--- title: "关于存储，SK 海力士 Q1 释放了什么信号？" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/283903323.md" description: "SK 海力士一季度营收环比大增 60%，营业利润环比近乎翻倍。公司明确表示，供应短缺具有结构性特征，当前的有利定价环境将比以往周期持续更长时间；判断 HBM（高带宽内存）需求在未来三年将远超自身供给能力，并计划 2026 年资本支出大幅提升。" datetime: "2026-04-23T22:49:58.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/283903323.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/283903323.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/283903323.md) --- # 关于存储，SK 海力士 Q1 释放了什么信号？ 第一季度，SK 海力士营收达 52.6 万亿韩元，环比大增 60.2%，营业利润 37.6 万亿韩元，环比接近翻倍，整体业绩与最新市场一致预期基本吻合。 据追风交易台，伯恩斯坦（Bernstein）4 月 23 日报告指出，SK 海力士 2026 年第一季度业绩证明，存储芯片价格强势并非昙花一现。**公司明确表示，供应短缺具有结构性特征，当前的有利定价环境将比以往周期持续更长时间。** 值得关注的是，受铠侠股权重估收益拉动，净利润高达 40.3 万亿韩元，环比飙升 164.6%，显著超出预期。公司指引显示，第二季度 DRAM 和 NAND 出货量均将回升，存储市场景气度有望延续。 展望方面，**SK 海力士判断 HBM（高带宽内存）需求在未来三年将远超自身供给能力，并计划 2026 年全年资本支出较上年大幅提升。** ## **定价强势，公司判断短缺具结构性** SK 海力士第一季度 DRAM 均价环比上涨中 60% 区间，NAND 均价涨幅则达中 70% 区间。对比来看，美光同期 DRAM 均价涨幅同样处于中 60% 区间，NAND 涨幅则在高 70% 区间，两家公司定价走势高度一致。 SK 海力士明确表示，当前存储供应短缺属于结构性问题，客户普遍将确保供应置于压价之上。**公司因此判断，强劲定价环境的持续时间将长于以往周期，现货价格的阶段性回落亦不代表本轮周期已见顶。** 从利润率角度看，这一判断有据可依：第一季度 SK 海力士整体毛利率达 79.3%，DRAM 毛利率升至中 80% 区间，NAND 毛利率亦可能突破 60%，公司整体毛利率水平已明显超越 2017 至 2018 年的历史峰值。 ## **HBM 需求持续旺盛，未来三年供不应求** HBM 业务是本季度 DRAM 收入超预期的核心驱动。 SK 海力士表示，**未来三年 HBM 需求将远超其自身供给能力，公司将在 HBM 与传统 DRAM 之间保持产能的平衡配置。** 在产品路线图上，HBM4 将按客户时间表推进量产，但未披露具体时间节点；HBM4E 已于 2026 年下半年进入客户送样阶段，计划于 2027 年正式量产。 出货量方面，第一季度 DRAM 出货量环比持平，低于伯恩斯坦原本预测中有所增长的判断；NAND 出货量则环比下降约 10%。 **公司指引第二季度 DRAM 出货量将实现高个位数百分比增长，NAND 出货量也将由跌转升，实现环比反弹。** ## **资本支出大幅提升，产能扩张有序推进** **SK 海力士指引 2026 年全年资本支出将较上年显著增加，但未披露具体金额。** 据伯恩斯坦预测，全年资本支出约为 420 亿韩元（约合 420 万亿韩元量级），高于 2025 年的 275 亿韩元。公司表示，支出将重点投向基础设施建设与战略性设备采购。 在具体产能规划上，位于龙仁的第一晶圆厂（Y1）第一期洁净室预计于 2027 年 2 月建成，规划用于 DRAM 生产，整体项目共规划六期。 NAND 方面，SK 海力士正通过技术升级实现产能扩充，计划于 2026 年底前将 50% 的国内产能迁移至 321 层堆叠工艺。 尽管第一季度资本支出环比有所下降，主要受季节性因素影响，但仍明显高于 2025 年大部分季度的水平。 ### 相关股票 - [PSI.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/PSI.US.md) - [FTXL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/FTXL.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXL.US.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXX.US.md) - [512480.CN](https://longbridge.com/zh-CN/quote/512480.CN.md) - [512760.CN](https://longbridge.com/zh-CN/quote/512760.CN.md) - [159546.CN](https://longbridge.com/zh-CN/quote/159546.CN.md) - [07709.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07709.HK.md) - [159516.CN](https://longbridge.com/zh-CN/quote/159516.CN.md) - [DRAM.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/DRAM.US.md) - [AB.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/AB.US.md) - [MU.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MU.US.md) ## 相关资讯与研究 - [关于存储，SK 海力士 Q1 释放了什么信号？](https://longbridge.com/zh-CN/news/283903421.md) - [关于存储，SK 海力士 Q1 释放了什么信号？](https://longbridge.com/zh-CN/news/283904046.md) - [SK 海力士：无可挑剔的财报，永不满足的预期](https://longbridge.com/zh-CN/news/283755625.md) - [SK 海力士 Q1 利润暴涨，伯恩斯坦：存储芯片价格强势并非昙花一现](https://longbridge.com/zh-CN/news/283918158.md) - [东北证券：AI 驱动存储新周期 HBM 涨价预计至少持续到 2027 年](https://longbridge.com/zh-CN/news/283924733.md)