--- title: "BE Semiconductor 因对 HBM 标准变更的担忧而股价下跌" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/278155382.md" description: "BE 半导体工业（BESI）在阿姆斯特丹的股价下跌了 19.08%，原因是人们对其高带宽内存（HBM）混合键合技术的采用产生了担忧。一份报告指出，包括三星和 SK 海力士在内的内存芯片制造商正在考虑提高未来 HBM 标准的封装厚度限制，这可能会推迟向混合键合的过渡。分析师 Michael Roeg 指出，放宽高度标准可能会延长现有技术的使用。首席执行官 Richard Blickman 强调，2026 年是 HBM 堆叠中混合键合采用的关键年份" datetime: "2026-03-06T19:04:05.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/278155382.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/278155382.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/278155382.md) --- # BE Semiconductor 因对 HBM 标准变更的担忧而股价下跌 BE Semiconductor Industries (BESI) 的股票在阿姆斯特丹交易中盘中下跌了 19.08%，原因是有报告指出内存芯片制造商可能会推迟采用该公司的混合键合技术用于高带宽内存 (HBM)。 此次抛售紧随韩国科技媒体 ZDNet Korea 的一份报告，该报告引用了 JEDEC 成员之间的讨论，包括三星电子和 SK 海力士，讨论提高下一代高带宽内存芯片的封装厚度限制。根据报告，目前的 HBM4 标准为 775 微米，行业参与者正在考虑未来几代产品的范围为 825 到 900 微米或更高，包括 HBM4E 和 HBM5，这可能需要 20 层 DRAM 堆叠。 混合键合是用于连接先进封装中堆叠半导体层的关键技术，使 AI 重点内存解决方案的性能和效率更高。根据 Degroof Petercam 分析师 Michael Roeg 的说法，放宽高度标准可能允许 DRAM 生产商在过渡到混合键合之前，继续使用现有技术更长时间。在其 2 月的财报电话会议上，首席执行官 Richard Blickman 表示，2026 年将是 “理解 HBM 堆叠中混合键合采用情况的非常重要的一年”，并指出三星最近分享的路线图是一个关键信号。 ### 相关股票 - [LSCC.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/LSCC.US.md) - [PSI.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/PSI.US.md) - [ON.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/ON.US.md) - [FTXL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/FTXL.US.md) - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SSNGY.US.md) - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMH.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXL.US.md) - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/XSD.US.md) ## 相关资讯与研究 - [融资 100 亿美元，SK 海力士赴美上市，股价一年涨了 3.6 倍](https://longbridge.com/zh-CN/news/282629922.md) - [存储新纪元？HBF 商业化冲刺：闪迪拟下半年建试点线，明年量产](https://longbridge.com/zh-CN/news/282508390.md) - [国金证券：CoWoS 迈入新阶段 SIC 有望进入产业放量期](https://longbridge.com/zh-CN/news/282491972.md) - [一年 30 倍牛股，布局 AI 存储前沿技术](https://longbridge.com/zh-CN/news/282498123.md) - [东方证券：AI 存储需求强劲 关注 CXL 内存池方案进展](https://longbridge.com/zh-CN/news/282626826.md)