--- title: "存储缺口为什么难补？大摩：无尘室不足 + 光刻机产能受限，想扩也扩不了" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/288577898.md" description: "存储芯片正成为 AI 时代最稀缺的战略资源。摩根士丹利指出，受无尘室建设周期漫长、EUV 光刻机供应受限等物理瓶颈影响，DRAM 和 NAND 供需失衡局面未来 2 至 3 年难以缓解。AI 云厂商持续高价抢购 HBM 和高性能存储，推动存储价格进入上升周期。" datetime: "2026-06-03T12:38:27.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/288577898.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/288577898.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/288577898.md) --- # 存储缺口为什么难补？大摩：无尘室不足 + 光刻机产能受限，想扩也扩不了 AI 算力军备竞赛正在将存储芯片市场推入一场结构性短缺，而这一缺口在未来数年内几乎无解。 据追风交易台，摩根士丹利在 6 月 3 日发布的最新研究报告中指出，**DRAM 已成为 AI 基础设施扩张的核心瓶颈，NAND 供应同样极度紧张，供需失衡局面预计将持续 2 至 3 年甚至更长时间。** 报告同步**大幅上调美光和闪迪的目标价，其中美光目标价从 520 美元上调至 1050 美元，闪迪目标价从 1100 美元上调至 1750 美元，两只个股均维持增持评级。** 大摩分析师 Joseph Moore 在报告中强调，制约供给扩张的核心障碍并非资本意愿，而是物理层面的硬约束——无尘室产能不足与 EUV 光刻机供应受限，使得存储厂商即便有意大规模扩产，实际落地速度也将受到严格限制。这一判断直接支撑了大摩对存储股盈利周期"更长久、更高峰"的核心论点，并推动其将美光 CY2027 年每股收益预期上调 48%。 ## 供给扩张的物理天花板 大摩报告明确点出，此轮存储短缺之所以"没有快速解法"，根本原因在于扩产面临两大不可绕过的物理瓶颈：无尘室建设周期漫长，以及 EUV 极紫外光刻机产能受限。 无尘室的建设从规划到投产通常需要数年时间，这意味着即便存储厂商现在启动扩建，新增产能也难以在短期内形成有效供给。与此同时，EUV 光刻机作为先进制程存储生产的核心设备，其全球供应本身即受到严格约束，进一步压缩了厂商快速响应市场需求的空间。 大摩在报告中指出，DRAM 的比特供给增长将在 2027 至 2028 年随新产能陆续投产而加速，但整体节奏仍受制于建设工期与产线爬坡时间。此外，HBM（高带宽内存）生产对晶圆的高消耗比，也在结构上持续压缩普通 DRAM 的可用供给。 ## DRAM：AI 基础设施的核心瓶颈 大摩将 DRAM 定性为当前 AI 基础设施扩张的"首要瓶颈"，超大规模云厂商（hyperscaler）的采购意愿依然强劲，且支付溢价的意愿持续维持高位。 报告预测，DRAM 价格将在 5 月季度环比上涨 40%，8 月季度再涨 15%。大摩指出，其在中国台湾供应链调研中听到的涨价预期甚至更高——部分供应链人士预计单季涨幅达 20% 或以上——但大摩选择采用相对保守的假设，并提示并非所有业务都会按季度调价节奏同步重定价。 基于更高的定价假设，大摩将美光 CY2026/CY2027 年调整后每股收益预期分别上调 4% 和 48%，新预测值分别为每股约 20 美元（F3Q26 单季）和 113.85 美元（CY2027 全年），均显著高于市场一致预期。 ## NAND 同样紧绷，闪迪受益于云端需求 NAND 市场的供需格局同样偏紧。大摩指出，超大规模云厂商正在持续抢占高性能 NAND 份额，这一趋势正在从结构上重塑这一品类的需求画像，而供给侧的调整明显滞后。 闪迪的合资伙伴铠侠在近期投资者日上仅将长期比特增长预期从 20% 小幅上调至 22%，且资本支出计划维持低位，约为每年 4700 亿日元。大摩认为，铠侠对智能手机和 PC 市场需求的保守预期，是其资本开支维持克制的主要原因。 尽管移动端和 PC 端需求疲软，但大摩强调，这并未对 NAND 整体定价环境构成拖累。报告将闪迪 CY2026/CY2027 年每股收益预期分别上调 12% 和 24%，同样以更高定价为核心驱动。大摩将闪迪目标价上调至 1750 美元，基于 28 倍穿越周期每股收益 62.50 美元的估值框架。 ## 估值仍有空间，多重催化剂待释放 尽管美光和闪迪股价在 2025 年已大幅跑赢市场，并延续至 2026 年，大摩认为强势行情尚未终结。 报告指出，两只个股基于 CY2027 年预期的市盈率均低于 10 倍，估值仍处于合理区间，存在进一步扩张空间。大摩认为，随着投资者逐步将更长的盈利持续性纳入定价，估值倍数的提升有望成为未来回报的更大驱动力。 大摩列出的近期催化剂包括：2026 年下半年 HBM 合同重新谈判、2027 年起启动的股票回购计划（大摩预计美光在 FY2027 至 FY2028 年间回购规模达 500 亿美元），以及闪迪在数据中心市场渗透率的持续提升。 对于市场近期热议的长协（LTA），大摩将其定性为"高位持续"预期的结果而非原因，认为这是超大规模云厂商为锁定未来供应而主动做出的战略承诺，本身即印证了需求端的长期确定性。 ## 资本开支大幅扩张，折旧压力可控 大摩对美光资本开支的预测远高于市场一致预期。报告预计美光 FY2027/FY2028 年资本开支分别为 440 亿美元和 400 亿美元，而市场一致预期分别为 376 亿美元和 369 亿美元。 大摩承认，更高的资本开支将对自由现金流形成拖累，但其详细的折旧摊销模型显示，D&A 的增量冲击在财务上可以消化。与此同时，新增产能带来的比特增长，在市场持续偏紧的情景下，有望转化为额外的营收和每股收益上行空间。 大摩将美光目标价上调至 1050 美元，基于 29.5 倍穿越周期每股收益 35 美元，与半导体板块整体估值水平相当，并将 FY2021 至 FY2028 年平均盈利能力作为穿越周期盈利基准。 ### 相关股票 - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SSNGY.US.md) - [MU.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MU.US.md) - [SMSN.UK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMSN.UK.md) - [ASML.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/ASML.US.md) - [MS.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MS.US.md) - [SNDK.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SNDK.US.md) - [MS-O.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MS-O.US.md) - [MS-Q.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MS-Q.US.md) - [MS-E.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MS-E.US.md) - [MS-I.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MS-I.US.md) - [MS-L.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MS-L.US.md) - [MS-P.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MS-P.US.md) - [MS-A.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MS-A.US.md) - [MS-F.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MS-F.US.md) - [MS-K.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MS-K.US.md) - [SNDKV.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SNDKV.US.md) ## 相关资讯与研究 - [三星电子首次展示 HBM5，押注下一代 AI 存储竞争](https://longbridge.com/zh-CN/news/288374859.md) - [伯恩斯坦：存储价格将在 Q2 迎来主升浪](https://longbridge.com/zh-CN/news/288724446.md) - [越涨越看好？美光突破 1000 美元大关，华尔街看到 “存储需求越来越多，但没有任何竞争”](https://longbridge.com/zh-CN/news/288340237.md) - [机构：今年一季度全球 NAND 市场规模环比接近翻倍](https://longbridge.com/zh-CN/news/288567379.md) - [存储双雄冲刺 A 股，万亿存储链狂欢之下：谁才是穿越周期的真正卖铲人？](https://longbridge.com/zh-CN/news/288492880.md)