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title: "LPDDR 6 时代来临！AI 需求太猛，下一代 DRAM 将比预期更快进入市场"
description: "LPDDR6 性能较前代提升 1.5 倍，最快下半年正式商用，英伟达、三星及高通等巨头正积极布局。目前多数 HPC 半导体设计企业考虑并行搭载 LPDDR5X 及 LPDDR6 IP，特别是在 4 纳米及以下先进制程芯片的设计中，需求出现得比预期更快。"
type: "news"
locale: "zh-CN"
url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/276431575.md"
published_at: "2026-02-20T10:13:50.000Z"
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# LPDDR 6 时代来临！AI 需求太猛，下一代 DRAM 将比预期更快进入市场

> LPDDR6 性能较前代提升 1.5 倍，最快下半年正式商用，英伟达、三星及高通等巨头正积极布局。目前多数 HPC 半导体设计企业考虑并行搭载 LPDDR5X 及 LPDDR6 IP，特别是在 4 纳米及以下先进制程芯片的设计中，需求出现得比预期更快。

**下一代低功耗 DRAM（LPDDR6）正在以超出预期的速度进入市场。**受服务器及 AI 领域对高性能、高效率 DRAM 需求急剧上升的推动，这一新标准的商用化进程正在提速。

多家尖端半导体设计企业目前正在讨论**同时采用 LPDDR5X 与 LPDDR6 IP（设计资产）的方案**。三星电子和高通等移动应用处理器（AP）设计企业也计划从下一代产品开始支持 LPDDR6。

这一转变的核心驱动力来自 AI 应用的爆发式增长。无论是搭载端侧 AI 的智能手机，还是需要持续处理海量数据的 AI 数据中心，都对 DRAM 性能提出了更高要求。**英伟达等全球科技巨头也在积极推进 LPDDR 产品的采购。**

据 Zdnet 援引业内人士透露，目前**超过半数的高性能半导体设计企业正在考虑并行搭载 LPDDR5X 及 LPDDR6 IP，特别是在 4 纳米及以下先进制程芯片的设计中，需求出现得比预期更快。**

## **AI 应用推动需求激增**

LPDDR6 加速导入的最大驱动因素是 AI。作为 LPDDR 传统主要应用领域的智能手机，**随着端侧 AI 的搭载，对更高性能 LPDDR 产品的需求日益迫切。**

三星电子、高通等移动 AP 开发企业因此计划在下一代芯片中搭载 LPDDR6 IP。

与此同时，需要持续处理海量数据的 AI 数据中心的兴起，使**服务器领域对高性能 LPDDR 的需求也在急剧增长**。英伟达等全球科技巨头正积极推进 LPDDR 产品的供应。

## **性能提升 1.5 倍，商用化最快下半年**

**LPDDR6 的性能规格较上一代产品实现显著跃升。**这一代产品的带宽可达 10.6Gbps 至 14.4Gbps，而上一代 LPDDR5X 的带宽范围为 8.5Gbps 至最高 10.7Gbps，**性能提升约 1.5 倍。**

尽管基础标准已经确立，但 LPDDR6 的全面商用化仍需时间准备。物理层（PHY）、控制器、接口 IP 等配套设施尚未完全就绪，**预计最快要到今年下半年才能正式商用。**

目前 LPDDR6 实际可实现约 12.8Gbps 的性能，到明年有望将性能提升至 14.4Gbps。为此，国内外主要企业正在全力推进 IP 开发。

## **先进制程芯片率先采用**

LPDDR 是相较于通用 DDR 更强调能效的 DRAM 标准。目前第 7 代 LPDDR5X 已实现商用，LPDDR6 作为下一代标准在去年 7 月完成制定。

尽管配套设施尚未完全成熟，但**相当数量的 AI 及高性能计算（HPC）半导体设计企业已在推进 LPDDR6 的搭载计划**。这些企业的策略是先搭载 LPDDR5X，待 LPDDR6 实现大规模量产后再进行性能升级。

据 Zdnet 援引业内人士透露，目前超过半数高性能半导体设计企业正在考虑并行搭载 LPDDR5X 及 LPDDR6 IP 的方案。特别是在**4 纳米及以下先进制程芯片的设计企业中，需求出现的速度超出预期。**

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