--- title: "摩根大通韩国大会上,SK 海力士:内存上行周期预计将比预期更长" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/278312222.md" description: "摩根大通在韩国大会上发布研报,维持对 SK 海力士的增持评级,目标价为 125 万韩元,较当前股价隐含约 35% 的上行空间。SK 海力士管理层表示,内存上行周期将超出市场预期,供需缺口严重,HBM 业务保持强劲,股东回报力度加大。定制化内存解决方案的崛起和 AI 推理需求的扩展将推动内存需求增长。投资者对长期供货协议及周期持续性表现出浓厚兴趣。" datetime: "2026-03-09T02:48:51.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/278312222.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/278312222.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/278312222.md) --- > 支持的语言: [English](https://longbridge.com/en/news/278312222.md) | [繁體中文](https://longbridge.com/zh-HK/news/278312222.md) # 摩根大通韩国大会上,SK 海力士:内存上行周期预计将比预期更长 据追风交易台,摩根大通于 2026 年 3 月 8 日发布研报,记录了 SK 海力士管理层在摩根大通韩国大会上的核心表态。摩根大通维持对 SK 海力士的增持评级,目标价为 125 万韩元,较当前股价(92.6 万韩元)隐含约 35% 的上行空间。 对投资者而言,本次大会传递出以下几个关键信号: > - 内存上行周期持续时间将超出市场预期,供需缺口在 DRAM 和 NAND 两端均十分严峻; > - HBM 业务保持强劲领导地位,HBM4 量产时间表未变,盈利能力目标维持与去年持平; > - 龙头厂商战略重心转向"工厂优先",约 22 万亿韩元的基础设施资本开支计划彰显长期扩产决心; > - 股东回报力度加大,公司已于 2026 年 1 月宣布 1 万亿韩元特别股息及库存股注销计划,释放积极信号。 ## 上行周期持续时间将超预期 SK 海力士管理层在大会上系统阐述了内存上行周期有望延续更长时间的多重驱动因素: 1. 定制化内存解决方案的崛起:以 HBM(高带宽内存)为代表的定制化产品正在重塑内存市场格局; 2. HBM 带来的晶圆与供给经济学变化:由于"晶圆到芯片损耗"(wafer-to-die penalty)概念的存在,HBM 消耗了更大比例的产能; 3. AI 推理需求向传统 DRAM/NAND 延伸:AI 应用场景的扩展正在将内存需求从高端 HBM 向常规 DRAM 和 NAND 拓展。 在供需层面,管理层明确表示,DRAM 和 NAND 两端均面临严重的供需缺口,价格上涨趋势预计在可预见的未来将持续。**目前供应商及渠道客户的库存均低于平均水平**,出货量比特增长与产量比特增长基本持平。 ## 投资者高度关注长期协议(LTA)与周期持续性 本次大会上,投资者对长期供货协议(LTA)及周期持续性表现出浓厚兴趣。管理层将当前内存行业定性为**商业模式转型阶段**,并将维持内存上行周期视为首要战略优先级。 在 LTA 框架方面,管理层强调: - 更具约束力的双边协议对于提升收入和现金流可见性至关重要; - 关键考量因素包括锁定供货量以及价格区间,以确保供货合同的可预期性; - LTA 通常为多年期协议(超过三年); - 摩根大通判断,SK 海力士正采取更为均衡的 LTA 策略,在 B2B 与 B2C 客户结构之间寻求平衡,同时保持相对保守的定价策略。 ## HBM 龙头地位稳固,资本回报更为积极 SK 海力士重申了今年整体 HBM 业务计划,**HBM4 量产爬坡时间表保持不变**(摩根大通预计 HBM4 比特出货量将在 2026 年第三季度实现交叉)。 公司对维持 HBM 业务领导地位展现出强烈信心,主要依托:与生态系统合作伙伴的深度协作,包括与一家领先晶圆代工厂商在逻辑芯片设计与制造方面的合作;清晰的技术路线图可见性。 在定价方面,SK 海力士重申 HBM 比特出货量和定价均按年度谈判,目标是维持与去年相近的盈利水平。尽管 D5/LPD5 价格自 2025 年第四季度以来出现大幅反弹,**公司认为 2026 年合同量几乎不存在重新议价的可能性**。 此外,SK 海力士展示了更进取的股东回报立场。在确立了首要实现净现金头寸的目标后,公司保持了提前分配额外股东回报的灵活性。这无疑释放了一个强烈的积极信号——管理层对本轮内存周期的强度和长度充满信心,拥有比以往周期更清晰的现金流可见度。 ## DRAM 产能规划:工厂优先战略,龙仁基地分阶段推进 SK 海力士进一步披露了其约**22 万亿韩元基础设施资本开支计划**背后的战略逻辑,核心是"工厂优先"(fab first)策略。 具体规划如下: - 龙仁(Yong-in)1 号厂第一阶段量产时间表提前三个月,公司正专注于基础设施建设和洁净室设施,以确保产能扩张的灵活性; - 龙仁 1 号厂剩余的第 2 至第 6 阶段将在 2028 年至 2030 年间逐步就绪; - 管理层透露的龙仁厂设计产能高于摩根大通此前预估的 27 万至 35 万片/月(WSPM)区间,实际产能建设规模可能因存储楼设计及 1dnm 制程部署时间表而有所不同。 \~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 以上精彩内容来自追风交易台。 更详细的解读,包括实时解读、一线研究等内容,请加入【**追风交易台▪年度会员**】 风险提示及免责条款 市场有风险,投资需谨慎。本文不构成个人投资建议,也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资,责任自负。 ### 相关股票 - [华夏上证科创板半导体材料设备主题ETF (588170.CN)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/588170.CN.md) - [国联安半导体ETF (512480.CN)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/512480.CN.md) - [国联安科创芯片设计ETF (588780.CN)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/588780.CN.md) - [南方两倍做多海力士 (07709.HK)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07709.HK.md) - [国泰中证全指集成电路ETF (159546.CN)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/159546.CN.md) - [三力士 (002224.CN)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/002224.CN.md) - [国泰中证半导体材料设备主题ETF (159516.CN)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/159516.CN.md) - [国泰CES半导体芯片行业ETF (512760.CN)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/512760.CN.md) ## 相关资讯与研究 - [AI 芯片及系统架构研发商昉擎科技完成 10 亿元 Pre-A 轮融资](https://longbridge.com/zh-CN/news/278319479.md) - [珂玛科技筹划收购霍克海默 其专注于半导体零部件加工、电镀等表面处理领域](https://longbridge.com/zh-CN/news/278373911.md) - [东方财富证券:算力瓶颈加速突破 HBM4 开启高端存储新一轮周期](https://longbridge.com/zh-CN/news/277893844.md) - [SK 会长崔泰源警告:AI 正在吞噬一切,今年千亿美元利润或瞬间变巨亏](https://longbridge.com/zh-CN/news/276526102.md) - [理解市场 | 晶门半导体跌超 6% 预计去年溢利同比减少约 60% 至 65%](https://longbridge.com/zh-CN/news/278344158.md)