间定在本月第三周，即农历新年假期后立即启动。三星在上一代 HBM3E 产品上曾遭遇挫折，此次抢先量产 HBM4 被视为重夺市场主动权的关键一步。 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/275218478.md) | --- > **免责声明**：本文内容仅供参考，不构成任何投资建议。