--- title: "《大行》高盛料三星电子今年经营溢利暴升逾 5 倍 上调目标价及盈测 评级「买入」" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/278810799.md" description: "高盛上调三星电子目标价至 260,000 韩圜,评级为「买入」。预计三星电子今年经营溢利将暴增逾 5 倍,达到 239 万亿韩圜,主要受益于 DRAM 和 NAND 闪存价格上涨。高盛预测常规 DRAM 涨价 251%,NAND 闪存涨价 164%。此外,HBM 收入预计将增长 158% 至 150 亿美元。2026 至 2028 年每股盈测上调 25% 至 36%。" datetime: "2026-03-12T02:37:56.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/278810799.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/278810799.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/278810799.md) --- # 《大行》高盛料三星电子今年经营溢利暴升逾 5 倍 上调目标价及盈测 评级「买入」 高盛发表报告,上调南韩三星电子 (005930.KS) 目标价,由原先 205,000 韩圜上调至 260,000 韩圜,评级「买入」。该行指三星电子短期记忆体基本面完好,更高的研发开支及 AI/伺服器敞口为维持长期领导地位奠定基础。高盛亦上调三星电子今年经营溢利预测,由原预期的 181 万亿韩圜,升至 239 万亿韩圜,反映 DRAM(动态随机存取记忆体)/NAND 闪存价格预测获大幅上调。 高盛现预期常规 DRAM 今年涨价 251%,NAND 闪存料涨价 164%。叠加 HBM 收入料按年升 158% 至 150 亿美元 (受 Google TPU 布局及向英伟达供应 HBM4 占比扩张),高盛料三星电子今年经营溢利按年飙升逾 5 倍,股本回报率 (ROE) 料达 37% 创历史高。高盛对三星电子 2026 至 28 年每股盈测上调介乎 25% 至 36%。该股现价相当於 2027 年预测市盈率 7 倍及预测市账率 1.8 倍。 ### 相关股票 - [SMH.UK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMH.UK.md) - [SMSN.UK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMSN.UK.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXL.US.md) - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SSNGY.US.md) - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMH.US.md) - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/XSD.US.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXX.US.md) ## 相关资讯与研究 - [三星电子首次展示 HBM5,押注下一代 AI 存储竞争](https://longbridge.com/zh-CN/news/288374859.md) - [三星在台北国际电脑展上发布下一代 HBM5 架构](https://longbridge.com/zh-CN/news/288399704.md) - [TrendForce:DRAM 持续供不应求 2027 年 HBM 合约价或大幅调高](https://longbridge.com/zh-CN/news/288375942.md) - [美股期权数据亮红灯:上次出现这种信号是 2022 年熊市前夕](https://longbridge.com/zh-CN/news/288380537.md) - [存储三巨头冲破万亿美元市值,长鑫科技上市到底值多少钱?](https://longbridge.com/zh-CN/news/288340321.md)