--- title: "时隔一个月再度飙升，报道：三星电子 Q1 DRAM 价格涨幅从 70% 上调至 100%" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/277777735.md" description: "三星电子一季度 DRAM 价格涨幅最终敲定在 100% 以上，较一个月前谈判的 70% 水平再度扩大约 30 个百分点。据韩媒报道，部分海外客户已完成付款，供货谈判周期已从年度压缩至季度乃至月度。本轮涨价源于 AI 投资热潮下 HBM 产能挤占，导致通用 DRAM 供给受限，而需求持续旺盛。SK 海力士与美光跟进同等涨幅，三大厂商集体提价格局确立，涨势预计延续至二季度。" datetime: "2026-03-04T12:53:28.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/277777735.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/277777735.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/277777735.md) --- > 支持的语言: [English](https://longbridge.com/en/news/277777735.md) | [繁體中文](https://longbridge.com/zh-HK/news/277777735.md) # 时隔一个月再度飙升，报道：三星电子 Q1 DRAM 价格涨幅从 70% 上调至 100% AI 基础设施投资热潮持续升温，全球内存市场供需失衡加剧，三星电子一季度 DRAM 价格涨幅最终确定在 100% 以上，较一个月前谈判结果再度上调。 3 月 4 日，据韩国电子新闻，三星电子已于上月与主要客户完成一季度 DRAM 供货价格的最终谈判，服务器、PC 及移动端通用 DRAM 均价较上季度上涨约 100%，价格较去年四季度翻倍，部分客户及产品的涨幅甚至超过 100%。 该报道援引业内知情人士透露，谈判已全面收尾，部分海外客户已完成付款。**这一涨幅较今年 1 月协商的 70% 水平，在短短一个月内再度扩大约 30 个百分点。** 价格的快速攀升正在重塑内存行业的合同惯例。**供货谈判周期已从传统的年度合同压缩至季度合同，如今甚至需要按月调整，折射出市场供需失衡的严峻程度。** ## HBM 挤占产能，通用 DRAM 供给受限 此轮 DRAM 价格急涨的核心驱动力，源自 AI 基础设施投资的全球性扩张。**随着数据中心运营商大规模部署 AI 芯片，支撑算力运行的高带宽内存（HBM）需求急剧攀升。**三星电子、SK 海力士及美光纷纷将产能向 HBM 倾斜，导致面向服务器、PC 及移动终端的通用 DRAM 供给受到明显挤压。 **供给收缩的同时，需求端热度不减。**AI 服务器、AI PC 及 AI 智能手机等终端产品需求持续旺盛，供需缺口不断扩大，推动价格持续走高。据报道，**部分海外科技巨头为锁定供货量，已专程赴韩与三星电子等内存厂商展开直接接洽**，进一步加剧了市场紧张预期。 ## SK 海力士与美光涨幅相近 此轮涨价并非三星电子单独行动。据报道援引业内人士，**SK 海力士与美光同样以相近幅度完成一季度供货合同谈判**，三大内存厂商集体提价的格局已基本成型。 回溯今年 1 月，三星电子 DRAM 季度合约价涨幅约 70%，NAND 涨幅约 100%，彼时已引发市场广泛关注。而此次 DRAM 涨幅进一步扩大至 100% 以上，表明**在持续博弈过程中，需求增速持续超出供给扩张节奏，迫使价格中枢再度上移。** ## 涨势料延续至二季度 市场对内存价格的上行预期依旧强烈。报道援引研究机构 Gartner 预测，今年 DRAM 与固态硬盘（SSD）价格合计将较上年上涨约 130%。英伟达上月 25 日交出历史最佳业绩答卷，进一步打消外界对 AI 泡沫的疑虑，为内存需求的持续扩张提供有力支撑。 据报道援引业内人士，**二季度 DRAM 与 NAND 价格仍将延续涨势，涨势或有所放缓，但价格上行本身已是不可逆转的趋势**。对于下游客户而言，内存采购成本的持续攀升，将进一步推高服务器及终端设备的整体成本结构。 ### 相关股票 - [三星电子 (SSNGY.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SSNGY.US.md) - [动态半导体 ETF - Invesco (PSI.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/PSI.US.md) - [半导体 3 倍做多 - Direxion (SOXL.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXL.US.md) - [半导体 ETF - VanEck Vectors (SMH.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMH.US.md) - [Invesco PHLX Semiconductor ETF (SOXQ.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXQ.US.md) - [标普半导体 ETF - SPDR (XSD.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/XSD.US.md) - [费城交易所 半导体 ETF - iShares (SOXX.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXX.US.md) ## 相关资讯与研究 - [三星电子第四季度 DRAM 市占率重夺第一](https://longbridge.com/zh-CN/news/277004034.md) - [消息称三星电子 1c nm 制程 DRAM 内存良率达 80%，HBM4 良率接近六成](https://longbridge.com/zh-CN/news/276716515.md) - [黄仁勋说，要有光](https://longbridge.com/zh-CN/news/277763247.md) - [闪迪、SK 海力士携手正式启动高带宽闪存 (HBF) 标准化进程](https://longbridge.com/zh-CN/news/276993186.md) - [存储芯片紧缺冲击智能手机](https://longbridge.com/zh-CN/news/277205328.md)