--- title: "英特尔，“重返” DRAM？" description: "英特尔与桑迪亚国家实验室在内存技术领域取得重大进展，成功将 DRAM 研发成果转化为新型内存技术，旨在解决内存带宽与延迟问题。这引发了英特尔可能重返 DRAM 市场的猜测。英特尔曾在 70 年代主导 DRAM 市场，但因竞争加剧于 1985 年退出。当前 DRAM 行业因 AI 需求上涨，英特尔的动向引发关注。" type: "news" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/273851864.md" published_at: "2026-01-27T14:18:39.000Z" --- # 英特尔，“重返” DRAM？ > 英特尔与桑迪亚国家实验室在内存技术领域取得重大进展，成功将 DRAM 研发成果转化为新型内存技术，旨在解决内存带宽与延迟问题。这引发了英特尔可能重返 DRAM 市场的猜测。英特尔曾在 70 年代主导 DRAM 市场，但因竞争加剧于 1985 年退出。当前 DRAM 行业因 AI 需求上涨，英特尔的动向引发关注。 近日，研究机构桑迪亚国家实验室（Sandia National Laboratories）的一则报道引发了行业热议。 报道指出，该实验室与英特尔在内存技术领域取得了重大进展，其共同开展的 “先进内存技术”（AMT）项目成功将 DRAM 相关研发成果转化为新型内存技术，旨在解决美国国家核安全管理局（NNSA）关键任务中的内存带宽与延迟难题。 这一消息让 “英特尔是否会重返 DRAM 赛道” 的猜想浮出水面。 虽然这则新闻并未明确宣告英特尔将大规模重返独立 DRAM 制造市场，但其中释放的信号却值得玩味。尤其是结合英特尔的历史积淀，且当前 DRAM 行业正处于 AI 超级周期带动的上涨通道之中，这一动向更显微妙。 这个曾经的存储霸主，“重返” 的可能性正变得愈发值得探讨。 ## 存储巨头的浮沉 英特尔与 DRAM 的渊源可以追溯到行业起步之初。 1970 年，英特尔推出 1103 芯片，这是全球首款商业成功的 DRAM 产品，凭借在价格、密度和逻辑兼容性上对磁芯存储器的全面超越，迅速改写了存储行业的格局。 英特尔在上世纪 70 年代一度占据全球 DRAM 市场 90% 的份额，成为了无可争议的行业龙头。 当时，1103 芯片不仅赢得了 HP、DEC、霍尼韦尔等主流计算机厂商的青睐，更确立了 DRAM 的发展模式，为后续技术演进奠定了基础。 然而，DRAM 行业的周期性与市场竞争的残酷性，让英特尔的霸主地位未能延续。80 年代，日本厂商借助政府支持、卓越制造良率和激进定价策略崛起，NEC、东芝等企业迅速抢占市场份额，1987 年全球十大 DRAM 供应商中有七家来自日本，英特尔因成本劣势陷入巨额亏损，最终在 1985 年宣布退出 DRAM 业务，转向 CPU 领域。这一决策被《经济学人》称为 “半导体史上最重大的战略转向”。 此后数十年，全球 DRAM 格局历经韩国厂商崛起、行业整合，最终形成了三星、SK 海力士、美光三大巨头垄断 95% 以上市场份额的寡头格局。 众所周知，存储行业具有强周期性特征，通常每 4-5 年经历一轮剧烈的供需波动。在经历 2021 年末至 2023 年的超级周期性低迷后，生成式 AI 的爆发彻底改变了需求格局。 如今，DRAM 行业正迎来新一轮结构性机遇。AI 工作负载对内存带宽和容量的极致需求，推动数据中心 HBM 和 DRAM 需求爆炸式增长，存储行业正迎来前所未有的超级周期。 据 TrendForce 集邦咨询预测，2026 年一季度，受原厂产能向 Server、HBM 应用转移影响，一般型 DRAM 合约价将季增 55-60%，Server DRAM 价格季增逾 60%，整个市场呈现供不应求的繁荣态势。市场研究显示，2025 年 DRAM 行业营收将恢复至千亿美元级别，2029 年有望达到 1500 亿美元，数据中心和汽车应用将成为核心驱动力，复合年增长率分别高达 25% 和 38%。 在这样的行业风口，以及英特尔正面临的 CPU 市场受挤压、代工业务亏损、AI 芯片滞后的多重压力之下，寻找新的增长曲线或许成为其迫切需求。 ## AMT 项目：揭开英特尔"重返"DRAM 的面纱 其中，桑迪亚国家实验室与英特尔的合作，为这场猜想提供了最直接的技术佐证。 据了解，作为后百亿亿次级计算计划的一部分，AMT 项目由桑迪亚国家实验室牵头，联合劳伦斯·利弗莫尔国家实验室、洛斯阿拉莫斯国家实验室与英特尔共同推进，前两轮合作聚焦研发，第三轮已进入产品化阶段，早期投资正逐步转化为实际成果。 英特尔在该项目中推出的下一代 DRAM 键合（NGDB）计划，展现了颠覆性的技术思路。不同于传统内存架构，NGDB 采用全新的内存组织方式与堆叠组装方法，在显著提升 DRAM 性能的同时，实现了功耗降低与成本优化。 更关键的是，它打破了 HBM 与 DDR DRAM 之间的性能权衡，解决了当前高带宽内存普遍存在的 “以容量换带宽” 的痛点，让更多应用场景能够享受到高带宽内存的优势。桑迪亚国家实验室首席技术人员格温·沃斯库伦直言：“这项技术将促使高带宽存储器在受限于容量和功率的系统中得到更广泛应用。” 从技术细节来看，英特尔已开发出新型堆叠方法和 DRAM 组织结构，原型产品不仅克服了现有技术的内存容量限制，更实现了功能性验证，证实了该技术大规模生产的可行性。 英特尔政府技术首席技术官 Joshua Fryman 强调：“标准内存架构无法满足人工智能的需求，NGDB 定义了全新方法，将加速我们迈向下一个十年。” 而英特尔院士 Josh Fryman 的表态更具深意：“我们正在重新思考 DRAM 的组织方式，从根本上推进计算机系统架构，目标是实现数量级的性能提升，并将创新纳入行业标准。” 这些技术突破与战略表述，无不暗示着英特尔在 DRAM 领域的野心绝非短期试水，而是着眼于长期行业布局。 ## Saimemory 低功耗革命，重新杀回存储赛道 如果说与桑迪亚国家实验室的合作是前沿技术层面的铺垫，那么英特尔与软银集团的联手，则可以认为是其在 DRAM 赛道实质性推进的重要一步，展现出更清晰的商业化路径。 2024 年末，英特尔与日本软银宣布成立合资公司 Saimemory，携手东京大学、日本理研等机构，以 “低功耗存储革命者” 的姿态，瞄准 AI 时代的存储痛点，致力于开发替代 HBM 的堆叠式 DRAM 解决方案。 当前，AI 处理器高度依赖 HBM 芯片，但 HBM 存在制程复杂、成本高昂、功耗大、易发热等固有缺陷，且市场被三星、SK 海力士、美光三大厂商垄断，供应持续吃紧。 Saimemory 的核心使命正是打破这一格局：通过垂直堆叠多颗 DRAM 芯片，结合英特尔的 EMIB 桥接技术优化互连方式，实现存储容量较现行先进存储器翻倍（目标单芯片 512GB）、功耗降低 40%-50%，量产成本仅为 HBM 的 60%。这一路线避开了 HBM 依赖的硅通孔复杂工艺，更侧重架构优化与能效突破。 与三星、NEO Semiconductor 等企业聚焦容量提升的 3D 堆叠 DRAM 技术不同，Saimemory 直击 AI 数据中心电力成本高企的核心痛点，其技术路径兼容现有 AI 处理器接口，无需大规模硬件改造，显著降低了客户迁移成本。 在资源投入方面，该项目总投资预计达 100 亿日元（约合 7000 万美元），软银初期注资 30 亿日元成为最大股东并承诺优先采购，富士通、新光电气工业等参与投资，日本政府更计划提供超 50 亿日元补贴，凸显了日本重振半导体存储器产业的深层诉求，背后暗含日本重振半导体产业的战略诉求。按照规划，Saimemory 将在 2027 年前完成原型设计与量产评估，力争 2030 年前实现商业化，优先供应软银筹建的 AI 训练数据中心。 这一合作对英特尔而言，既是 IDM 2.0 战略的延伸，也是技术资源的二次激活。通过开放芯片堆叠、封装等核心技术，英特尔试图在存储领域重建生态影响力，而非单纯依赖自有制造能力。尽管面临 HBM 巨头的专利壁垒、代工良率控制、生态协同不足等挑战，但 Saimemory 低功耗替代的差异化路线已展现出破局潜力，有望在边缘计算、中小型 AI 服务器等场景形成独特竞争力，甚至引发存储行业的技术路线分流。 综合来看，这种 “资本 + 技术” 的强强联合，展示了英特尔以另一种形式深度介入高端 DRAM 市场的野心。 ## 保留 eDRAM 的技术火种 在 DRAM 主线布局之外，英特尔在 eDRAM（嵌入式 DRAM）领域的技术积累，为其重返存储赛道提供了另一重支撑。 eDRAM 作为将 DRAM 单元直接集成在处理器芯片上的存储技术，凭借低延迟、高带宽、高密度的特性，被业界视为弥补 GPU 与内存之间 “内存墙” 的有效手段之一，如今正重新成为行业关注的焦点。 相较于 SRAM，eDRAM 存储单元结构更简单（1T-1C 结构），单位容量成本更低，相同芯片面积下容量可达 SRAM 的 6 倍左右；相较于传统 DRAM，其数据传输路径更短，延迟和功耗优势显著。 英特尔在 eDRAM 领域早有深耕。 早在十多年前的 Haswell、Broadwell 处理器时代，英特尔就曾在高端处理器中集成 128MB eDRAM 作为 L4 缓存，显著提升了核显性能。 例如，在 2013 年的 Haswell 架构处理器中，高端核显 Iris Pro Graphics 就集成了 128MB eDRAM 作为 L4 缓存，通过封装内 I/O（OPIO）接口实现了 1W 功耗下 102.4GB/s 的读写速度，显著提升了图形处理性能。 此后，英特尔的 Broadwell 架构桌面版进一步沿用这一设计，128MB eDRAM L4 缓存通过独立读写总线、多存储体设计等优化，实现 36.6 纳秒的加载延迟，在高带宽负载下展现出优异的稳定性。 在高性能计算领域，英特尔 Xeon Phi 处理器搭配 16GB eDRAM，为科学计算、数据分析等任务提供了高效缓存支持。 英特尔虽然曾一度因制程成本考量放缓了 eDRAM 的步伐，但随着 AI 时代对极致性能的渴求，这项技术正重新回到其武器库的中心位置。 诚然，eDRAM 的发展面临工艺集成复杂、刷新功耗、良率控制等多重挑战，但随着半导体工艺的进步，3D 堆叠、新型电容材料等技术的应用正不断突破这些瓶颈，这些长期制约其发展的瓶颈正被逐一突破。当下，AI 训练推理、高性能计算等场景对低延迟、高带宽存储的需求愈发迫切，这也让 eDRAM 在图形处理、嵌入式系统、边缘计算等领域的应用版图不断拓宽。而英特尔在 eDRAM 领域积淀的深厚技术储备，无疑成为其重返高端存储赛道的关键筹码，也为其提供了更具竞争力的技术选项与战略灵活性。 ## 写在最后 回望历史，除了在 DRAM 行业的早期辉煌之外，英特尔在 NAND 闪存领域也有过长期探索：2007 年推出 25 纳米 NAND 推动 SSD 普及，2015 年与美光联合发布 3D XPoint 技术并品牌化为 “傲腾”，虽最终因商业化困境退出 NAND 业务、停产傲腾，但其在存储架构、芯片堆叠、先进封装、存储专利等方面的积累依然深厚，或许能为其如今重新布局 DRAM 业务打下关键基础。 尤其是在 AI 时代，内存不仅是容量与成本的游戏，更是性能、功耗与架构的综合性竞争。当前，AI 驱动的存储产业变革正在重塑行业格局。DRAM 行业的高增长预期、HBM 市场的垄断痛点、eDRAM 的技术复苏，为英特尔提供了重返存储赛道的绝佳契机。 从桑迪亚国家实验室的技术突破，到与软银联手的 Saimemory 项目，再到 eDRAM 领域的技术储备。目前英特尔在存储领域的动向更像是多点布局、试探风向：一方面通过国家实验室合作保持前沿技术参与，另一方面借合资项目探索替代性产品路径，同时内部仍保留着如 eDRAM 等集成化方案的技术火种。 然而，重返之路并非坦途，面对三星、SK 海力士等巨头的技术垄断与生态壁垒，专利纠纷、良率控制、成本优化等现实挑战，以及自身过往商业化失利的教训，都将考验英特尔的战略决心与执行能力。 当前，“英特尔是否会正式重返 DRAM 赛道” 仍无定论，但可以肯定的是，在存储技术愈发成为 AI 时代核心竞争力的大背景下，英特尔应该不会全然放弃这一关键领域的布局。 未来数年，无论英特尔最终是否以传统形式 “重返 DRAM”，其在存储领域频繁落子已是不争的事实。这位曾经的存储王者或许不会直接与三星、SK 海力士等巨头在技术路线、产能规模上正面对抗，但在 AI 驱动的异构计算时代，它完全可能凭借架构创新与系统整合能力，在存储领域重新定义自己的角色。 正如一位行业分析师所言：“未来的存储竞争不再是单一的制程竞赛，而是架构、功耗、生态乃至地缘策略的复合博弈。” 在这样的全新的多维战场之上，英特尔在存储领域的故事，或许才刚刚翻开新的一页。 风险提示及免责条款 市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。 ### Related Stocks - [INTC.US - 英特尔](https://longbridge.com/zh-CN/quote/INTC.US.md) - [SOXL.US - 半导体 3 倍做多 - Direxion](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXL.US.md) - [SMH.US - 半导体 ETF - VanEck Vectors](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMH.US.md) - [XSD.US - 标普半导体 ETF - SPDR](https://longbridge.com/zh-CN/quote/XSD.US.md) - [INTW.US - 2 倍做多 INTC ETF - GraniteShares](https://longbridge.com/zh-CN/quote/INTW.US.md) - [SOXX.US - 费城交易所 半导体 ETF - iShares](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXX.US.md) ## 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