--- title: "东芝开始出货 1200V 沟槽栅 SiC MOSFET 测试样品，以提高下一代 AI 数据中心的效率" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/287144311.md" description: "东芝已开始发运其 1200V 沟槽栅 SiC MOSFET 的测试样品 TW007D120E，该产品专为下一代 AI 数据中心和可再生能源应用的电源系统设计。该新产品提高了电能转换效率，降低了功耗，与之前的型号相比，导通电阻减少了 58%。计划于 2026 财年开始量产，应用于数据中心、光伏逆变器和电动车充电站" datetime: "2026-05-21T02:00:00.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/287144311.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/287144311.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/287144311.md) --- # 东芝开始出货 1200V 沟槽栅 SiC MOSFET 测试样品，以提高下一代 AI 数据中心的效率 日本川崎 --（商业资讯）-- 东芝电子设备与存储公司（"东芝"）今天开始发货 “TW007D120E” 的测试样品，这是一款 1200V 的沟槽栅 SiC MOSFET，主要用于下一代 AI 数据中心的电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。 本新闻稿包含多媒体内容。查看完整发布内容请点击这里：https://www.businesswire.com/news/home/20260520299135/en/ 随着生成式 AI 的快速扩展，数据中心的电力消耗问题日益严重。特别是高功率 AI 服务器的广泛采用以及 800V 高压直流（HVDC）架构的日益部署，推动了对具有更高电源转换效率和功率密度的电源系统的需求。东芝通过开发 TW007D120E 来满足下一代 AI 数据中心的这些需求，这将有助于降低电力消耗，并实现电源系统的小型化和高效化。 TW007D120E 基于东芝专有的沟槽栅结构 \[1\]，实现了行业领先的单位面积低导通电阻（RDS(on) A）；它通过降低导通电阻来减少导通损耗，同时实现更低的开关损耗。与东芝现有产品相比，TW007D120E 的 RDS(on) A 降低了约 58%\[3\]，并且在导通损耗与开关损耗之间的权衡指标——导通电阻 × 栅极 - 漏极电荷（RDS(on) × Qgd）上改善了约 52%\[3\]。这些特性将有助于实现数据中心电源系统的高效运行和减少热量产生，从而提高整体系统效率。 新产品采用支持顶部冷却的 QDPAK 封装。这有助于在电源阶段实现更高的功率密度和增强的热性能，这对于下一代 AI 数据中心的电源转换至关重要。 东芝计划在 2026 财年准备 TW007D120E 的量产，并将继续扩展其产品线，包括汽车应用的开发。通过沟槽栅 SiC MOSFET，东芝将有助于提高数据中心和广泛工业设备的电力效率，减少 CO₂排放，支持实现脱碳社会。 TW007D120E 基于新兴能源和工业技术开发机构（NEDO）资助的项目 JPNP21029 的结果。 备注： \[1\] 一种在半导体基板上形成细沟槽并将栅极电极嵌入沟槽内的器件结构。 \[2\] 东芝研究，截至 2026 年 5 月。 \[3\] 新开发的 1200V SiC MOSFET 与东芝第三代 SiC MOSFET（TW015Z120C）的比较。东芝研究，截至 2026 年 5 月。 **应用** - 数据中心电源（AC-DC，DC-DC） - 光伏逆变器 - 不间断电源（UPS） - 电动汽车充电站 - 能量存储系统 - 工业电动机 **特点** - 低导通电阻和低 RDS(on) A - 低开关损耗和低 RDS(on) × Qgd - 低栅极驱动电压：VGS\_ON=15V 至 18V - 高热性能 QDPAK 封装 **主要规格** （除非另有说明，Tvj=25°C） 部件编号 TW007D120E 封装 名称 QDPAK 绝对最大额定值 漏极 - 源极电压 VDSS（V） 1200 漏电流（直流）ID（A） Tc=25°C 172 电气特性 漏极 - 源极导通电阻 RDS(on)（mΩ） VGS=15V 典型值 7.0 栅极阈值电压 Vth（V） VDS=10V 3.0 至 5.0 总栅极电荷 Qg（nC） VGS=15V 典型值 317 栅极 - 漏极电荷 Qgd（nC） VGS=15V 典型值 33 输入电容 Ciss（pF） VDS=800V 典型值 13972 二极管正向电压 VSD（V） VGS=0V 典型值 3.2 注：开发中产品的规格和计划可能会在没有通知的情况下更改。 **有关东芝 SiC 电源器件的更多信息，请访问以下链接。** SiC 电源器件 \* 公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。 \* 本文件中的信息，包括产品价格和规格、服务内容和联系信息，在公告日期是最新的，但可能会在没有事先通知的情况下更改。 **关于东芝电子设备与存储公司** 东芝电子设备与存储公司是一家领先的先进半导体和存储解决方案供应商，凭借超过半个世纪的经验和创新，为客户和商业伙伴提供卓越的分立半导体、系统 LSI 和 HDD 产品。 其全球 17400 名员工共同致力于最大化产品价值，并促进与客户的紧密合作，共同创造价值和新市场。公司期待为全球人民建设更美好的未来并做出贡献。 了解更多信息请访问 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html 在 businesswire.com 上查看源版本：https://www.businesswire.com/news/home/20260520299135/en/ 来源：东芝电子设备与存储公司 ### 相关股票 - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/XSD.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXL.US.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXX.US.md) - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMH.US.md) - [PSI.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/PSI.US.md) - [6502.JP](https://longbridge.com/zh-CN/quote/6502.JP.md) - [6588.JP](https://longbridge.com/zh-CN/quote/6588.JP.md) ## 相关资讯与研究 - [Claude Code 产品负责人：AI 时代最稀缺的人什么样？](https://longbridge.com/zh-CN/news/287042434.md) - [AI“隐形赢家” 浮出水面！Astera Labs 年内涨幅碾压标普 500 Q1 业绩炸裂、指引超预期](https://longbridge.com/zh-CN/news/286990559.md) - [华西证券：AI 发展带动 SiC 需求明显增长 SiC 衬底与设备公司有望重点受益](https://longbridge.com/zh-CN/news/287147462.md) - [拆掉 Token 暴利墙，云厂商下场造芯 | 企服国际观察](https://longbridge.com/zh-CN/news/286999372.md) - [三星就 AI 产业收益分歧达成临期协议，成功避免罢工](https://longbridge.com/zh-CN/news/287204511.md)