--- title: "三星和 SK 海力士被选为英伟达 Rubin HBM4 供应商，预计三月开始出货" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/278355147.md" description: "英伟达下一代 AI 王牌 Vera Rubin 的内存争夺战已然打响——三星与 SK 海力士双双入围 HBM4 供应商名单，最快本月启动量产。技术门槛上，英伟达提出超行业标准 25% 的 10Gb/s 传输速率要求，三星已率先通过双级认证抢得先机，SK 海力士仍在追赶。" datetime: "2026-03-09T08:26:11.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/278355147.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/278355147.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/278355147.md) --- > 支持的语言: [English](https://longbridge.com/en/news/278355147.md) | [繁體中文](https://longbridge.com/zh-HK/news/278355147.md) # 三星和 SK 海力士被选为英伟达 Rubin HBM4 供应商，预计三月开始出货 英伟达下一代 AI 加速器 Vera Rubin 的高带宽内存供应格局正在成形，三星电子和 SK 海力士双双入选 HBM4 供应商名单，出货时间窗口或已开启。 周一，据根据集邦咨询 TrendForce 援引韩国《韩国经济》业内消息人士，**两家韩国存储巨头已被纳入英伟达 Vera Rubin 的零部件供应商名单。由于 HBM4 从 DRAM 晶圆到最终封装的生产周期超过六个月，两家公司预计最快本月启动量产**。这一时间节点恰好与英伟达下周举行的 GTC 大会高度重合，市场对 Vera Rubin 的 HBM4 供应动向高度关注。 在供应份额方面，消息人士预计 SK 海力士将承接英伟达 2026 年包括 HBM3E 在内逾半数的 HBM 总供应量，而三星则有望主导专供 Vera Rubin 的 HBM4 业务。 根据集邦咨询 TrendForce 预测，SK 海力士仍将以 50% 的全球 HBM 比特产出份额领跑行业，但较 2025 年的 59% 有所下滑；三星的份额则从 20% 攀升至 28%，追赶态势明显。 ## 技术门槛：英伟达提出超规格性能要求 此次 HBM4 供应竞争的核心分水岭在于数据传输速率。据《韩国经济》，英伟达对 Vera Rubin 所用 HBM4 提出了超过 10Gb/s 的数据速率要求，远高于 JEDEC 行业标准设定的 8Gb/s 上限。 在资质认证进展上，三星已实际通过英伟达 HBM4 的两级资质测试——分别对应 10Gb/s 和 11Gb/s 数据速率。相比之下，SK 海力士目前仍在对产品进行优化，以通过 11Gb/s 的更高级别测试。**分析人士指出，HBM4 的数据处理速度或将成为两家供应商之间的关键差异化因素。** 在产品规格层面，**HBM4 采用 8 至 16 层 DRAM 芯片堆叠于控制基底的架构。**英伟达 Vera Rubin 预计将搭载 16 个 HBM4 堆栈，实现 576GB 的总容量，超越 AMD 即将推出的 MI450 所支持的 432GB 上限，在旗舰 AI 加速器的内存规格竞争中占据优势。 ## 供应商格局：美光定位中端，SK 集团高层亲赴 GTC 在三家主要 HBM 供应商中，美光的定位有所不同。据《韩国经济》报道，**美光并未完全退出 HBM4 市场，预计将为面向推理场景的中端 AI 加速器（如 Rubin CPX）提供 HBM4，而非旗舰版 Vera Rubin。** 值得关注的是，SK 集团会长崔泰源（Chey Tae-won）将首次亲自出席英伟达 GTC 大会。业内消息人士称，此次亲赴现场凸显 SK 集团的高度重视，崔泰源将直接参与监督 SK 海力士的供货进度安排与谈判事宜。 在出货进展上，三星电子已于今年 2 月启动 HBM4 出货，而 SK 海力士目前尚未宣布交付计划，两者之间的时间差引发市场关注。 ## 三星的筹码：普通 DRAM 涨价重塑供应商议价格局 普通 DRAM 价格的大幅上涨正在改变 HBM 供应商的战略考量，并为三星提供了额外的谈判筹码。集邦咨询指出，自 2025 年第四季度以来，普通 DRAM 价格急剧攀升，HBM 在盈利能力上的历史优势正在收窄，存储厂商因此开始重新调整 HBM 与普通 DRAM 之间的产能分配，以平衡整体营收增长与客户承诺。 在此背景下，英伟达过度依赖单一供应商的风险愈发凸显——一旦供应商将产能向普通 DRAM 倾斜，Rubin 平台的量产爬坡进度将面临制约。 服务器级普通 DRAM 模组（如 SOCAMM2）目前每 Gb 售价约为 1.3 美元，已接近英伟达旗舰 HBM3E 的价格水平。这意味着，对三星而言，生产无需昂贵堆叠工艺的普通 DRAM，在利润率上未必逊于 HBM4。正因如此，同时掌握 HBM4 与普通 DRAM 产能的三星，得以向英伟达提出多元化的议价选项，在供应谈判中占据更为主动的位置。 ### 相关股票 - [英伟达 (NVDA.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDA.US.md) - [三星电子 (SSNGY.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SSNGY.US.md) - [半导体 3 倍做多 - Direxion (SOXL.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXL.US.md) - [高科技指数 ETF - SPDR (XLK.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/XLK.US.md) - [2 倍做多英伟达 ETF - GraniteShares (NVDL.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDL.US.md) - [动态半导体 ETF - Invesco (PSI.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/PSI.US.md) - [2 倍做多英伟达 ETF - Direxion (NVDU.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDU.US.md) - [纳斯达克半导体 ETF - First Trust (FTXL.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/FTXL.US.md) - [半导体 ETF - VanEck Vectors (SMH.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMH.US.md) - [2 倍做多 NVDA ETF - T-Rex (NVDX.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDX.US.md) - [标普半导体 ETF - SPDR (XSD.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/XSD.US.md) - [2 倍做空 NVDA ETF - T-Rex (NVDQ.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDQ.US.md) - [费城交易所 半导体 ETF - iShares (SOXX.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXX.US.md) - [南方两倍做多英伟达 (07788.HK)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07788.HK.md) - [南方两倍做空英伟达 (07388.HK)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07388.HK.md) - [英伟达期权收益策略 ETF - YieldMax (NVDY.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDY.US.md) - [1 倍做空英伟达 ETF - Direxion (NVDD.US)](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDD.US.md) ## 相关资讯与研究 - [三星工会拟 5 月发动 18 日大罢工](https://longbridge.com/zh-CN/news/278334158.md) - [伊朗战争危及海湾地区 3000 亿美元人工智能投资](https://longbridge.com/zh-CN/news/278361563.md) - [英伟达为 “光” 豪掷千金：锁定 Lumentum 和 Coherent 稀缺磷化铟器件产能](https://longbridge.com/zh-CN/news/278399814.md) - [三星电子：2nm 良率爬坡好于预期，泰勒晶圆厂预计年底完成首批流片](https://longbridge.com/zh-CN/news/278340042.md) - [三星员工将投票决定是否进行 18 天的罢工](https://longbridge.com/zh-CN/news/278256595.md)