我是 LongbridgeAI，我可以总结文章信息。高盛认为，多层陶瓷电容（MLCC）需求 2025-2030 年将增长 4.3 倍，涨价预期上调至 0-5%；味之素堆积薄膜（ABF）基板今年涨幅预期升至 30-35%，供应紧张延续至 2027 年；PCB/CCL 平均售价年增 30% 以上；DRAM/NAND 存储价格预测大幅上调至 250-280% 和 200-250%。
高盛认为，AI 服务器需求的爆发正在将整个电子元器件与材料产业链推入新一轮供需紧缺周期，且紧张程度正在持续加剧。
追风交易台消息，4 月 22 日，高盛 Daiki Takayama 团队发表研报指出，自今年年初以来，由 AI 服务器驱动的需求热潮，正在把年初已经紧张的供应链推向更严重的短缺。
这份报告覆盖了从半导体、被动元件到特种材料的 11 个关键环节，其中五个领域的供需预测发生了显著上修。
从MLCC、ABF 基板、PCB/CCL、存储到磷化铟（InP）衬底，供需缺口在过去四个月内持续扩大，且这一趋势在 2027 年前难以逆转。
MLCC：可能迎来久违的涨价，产能扩张被 “卡脖子”
多层陶瓷电容（MLCC）是本次报告中供需变化最受市场关注的品类之一。
高盛指出，AI 服务器对 MLCC 的需求将从 2025 年至 2030 年增长约 4.3 倍，叠加汽车应用需求持续强劲，整个 MLCC 行业正进入明显的供需收紧阶段。
值得关注的是，即便是智能手机、PC 等需求较弱的客户，也开始主动寻求与 MLCC 厂商签订长期供应合同。
原因并非自身需求旺盛，而是担忧未来在产能被 AI 服务器订单占满后，将难以获得充足供货。这种"防御性抢单"行为本身，正在进一步加剧供需紧张。
在产能方面，高盛认为 MLCC 行业每年产能增长上限约为 10% 多一点，受制于内部设备与材料的制约，扩产速度极为有限。
若这些有限的新增产能主要被 AI 服务器与汽车应用吸收，当前供需紧张格局可能将持续整个周期。
在定价层面，2026 年 4 月中旬中国台湾媒体报道了 MLCC 涨价消息。虽然真实性有待财报季确认，但高盛认为，2026 年同类产品的价格变动率从此前预估持平，上调至 0% 至 5%。
若平均涨价幅度达到 5%，高盛测算这将对相关头部厂商 2027 财年的营业利润，分别带来 13% 和 37% 的上行影响。
ABF 基板：AI 芯片设计规格持续升级，2027 年前供应无望显著扩张
味之素堆积薄膜（ABF）基板是 AI 芯片封装的核心材料。
高盛维持对 ABF 基板未来 18 至 24 个月供需前景的积极判断，驱动力来自两个方向：
- 一是AI 芯片出货量的扩大；
- 二是单颗芯片基板面积和层数的快速升级。
2026 年的价格涨幅预期也从 20-30% 上调至 30-35%。
当前 AI 芯片主流基板设计规格为 75mm×85mm、14/16 层，高盛预测 2027 年将升至 120mm×150mm、20 层以上，至 2030 年进一步升至 200mm×250mm、20 层以上。
尺寸扩大不仅直接降低生产良率，还会增加面板利用损耗，相当于单位产能的实际有效供给在下降。
目前中国台湾主要 ABF 基板厂商的产能已基本被预订至今年底，而高盛预计 ABF 基板供应商在 2027 年下半年之前不会有明显的产能扩张。交货周期延长意味着定价能力持续增强。
PCB/CCL：技术规格持续跃升，AI 服务器拉动平均售价每年上涨 30% 以上
在 AI 服务器对印刷电路板（PCB）和覆铜板（CCL）的需求方面，高盛观察到两条并行的升级路径：
- 一是 CCL 等级的提升：从 2023 年主流的 M7 级，升至 2025 年的 M8 级，预计 2027 年升级至 M9 级；
- 二是 PCB 层数的增加：从 2023 年主流的 22 层，升至 2025 年的 28 层，预计 2027 年将达到 36 层以上。
高盛认为，上述趋势主要由数据传输速度需求与计算性能提升共同驱动，预计 AI CCL/PCB 的平均售价在可预见的未来将保持每年 30% 以上的同比增长。
在供需平衡方面，高盛预计一线 PCB/CCL 供应商产能每年扩张约 20% 至 30%，但这一速度明显慢于 AI 服务器需求增速，此前台积电曾预测增速将达 50% 以上的年复合增长率。
超额需求将溢出至二三线供应商，但根据 2025 年数据，这些低端供应商的生产良率普遍比一线厂商低约 20%，即使发动价格战也难以真正抢占市场份额。
因此，一线 PCB/CCL 供应商将持续享有供需与定价的双重优势。
存储：2026 年供需缺口急剧扩大，高盛将 DRAM/NAND 价格预测大幅上调
存储内存是本次报告中预测调整幅度最大的品类，也是对整个产业链影响最为深远的环节之一。
高盛将2026 年 DRAM 价格涨幅预测从此前的约 150% 大幅上调至 250% 至 +280%；NAND 价格涨幅预测从约 100%上调至 +200% 至 +250%。
供需紧张的三大驱动因素是：
- 服务器应用需求强劲；
- 全行业产能新增有限，且新增产能优先供给高带宽内存（HBM），压缩了传统内存的供给增量；
- 整个行业库存水位极低，进一步限制供给弹性。
更值得警惕的是，高盛已将供需紧张的预期从 2026 年延伸至 2027 年。
此前高盛预计存储供需将于 2027 年恢复平衡，但最新判断认为供给紧张局面在 2027 年难以缓解，整体供需将在 2027 年继续维持偏紧格局。
磷化铟（InP）衬底：AI 光互联核心材料，供需紧张延续，产能扩张需跨越多年
磷化铟（InP）衬底是本次报告中颇受关注的新兴紧缺材料。
高盛预计 2026 年磷化铟衬底的供需紧张格局将持续，并预计价格将上调约 15%。
从扩产动向来看，相关主要供应商已分别于 2025 年 7 月、10 月及 2026 年 2 月多次宣布扩产计划，并持续加码投资。
尽管各方扩产意愿明确，但高盛指出，新产能的实质性落地最早也要到 2028 财年前后才能开始分阶段释放，产能瓶颈在中短期内难以得到根本缓解。
与此同时，业界普遍反映磷化铟基板的市场需求旺盛，来自多家公司的供给均已无法满足下游需求，供不应求的局面预计将延续至下一财年。
晶圆代工：台积电先进制程供不应求将持续至 2027 年及以后
在晶圆代工领域，高盛对台积电的判断是：受持续增长的 AI 推理需求驱动，先进制程供给将至少在 2027 年前保持供不应求的状态。
而当前台积电资本开支周期带来的新增产能预计要到 2028 至 2029 年才能落地。高盛预测台积电 2026 至 2028 年的美元收入将分别同比增长 35%、30% 和 29%。
对于中国大陆晶圆代工厂商，高盛的判断则有所不同。
尽管当前产能利用率处于高位，但中国晶圆代工厂正在持续扩张产能，供需并不紧张。
高盛预计，受高利用率、工业设备终端市场需求回暖、AI 相关产品需求增长、原材料成本上升以及较为健康的竞争格局等因素共同驱动，2026 年中国大陆晶圆代工厂的同类产品价格将上涨约 10%。
综合高盛此次报告的全部判断，对投资者而言，存储价格的大幅上调预期、ABF/BT 基板的持续紧俏、InP 衬底的多年扩产周期，均指向同一个方向——供给端的物理约束将在相当长时间内支撑整个算力硬件产业链的盈利能力与定价权。