--- title: "美光科技（MU）高管在摩根大通会议上阐述了改善的前景和强劲的运营表现" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/287120268.md" description: "在摩根大通会议上，美光科技的 Manish Bhatia 强调了财务前景的改善，预计第三季度将产生可观的自由现金流。他指出，由于结构性因素，内存需求超过供应，而人工智能正在推动内存需求的增加。美光科技在先进的 DRAM 和 NAND 技术方面进展顺利，HBM4 的生产正在快速提升。该股票获得了强烈买入的共识评级，但平均目标价暗示潜在的下行风险为 10.19%" datetime: "2026-05-20T20:57:18.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/287120268.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/287120268.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/287120268.md) --- # 美光科技（MU）高管在摩根大通会议上阐述了改善的前景和强劲的运营表现 美光科技（Micron Technology，股票代码：MU）全球运营执行副总裁 Manish Bhatia 最近在摩根大通第 54 届年度全球科技、媒体和通信会议上发表了演讲。他表示，人工智能的繁荣仍然刚刚开始，而内存仍然是整个系统中最大的瓶颈之一。 ### 在 TipRanks 上享受 55% 的折扣 - 解锁对冲基金级别的数据和强大的投资工具，以做出更聪明、更精准的决策 - 发现表现优异的股票投资理念，并升级到市场领导者的投资组合，使用智能投资者精选 会议中一些有趣的要点包括： 1. **前景增强**：Bhatia 表示，自上次财报电话会议以来，公司财务前景有所增强，并补充说美光有望在 2023 财年第三季度实现 “另一个可观的自由现金流创纪录”。他还表示，公司资产负债表 “从未如此强劲”，得到了三大信用评级机构的升级支持。 2. **需求超出供应**：Bhatia 表示，“由于持续的结构性因素，需求继续超出我们和行业的供应能力”，并且 HBM、DRAM 和 NAND 的紧张局面将持续到 2026 年以后。这些结构性问题包括每个新 DRAM 和 NAND 节点的增速放缓、HBM 更大的芯片尺寸导致每片晶圆的位数减少，需要更多的晶圆才能产生相同的产出，以及新工厂的建设时间更长。 3. **人工智能推动内存需求的巨大转变**：Bhatia 强调了从人机交互到自主机器间工作负载的重大转变，这提升了内存的密集度。此外，内存现在被视为 “战略资产”，因为更高性能和更高可靠性的内存直接提高了模型的准确性。 4. **技术转型提前进行**：美光确认其 1-gamma DRAM 和 Gen9 NAND 的进展顺利。这两个节点将在年中成为大多数位输出的主流。得益于人工智能驱动的制造优化，产量的提升速度超过了之前的节点。 5. **HBM4 的生产进展良好**：美光表示，其 HBM4 的生产进展速度是去年 HBM3E 的两倍，产量也在改善。该芯片基于美光的 1-beta DRAM，并使用内部基础芯片。HBM4E 的工作也已开始，首个符合 JEDEC 标准的部件预计将在 2027 年投入生产。 ## **MU 现在是一个值得购买的好股票吗？** 转向华尔街，MU 股票在过去三个月内获得了 27 个买入和 3 个持有的强烈买入共识评级。以 657.41 美元的价格计算，平均美光股票目标价暗示有 10.19% 的下行风险。 ### 相关股票 - [MU.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MU.US.md) - [SOXQ.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXQ.US.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXX.US.md) - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMH.US.md) - [FTXL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/FTXL.US.md) - [MUU.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MUU.US.md) - [DRAM.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/DRAM.US.md) - [PSI.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/PSI.US.md) - [MULL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MULL.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXL.US.md) - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/XSD.US.md) - [JPM.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/JPM.US.md) - [JPM-M.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/JPM-M.US.md) - [JPM-C.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/JPM-C.US.md) - [JPM-D.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/JPM-D.US.md) - [JPM-L.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/JPM-L.US.md) - [8634.JP](https://longbridge.com/zh-CN/quote/8634.JP.md) - [JPM-K.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/JPM-K.US.md) - [JPM-J.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/JPM-J.US.md) ## 相关资讯与研究 - [花旗看高美光至 840 美元！目标价近乎翻倍，预言 DRAM 均价明年狂飙 200%](https://longbridge.com/zh-CN/news/286911542.md) - [群智咨询：预计二季度 Memory 价格继续上行 DRAM 价格分化 NAND 涨势延续](https://longbridge.com/zh-CN/news/287191510.md) - [累计亏掉 366 亿，半年赚回超百亿：长鑫科技冲刺科创板](https://longbridge.com/zh-CN/news/286911415.md) - [High-NA 光刻时代倒计时！ 阿斯麦称首批芯片数月内问世 HBM/DRAM 携手 AI 芯片迎接制程跃迁](https://longbridge.com/zh-CN/news/286943368.md) - [美股夜盘异动：美光科技夜盘涨 3.02%，三星罢工与分析师上调目标价助力股价反弹](https://longbridge.com/zh-CN/news/287152066.md)