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title: "Navitas 展示了用于人工智能数据中心、电网和能源基础设施、高性能计算以及工业电气化的解决方案"
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description: "Navitas Semiconductor Corp 正在德克萨斯州圣安东尼奥的 IEEE 应用电力电子会议（APEC 2026）上展示其最新创新。该公司展出了用于人工智能数据中心、高性能计算、能源基础设施和工业电气化的解决方案，包括一个 10kW 氮化镓（GaN）驱动的 DC-DC 平台和一个 12kW 人工智能数据中心电源。Navitas 还展示了超高压碳化硅（SiC）功率模块和高效的氮化镓（GaN）电机控制解决方案。演讲环节将涵盖 SiC 性能和用于人工智能数据中心的 GaN 集成电路的最新进展"
datetime: "2026-03-02T09:17:19.000Z"
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# Navitas 展示了用于人工智能数据中心、电网和能源基础设施、高性能计算以及工业电气化的解决方案

新闻：微电子

Navitas 展示 AI 数据中心、能源基础设施、性能计算和工业电气化的解决方案

在美国德克萨斯州圣安东尼奥举行的 IEEE 应用电力电子会议（APEC 2026）上，Navitas Semiconductor Corp（位于加利福尼亚州托伦斯）展示了其最新的 AI 数据中心、性能计算、能源和电网基础设施以及工业电气化的创新，展位号为#2027。该公司提供 GaNFast 氮化镓（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半导体。

Navitas 推出了 10kW 的 ‘氮化镓驱动’800V 至 50V 直流 - 直流平台，采用 650V 和 100V GaNFast FETs，采用三电平半桥架构和同步整流，提供 98.5% 的峰值效率。该全砖封装设计平台实现了 2.1kW/in3 的功率密度，并支持±400VDC 标准，适用于 AI 数据中心。此外，Navitas 还展示了一款 12kW 的 AI 数据中心电源，利用 IntelliWeave 数字控制实现了声称无与伦比的效率、功率密度和性能，以及一款 8.5kW 的 OCP 电源和 4.5kW 的 CRPS 电源。

针对下一代固态变压器（SST）应用，Navitas 展示了其最新的 SiCPAK 功率模块，满足行业领先的效率要求——从中压电网（13.8kVAC 至 34.5kVAC）转换到 800VDC 或 1500VDC，适用于 AI 数据中心和先进的能源基础设施，转换效率超过 98%。该产品组合包括超高压（UHV）3300V 和 2300V 解决方案，以及 1200V 高压选项，提供声称的突破性性能、可扩展性和可靠性，适用于关键任务电力系统。新发布的用于动态表征 UHV SiCPAK 功率模块的栅极驱动器评估板也在展出。

为了推动 AI 驱动的高性能计算的未来，Navitas 首次推出基于其最新 GaNFast IC 创新的超紧凑型 240W 和 300W 电源解决方案，以实现卓越的效率和功率密度。Navitas 还展示了高效率的基于氮化镓的电机控制解决方案，功率范围从 400W 到 1kW，适用于先进的工业应用。

Navitas 在 APEC 的演讲环节包括：

-   3 月 24 日（上午 8:55–9:20 CT，地点：IS01.2）‘通过先进的功率器件和封装技术最大化 MVHV SiC 性能和可靠性，以满足关键能源基础设施应用’ 由 Sumit Jadav 主讲；
-   3 月 25 日（上午 11:05–11:30 CT，地点：IS07.6）‘高功率 GaN IC 在 800V AI 数据中心直流 - 直流砖解决方案中提供领先的效率和功率密度’ 由 GaN 业务部门副总裁兼总经理 Llew Vaughan-Edmunds 主讲；
-   3 月 26 日（上午 11:35–11:50 CT，地点：IS27.4）‘由 GaN 双向开关启用的单级功率转换器’ 由 Llew Vaughan-Edmunds 主讲。

Navitas 推出第五代 SiC 沟槽辅助平面 MOSFET 技术

Navitas 正在采样 3300V 和 2300V 超高压碳化硅产品组合

SiC 功率 MOSFET

www.navitassemi.com

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