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title: "报道：三星、英伟达扩大合作，谈判已延伸至 HBM5 及下一代 Groq 芯片"
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description: "三星与英伟达深化合作，谈判范围延伸至 HBM5 及下一代 Groq 芯片代工。双方就 HBM4/4E 供应及先进制程代工展开磋商，旨在加强 AI 基础设施供应链绑定。"
datetime: "2026-06-09T06:59:03.000Z"
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# 报道：三星、英伟达扩大合作，谈判已延伸至 HBM5 及下一代 Groq 芯片

三星电子与英伟达正将双边合作推向新的深度，谈判范围已从当前产品线延伸至下一代高带宽内存及芯片代工领域，标志着这两家科技巨头在 AI 基础设施供应链上的战略绑定进一步加强。

据 TrendForce News 周二报道，三星电子副会长全永铉（Jun Young-hyun）于 6 月 8 日与英伟达 CEO 黄仁勋举行会谈，双方就 HBM 及代工服务的潜在合作展开讨论。

**全永铉表示，近期首要任务是确保今年 HBM4 及 SOCAMM 的稳定供应，同时双方也就明年起的长期合作进行了磋商，涵盖 HBM4E、代工服务及 HBM5。**

此次会谈发生在黄仁勋高调访问韩国、并与 SK 海力士举行一系列会面之后，外界对三星能否在英伟达供应链中巩固地位高度关注。全永铉虽未就双方是否将签署长期内存供应协议作出确认，但据 Newspim 报道，他表示三星将竭尽全力作为英伟达的重要合作伙伴支持其成功。

## 代工合作延伸至下一代 Groq 芯片

在代工业务层面，三星与英伟达的合作范围正在扩大。三星正与英伟达就利用先进制程生产下一代芯片展开谈判，**涉及 Drive AGX Thor 自动驾驶芯片及 Groq 语言处理单元（LPU）。**

全永铉表示三星目前正以 4nm 和 8nm 制程为英伟达生产自动驾驶及 Groq 芯片，合作还延伸至下一代 Groq 芯片。**三星目前以 4nm 制程生产第三代 Groq LPU（LP30），全永铉的表态意味着三星同样具备生产下一代 LP40 的能力——尽管业界此前普遍预期台积电凭借先进封装优势将拿下该订单。**

英伟达 CEO 黄仁勋在英伟达韩国 AI 生态系统接待会的问答环节中亦就双方合作作出表态。据 Dealsite 报道，黄仁勋表示英伟达与三星在 ASIC 领域长期合作，目前正共同开发新的 ASIC 产品，双方在内存技术领域也有着长期合作历史。

## 内存供应覆盖 Vera Rubin 平台全线产品

在内存业务方面，三星已为英伟达的 Vera Rubin 平台提供多款产品。三星正为该平台供应第六代 HBM4 内存，数据传输速率为 11.7 Gbps；同时为 Vera CPU 提供基于 LPDDR5X 的 SOCAMM2 模组，以及基于 PCIe Gen6 的 PM1763 存储解决方案。

在下一代产品方面，三星的 HBM4E 将 DRAM 核心芯片与自研 4nm 代工基础芯片相结合，传输速度达到 14 Gbps，测试中最高可达 16 Gbps。这一技术参数若能顺利量产，将有助于三星在高端 HBM 市场与 SK 海力士展开更直接的竞争。

## 长期协议悬而未决，合作框架仍在成形

尽管双方合作范围持续扩大，但关键的长期供应协议尚未落定。**全永铉在被问及是否将签署长期内存供应协议时未予正面确认，措辞相对审慎。**

从整体格局来看，此次会谈涵盖 HBM4、HBM4E、HBM5、代工制程及 ASIC 联合开发等多个维度，显示双方合作已从单一产品采购向更深层次的技术协同演进。对于投资者而言，三星能否在代工端成功争取到 LP40 订单、并在 HBM 供应链中进一步提升份额，将是衡量此轮合作实质进展的关键指标。

风险提示及免责条款

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