--- title: "记忆芯片 ETF 在隔夜交易中飙升超过 18%，是否值得投资？" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/282008317.md" description: "Roundhill Memory ETF（DRAM）在隔夜交易中上涨超过 18%，这得益于三星电子的强劲财报和 DRAM 合约价格的上涨。该 ETF 最近推出，专注于那些超过 50% 收入来自内存业务的公司。尽管内存条的现货价格有所下降，但由于微软和谷歌等主要参与者正在谈判长期协议，合约价格预计将显著上涨。该 ETF 的持股包括美光科技和三星，这两家公司共同主导了投资组合" datetime: "2026-04-08T09:05:28.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/282008317.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/282008317.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/282008317.md) --- # 记忆芯片 ETF 在隔夜交易中飙升超过 18%，是否值得投资？ TradingKey - 在 4 月 8 日的美国夜间交易时段，一只上市不足一周的 ETF 突然飙升。Roundhill Memory ETF（代码：DRAM）在夜间交易中一度上涨超过 18%，而其持有的美光科技（MU）上涨 8%，闪迪（SNDK）上涨 7%，西部数据（WDC）上涨 8%，整个存储行业在夜间交易中集体反弹。在前一个交易日，该 ETF 收于 29.16 美元，单日涨幅为 5.04%。上市不足一周，其累计涨幅已超过 11%。 ## 1\. 什么是 DRAM ETF？ 2026 年 4 月 2 日，Roundhill Investments 在美国 Cboe BZX 交易所推出了全球首个纯内存主题 ETF，代码为 DRAM。与通常持有涉及芯片设计、设备制造和代工厂等多家公司的典型半导体 ETF 不同，DRAM ETF 保持严格的选择标准：公司必须从内存业务中获得超过 50% 的收入才能被纳入。 截至 2026 年 4 月 5 日，该 ETF 共持有 9 只股票。前三大持股分别是美光科技（24.63%）、三星电子（24.11%）和 SK 海力士（23.08%），三者合计占投资组合的 70% 以上。其余持股比例为：闪迪（4.90%）、东芝（4.86%）、西部数据（4.77%）、希捷（4.73%）、南亚科技（3.89%）和华邦电子（2.40%）。费用比率为 0.65%，该基金为主动管理，持股每季度重新平衡。 值得注意的是，该 ETF 利用一种名为 “总回报掉期” 的金融工具来持有部分资产，这意味着其实际风险敞口可能超过 100%，使其结构比直接持有股票的标准 ETF 更为复杂。 ## II. 夜间飙升的原因是什么？ 夜间交易的集中反弹并非偶然。在过去 24 小时内，内存供应链释放了三层积极信号，每一层都比上一层更为重要。 **第一层是盈利验证。** 三星电子于 4 月 7 日发布了 2026 年第一季度的盈利指引，营业利润飙升至 57.2 万亿韩元，同比增长 755%，单季度利润已超过整个 2025 财年的水平。收入约为 133 万亿韩元，同比增长 68.1%，这是三星上市以来首次季度收入超过 100 万亿韩元。同一天，A 股内存分销商 Shannon Semiconductor 预测其第一季度归属于股东的净利润将同比增长 6,714% 至 8,747%。整个供应链的盈利能力正在飙升。 **第二层是价格上涨信号的持续增强。** 三星电子已与主要客户敲定了第二季度的定价，DRAM 合约价格在第一季度上涨 100% 后，将再上涨 30%。全球半导体研究公司 TrendForce 提供了更为乐观的预测：整体 DRAM 合约价格预计在第二季度将环比上涨 58% 至 63%，而 NAND 闪存合约价格预计将上涨 70% 至 75%。 **第三层涉及行业规则的深刻变化。** 微软（MSFT）和谷歌（GOOGL）目前正在与 SK 海力士谈判三年的长期 DRAM 供应协议。与传统合同不同，这些协议首次引入了价格底线保障和 10% 至 30% 的预付款机制——买方不再等待市场价格波动寻找便宜货，而是主动提前支付以确保未来的产能。三星也据报道正在与微软和谷歌讨论三至五年的长期供应安排，而美光已确认签署了首个五年的战略客户协议。三大内存制造商同时向长期协议的转变在内存行业历史上是前所未有的。 ## III. 异常现象：现货价格下跌，期货上涨 在夜间交易的狂潮背后，存储市场正经历罕见的分歧：DDR4 现货价格在一天内暴跌超过 30%，32GB 模块从 2100 元降至 1320 元。“内存条价格暴跌” 成为热搜，DDR5 套件在一个月内下跌近 30%。 然而，合约市场则完全相反——2026 年第一季度 DRAM 合约价格预计环比飙升 90% 至 95%，第二季度的涨价已锁定。 **为何会出现这种分歧？** - **现货市场**：服务于中小企业和分销渠道，该市场规模小且波动性大。在过去一年中，某些规格的价格飙升超过 1,900%，而大量库存现在正以恐慌的方式释放；直接触发因素是谷歌的 “TurboQuant” 算法论文，声称内存压缩效率提高了六倍。 - **合约市场**：占总交易量的 90% 以上，服务于顶级云服务提供商和电子制造商，该市场使用反映真实供需的季度定价。受 AI 数据中心繁荣的推动，八大云服务提供商的资本支出预计在 2026 年将超过 6000 亿美元，增长率为 40%；北美云服务提供商通过长期协议支付 50% 至 60% 的溢价以确保 HBM 产能。同时，制造商优先考虑高利润的 HBM 产能，导致消费级供应被动收缩，新的产能预计最早要到 2027 年底才能释放。 ## IV. 投资 DRAM ETF 的关键考虑因素是什么？ 首先是集中风险。前十大持股总计占比超过 70%；因此，美光、三星或 SK 海力士的价格波动将显著影响该 ETF 的净资产值（NAV）。晨星分析师建议，这类主题 ETF 更适合作为投资组合中的 “卫星配置”，持仓比例应保持在较低水平。 其次是地缘政治风险。SK 海力士已向美国证券交易委员会提交上市申请，计划通过美国存托凭证（ADRs）在美国市场上市，募资规模约为 67 亿至 100 亿美元。一旦上市完成，美光将失去作为 “唯一在美上市的 DRAM 公司” 的独特性，这可能引发资本的转移。 第三是行业周期性风险。尽管人工智能正在改变内存行业的运营动态，但其强烈的周期性特征并未完全消失。过度扩产后价格下跌的风险仍然是长期持有者必须面对的不确定性。 ## V. 结论 DRAM ETF 的诞生以及在隔夜交易时段的集中突破，不仅反映了对内存公司的重新估值；它们还标志着在人工智能时代技术供应链权力结构的深刻变化。随着微软和谷歌等科技巨头开始进行预付款以 “确保” DRAM 供应，内存芯片的战略重要性已不再是一个可以忽视的变量。 对于散户投资者而言，该 ETF 更像是一个观察窗口，而非核心持有工具。如果您对人工智能供应链有深入了解，并愿意承担高行业集中风险，它可以作为半导体行业 ETF 的补充。如果您对该领域较为陌生，建议首先关注合同价格趋势、三大制造商的产能规划以及云服务提供商的资本支出趋势——这些变量才是真正决定内存行业发展轨迹的关键。 了解更多 ### 相关股票 - [MU.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MU.US.md) - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SSNGY.US.md) - [DRAM.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/DRAM.US.md) ## 相关资讯与研究 - [存储芯片短缺加剧，紧张格局或延续至 2027 年，芯片 ETF 华夏收涨 0.65%](https://longbridge.com/zh-CN/news/286055563.md) - [DRAM 涨 88%，但这不是普通周期](https://longbridge.com/zh-CN/news/286041598.md) - [AI 芯片赚翻了，三星员工却怒了：要求分 15% 利润，不然停工 18 天](https://longbridge.com/zh-CN/news/285521957.md) - [比特币热潮过后最火爆 ETF 单日净流入突破 10 亿美元](https://longbridge.com/zh-CN/news/285750453.md) - [存储行业最恐怖的状态：你造多少，AI 吃多少](https://longbridge.com/zh-CN/news/285322794.md)