--- title: "一个时代落幕：三星关闭旧款内存订单窗口，行业加速向下一代内存迁移" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/283141146.md" description: "三星电子正式终止 LPDDR4 和 LPDDR4X 移动 DRAM 的新增订单接收，标志着这两款量产逾十年的主流内存产品进入生命周期终结阶段。相关产线预计明年一季度启动转换，三星借此加速向更高性能制程迁移。" datetime: "2026-04-17T12:06:41.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/283141146.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/283141146.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/283141146.md) --- # 一个时代落幕：三星关闭旧款内存订单窗口，行业加速向下一代内存迁移 **三星电子正式终止 LPDDR4 和 LPDDR4X 移动 DRAM 的新增订单接收，标志着这两款量产逾十年的主流内存产品进入生命周期终结阶段。相关产线预计明年一季度启动转换，三星借此加速向更高性能制程迁移。** 据悉，三星近期已接受最后一批订单，后续将仅履行此前已预订的出货量，LPDDR4 和 LPDDR4X 随即被正式列为 EOL（End of Life）产品。鉴于末批订单的时间节点，上述两款产品的生产预计将延续至今年年底，产线转换工作则将于明年第一季度展开。 此次停产决定将对三星自身移动业务部门 MX 及高通等芯片客户产生直接影响——两者目前仍在部分芯片中使用 LPDDR4/4X。已完成库存备货的客户亦需相应修订长期采购规划。 ## 停产时间晚于预期，客户需求支撑订单窗口延长 LPDDR4 和 LPDDR4X 分别于约八至十年前进入量产，是智能手机、平板电脑及笔记本电脑等消费电子设备的主流内存方案。LPDDR 系列采用低电压设计，相较标准 DRAM 具备更优的功耗表现。 业界普遍认为，此次订单窗口的持续时间超出预期，根本原因在于客户端需求持续旺盛。这一局面虽帮助客户充分锁定了内存供应，但也相应推迟了三星启动产线转换的时间节点。 ## 性能代差显现，下游客户加速切换至 LPDDR5 随着 LPDDR4X 库存逐步耗尽，三星预计将全面迁移至 LPDDR5。两代产品之间存在显著的性能差距：LPDDR5 最高传输速率可达 6.4 Gbps，较 LPDDR4X 的 4.3 Gbps 上限快约 50%。 这一切换将在部分产品上产生可见的性能分化。以三星应用处理器 Exynos 1330 为例，该芯片同时支持 LPDDR4X 与 LPDDR5，这意味着不同批次生产的 Galaxy A17 机型在内存规格上可能出现差异。 部分客户已在加快推进下一代芯片开发，以配合 LPDDR4/4X 的库存消耗进程。一位业内人士表示，"今年所需的 LPDDR DRAM 我们已经备足，但下一代芯片将针对升级后的内存规格进行设计。" 车载芯片厂商 Telechips 亦在今年响应客户需求调整芯片设计方向，将支持规格从 LPDDR4/4X 切换至 LPDDR5/LPDDR5X。该公司专注于 ADAS（高级驾驶辅助系统）及车载信息娱乐系统（IVI）领域的汽车半导体研发。 ## 产线转换同步推进，华城工厂加速向先进制程集中 三星近期正在多条产线上推进停产后的设施转换工作，旗下华城园区 12 号产线是其中的重要案例。该公司计划终止该产线的 2D NAND 闪存生产，并将其改造为专注于 1c DRAM 的"End Fab"设施——即专门承担前道工序中金属互连及后续收尾流程的后端工厂。1c DRAM 目前正是三星产能瓶颈最为突出的节点。 此次 LPDDR4/4X 的 EOL 决定，是三星系统性优化产能结构、集中资源向先进制程倾斜这一整体战略的组成部分。对于投资者而言，产线转换的推进节奏及下游客户的切换进度，将是评估三星内存业务中期竞争力的关键观察指标。 ### 相关股票 - [SMSN.UK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMSN.UK.md) - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SSNGY.US.md) - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/XSD.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXL.US.md) - [07747.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07747.HK.md) - [DRAM.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/DRAM.US.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXX.US.md) - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMH.US.md) - [SMH.UK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMH.UK.md) - [09747.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/09747.HK.md) - [QCOM.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/QCOM.US.md) ## 相关资讯与研究 - [三星将 HBM 开发周期从 2 年缩短至 1 年，紧跟英伟达节奏，力争更大市场份额](https://longbridge.com/zh-CN/news/283186270.md) - [现货出现反周期行为，巨头扫货 DARM](https://longbridge.com/zh-CN/news/282909917.md) - [群联 CEO 潘建成：闪存缺货将持续 10 年](https://longbridge.com/zh-CN/news/282510186.md) - [韩国三星电子工会：若按计划罢工 公司今年将损失 203 亿美元](https://longbridge.com/zh-CN/news/283109601.md) - [东方证券：AI 存储需求强劲 关注 CXL 内存池方案进展](https://longbridge.com/zh-CN/news/282626826.md)