黄仁勋预警：存储供应紧张将持续数年，机构大幅上修存储芯片涨价预期，科创芯片设计 ETF 浦银 (589250）标的指数近 1 年涨 96.74%

6 月 8 日，上周五美股全线大跌，今天早盘亚太市场大幅走低，受此影响，A 股主要股指低开，随后震荡回升，芯片板块也小幅反弹。截至 9:36，科创芯片设计 ETF 浦银 (589250）跌 4.39%；样本股普跌，力芯微、盛科通信、芯动联科跌幅较小；新相微、裕太微跌超 8%，佰维存储、联芸科技、普冉股份跌幅超 7%。

Wind 数据显示，截至前一交易日，科创芯片设计 ETF 浦银 (589250）跟踪的上证科创板芯片设计主题指数近 1 年涨 96.74%。

消息面上，当地时间 6 月 7 日，英伟达 CEO 黄仁勋在韩国表示，存储芯片供应紧张的局面将持续数年。整个行业供应链，从晶圆、封装到硅光模块等环节均供应不足，根源在于市场需求居高不下。另据媒体报道，黄仁勋和 SK 集团会长于 8 日上午宣布 “SK-NVIDIA” 合作计划，涉及 Vera Rubin AI 超级计算机、Vera CPU、RTX Spark PC 等。

产业层面，存储芯片价格全线上涨，并且涨幅还有扩大的趋势。TrendForce 集邦咨询全面上修第一季 DRAM、NAND Flash 各产品价格季成长幅度，预估整体 Conventional DRAM 合约价将从一月初公布的季增 55-60%，改为上涨 90-95%，NAND Flash 合约价则从季增 33-38% 上调至 55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。

国泰海通证券指出，在 AI 存储需求攀升、原厂产能倾斜、下游客户积极锁定长协供应的背景下，行业景气度持续向上。存储板块核心交易逻辑将从涨价/跌价预期的景气度博弈转向基于盈利确定性的重新定价，估值有望从周期峰值估值切换为具备长约支撑和现金流可见度的 AI 基础设施优质资产定价，推动行业估值中枢上行。

科创芯片设计 ETF 浦银 (589250）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数（950162），高度聚焦 50 只科创板芯片设计上市公司，其中数字芯片设计权重占比近八成。规避了半导体材料设备、制造、封测等环节，在芯片板块环节中，相较半导体材料指数估值较低，更契合产业发展趋势。

弹性方面，上证科创板芯片设计主题指数只包含科创板的芯片设计公司，成分股单日涨跌幅为±20%，弹性更大、进攻性更强。

成长性方面，科创芯片设计 ETF 浦银 (589250) 跟踪上证科创板芯片设计主题指数，在 2024 年 1 月 5 日-2026 年 3 月 30 日期间，标的指数累计上涨 141.86%，是涨幅第一的芯片行业主题指数，高于科创芯片（133.60%）、中证全指半导体（97.77%）和半导体材料设备（98.39%）。

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