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title: "英飞凌扩展了其 XHP 2 CoolSiC MOSFET 功率模块的产品组合"
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url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/285983234.md"
description: "英飞凌科技股份公司已扩展其 XHP 2 功率模块产品线，推出新的 2300V CoolSiC MOSFET，专为高压电力系统设计。这些模块支持高达 1500V 的直流链接电压，提供从 1mΩ 到 2mΩ 的导通电阻值。利用碳化硅技术，它们提高了效率和功率密度，使其适用于风能和电池储能系统等可再生能源应用。新模块现已上市，支持下一代高压电力系统的可扩展解决方案"
datetime: "2026-05-11T18:47:21.000Z"
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# 英飞凌扩展了其 XHP 2 CoolSiC MOSFET 功率模块的产品组合

新闻：微电子

英飞凌扩展 XHP 2 CoolSiC MOSFET 功率模块产品线

德国慕尼黑的英飞凌科技公司扩展了其 XHP 2 功率模块产品线，新增了采用 2300V CoolSiC MOSFET 的新变体，旨在满足高压电力系统的需求。这些新的 2300V 级设备支持高达 1500V 的直流链接电压，符合行业向更高系统电压发展的趋势。

这些模块提供多种变体，导通电阻（RDS(on)）值范围从 1mΩ到 2mΩ，绝缘电压为 4kV 或 6kV。

通过利用碳化硅（SiC）技术，这些设备相比传统的硅基解决方案减少了开关和导通损耗。这使得逆变器能够实现更高的效率和功率密度，或在更高的开关频率下运行，以减少谐波和系统体积。新的 XHP 2 CoolSiC MOSFET 模块非常适合可再生能源应用，包括风能、光伏和电池储能系统。

_图片：英飞凌的 XHP 2 功率模块产品线。_

这些模块采用 XHP 2 封装，具有对称的开关特性，便于在大型功率转换器中并联，并提供一个标准化平台，使开发人员能够根据应用需求平衡效率和性能。所有变体都集成了英飞凌经过验证的.XT 互连技术，增强了可靠性并延长了使用寿命。这些模块还提供预涂热界面材料，简化了组装，同时支持一致的热性能。

英飞凌表示，这些特性转化为可测量的系统级收益。在一个风能演示系统中，达到了 300kW/L 的功率密度，而在电池储能系统的测试中，半导体损耗低于输出功率的 0.7%。

通过此次产品线扩展，英飞凌支持下一代高压电力系统的可扩展解决方案，涵盖广泛的可再生能源应用。

英飞凌现已推出额定 2300V 的 XHP 2 CoolSiC MOSFET 模块，型号为 FF1000UXTR23T2M1、FF1300UXTR23T2M1、FF2000UXTR23T2M1 和 FF1000UXTR23T2M1\_B5，现已通过英飞凌及其分销合作伙伴提供。

英飞凌在 XHP 2 封装中新增了使用 3.3kV MOSFET 的 CoolSiC 功率模块，目标是牵引应用。

英飞凌

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