--- title: "海力士电话会：DRAM 供应紧张或延续至下半年，HBM4 已全力扩产但仍难满足客户需求" description: "SK 海力士表示，DRAM 库存已降至低位且下半年将持续收缩，存储供需紧张局面短期难解。以固态硬盘 (SSD) 为主的 NAND 闪存库存自去年下半年以来一直在下降，目前处于与 DRAM 相当的水平。公司正全力扩产 HBM4，目标夺取 “压倒性” 份额，并坦言目前产能全开仍难满足需求。" type: "news" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/274106819.md" published_at: "2026-01-29T07:19:28.000Z" --- # 海力士电话会：DRAM 供应紧张或延续至下半年，HBM4 已全力扩产但仍难满足客户需求 > SK 海力士表示，DRAM 库存已降至低位且下半年将持续收缩，存储供需紧张局面短期难解。以固态硬盘 (SSD) 为主的 NAND 闪存库存自去年下半年以来一直在下降，目前处于与 DRAM 相当的水平。公司正全力扩产 HBM4，目标夺取 “压倒性” 份额，并坦言目前产能全开仍难满足需求。 SK 海力士在最新财报电话会议上释放明确信号：存储器市场供应紧张局面将持续，公司正全力扩产高端产品但仍无法完全满足客户需求，这一供需格局预计在今年下半年仍将延续。 SK 海力士表示，**第四季度 DRAM 库存同比大幅下降，产出后立即向客户发货，几乎没有库存积累空间。**公司预计随着时间推进至今年下半年，DRAM 库存将进一步缩减，客户供应紧张状况可能持续一段时间。 在高带宽内存 (HBM) 业务方面，SK 海力士透露，**尽管目前正在最大化生产 HBM4，但仍难以完全满足客户需求。**公司目标是在 HBM4 市场获得压倒性份额，延续其在 HBM3 和 HBM3E 产品上的主导地位。 此外，公司对美国大规模制造扩张持谨慎态度，但已宣布将投资 100 亿美元在美国成立 AI 解决方案公司，利用包括 HBM 在内的先进芯片技术为数据中心客户提供优化的 AI 系统。 ## 存储器供应持续紧张 SK 海力士在电话会议上详细阐述了当前的供应状况。公司 DRAM 库存在第四季度出现大幅同比下降，生产的产品被立即发货给客户，留给库存积累的空间很小。 公司进一步指出，DRAM 库存预计将在今年下半年进一步收缩，这意味着客户供应紧张的情况可能还会持续相当长时间。 **在 NAND 闪存方面，SK 海力士表示，以固态硬盘 (SSD) 为主的库存自去年下半年以来一直在下降，目前处于与 DRAM 相当的水平。** ## HBM4 战略：目标压倒性市场份额 SK 海力士的 HBM4 供应策略成为电话会议关注焦点。公司表示目标是在 HBM4 市场获得压倒性份额，延续其在 HBM3 和 HBM3E 产品上取得的主导地位。 公司强调，其在 HBM 市场的竞争力不仅限于技术领先，自 HBM2E 时代起就通过与客户和基础设施合作伙伴的紧密协作帮助塑造市场。SK 海力士表示，其积累的量产经验和在产品质量方面赢得的信任代表着短期内难以复制的优势。 为实现获得压倒性市场份额的目标，SK 海力士正以将良率提升至与此前 12 层 HBM3E 相当水平为重点，力争在 HBM4 市场占据领先地位。 ## 产能全开仍难满足需求 尽管全力扩产，SK 海力士坦言供应仍然紧张。**公司表示目前正在最大化生产，但仍难以完全满足客户需求，**并预计部分竞争对手将进入市场。不过，SK 海力士强调其市场领导地位和作为领先供应商的地位将持续。 在 HBM4 技术方面，SK 海力士表示，使用应用于现有产品的 10 纳米级第五代 (1b) 工艺已满足客户性能要求。公司补充称，目标是通过利用其专有封装技术来获取需求。 **在海外扩张问题上，SK 海力士展现出谨慎态度。**关于预期的美国半导体关税，公司表示目前正在关注韩国和美国政府之间的讨论。公司表示，海外半导体晶圆厂投资涉及众多必须仔细评估的内外部变量，并将在稍后阶段分享未来方向。 值得注意的是，尽管对美国大规模制造扩张持谨慎立场，SK 海力士已制定了选择性投资计划。公司宣布将在美国成立 AI 解决方案公司，暂定名为 AI Company (AI Co.)，利用包括 HBM 在内的先进芯片技术，为数据中心客户提供优化的 AI 系统。SK 海力士表示将向该企业投入 100 亿美元，采用资本催缴方式部署。 ### Related Stocks - [159516.CN - 国泰中证半导体材料设备主题ETF](https://longbridge.com/zh-CN/quote/159516.CN.md) - [512480.CN - 国联安半导体ETF](https://longbridge.com/zh-CN/quote/512480.CN.md) - [512760.CN - 国泰CES半导体芯片行业ETF](https://longbridge.com/zh-CN/quote/512760.CN.md) - [588780.CN - 国联安科创芯片设计ETF](https://longbridge.com/zh-CN/quote/588780.CN.md) - [07709.HK - 南方两倍做多海力士](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07709.HK.md) - [588170.CN - 华夏上证科创板半导体材料设备主题ETF](https://longbridge.com/zh-CN/quote/588170.CN.md) ## Related News & Research | Title | Description | URL | |-------|-------------|-----| | 在高帶寬閃存中重新設計的 NAND 以補充高帶寬內存（HBM） | 在人工智能時代，SK 海力士推出了高帶寬閃存（HBF）技術，該技術結合了多個層次的 NAND 芯片，以增強人工智能推理的內存容量和性能。HBF 堆疊了 3D NAND 陣列，以提高並行輸入/輸出性能，補充高帶寬內存（HBM）。一種同時具備 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/276043847.md) | | 關鍵事實：SK 海力士預測 2026 年第一季度將有強勁的盈利表現；AI 內存供應緊張 | SK 海力士預計將在 2026 年第一季度報告強勁的收益，野村證券預測 DRAM 價格將上漲 90%，NAND 價格將上漲 60%，這將提升利潤預期。SK 海力士是 HBM3E 和 HBM4 產品的主要供應商，由於對 AI 內存的高需求，預 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/275875207.md) | | 彤程新材在中國推動半導體自給自足的背景下，加速擴展其芯片化學品業務 | 彤程新材正在加速擴展半導體材料業務，以響應中國在芯片領域自給自足的推動。該公司已在香港申請進行二次上市，以支持這一增長，目前電子材料已佔其收入的 27.8%。彤程新材成立於 1999 年，已從橡膠添加劑轉型為芯片生產的先進材料。儘管最近經歷 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/275903783.md) | | 中芯國際在創紀錄的業績與利潤壓力風險之間進行權衡 | 中芯國際（SEHK:981）報告稱，2025 年年收入和季度利潤創下紀錄，得益於強勁的芯片需求和本地化努力。然而，公司預計由於產能擴張帶來的折舊成本上升，2026 年將面臨利潤壓力。儘管過去一年股價上漲了 54.4%，但截至目前股價已下跌 | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/275899666.md) | | 三星稱其是首家出貨 HBM4 的公司，而就在一天前，美光科技也公佈了其銷售情況 | 三星和美光都已開始出貨 HBM4 內存，這對於下一代人工智能硬件至關重要。三星聲稱是首家大規模生產和出貨 HBM4 的公司，速度高達 13Gbps，帶寬為 3.3TB/s。它預測到 2026 年 HBM 銷售將增長三倍。美光也宣佈其 HBM | [Link](https://longbridge.com/zh-CN/news/275846425.md) | --- > **免责声明**：本文内容仅供参考，不构成任何投资建议。