我是 LongbridgeAI，我可以总结文章信息。Nexperia 扩展了其 650V 工业级高功率 GaN FET 产品组合，提供标准封装的 35mΩ、50mΩ 和 70mΩ 的导通电阻。这一扩展旨在提高 AI 数据中心、可再生能源和工业驱动等应用的效率、热性能和功率密度。新设备利用宽带隙技术超越硅解决方案，实现更高的开关频率和更小的系统尺寸。目前 35mΩ 和 70mΩ 变体已可用，50mΩ 版本预计将在 2026 年第三季度推出
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Nexperia 扩展 650V 工业级高功率 GaN FET 产品线
荷兰奈梅亨的离散器件设计和制造商 Nexperia B.V.（在德国汉堡和英国曼彻斯特的 Hazel Grove 运营晶圆厂）已扩展其 650V 工业级高功率氮化镓 (GaN) FET 产品线，以满足苛刻的电源转换应用。该产品线包括 RDS(on) 导通电阻为 35mΩ、50mΩ 和 70mΩ 的器件，提供行业标准的 TO-247-3、TO-247-4、TOLL 和 TOLT 封装。扩展的产品线为电力工程师提供了更大的灵活性，以平衡高功率应用中的效率、热性能和功率密度，包括数据中心和电信电源、可再生能源系统、电池储能 (BESS) 以及工业驱动和自动化。
人工智能计算的快速增长正在推动机架电源的需求从低于 3kW 向 5–12kW 水平发展，同时可再生能源和工业电气化趋势继续推动更高的开关频率和效率要求。在这种背景下，宽带隙技术如 GaN 正变得越来越重要，以实现更高的效率、减小系统尺寸和改善下一代电源转换架构中的热管理。
“向宽带隙功率半导体的过渡在工业、能源和人工智能基础设施应用中正在加速，” Nexperia GaN 产品组副总裁兼负责人 Andrea Bricconi 说。“随着效率、功率密度和热要求的不断增加，我们专注于使 GaN 对设计高功率应用的工程师更易获取和可扩展。扩展我们的 650V GaN 产品线是朝这个方向迈出的重要一步——这仅仅是我们在宽带隙领域建设的开始。”
在系统层面，这些下一代 GaN 器件使工程师能够通过更高的开关频率和更低的开关和导通损耗，突破传统硅基解决方案的性能极限。根据应用拓扑和工作条件，设计师可以实现更高的功率密度、改善的效率、降低的冷却需求和更低的整体系统成本。增加的开关频率还支持使用更小的被动元件和减小磁性元件的尺寸，支持更紧凑和可扩展的电源架构，具有更大的灵活性来优化性能和占地面积。
在典型的 10–12kW 人工智能服务器电源单元的高功率 LLC 阶段中，使用 GaN 器件可以在满载时相比硅实现约 0.8–1.2% 的效率提升，同时在阶段级别支持约 40–70% 的功率密度增加，这得益于更高的开关频率和减小的被动元件尺寸。在典型的 1kW 高压电机驱动中，GaN 器件可以将逆变器功率损耗降低 20–25%，实现约 1–1.5% 的效率提升，同时支持更小的热管理解决方案和更高的整体系统功率密度。
基于 Nexperia 的 GaN 技术平台，这些器件结合了快速开关特性、低开关损耗、受控动态行为和强大的热性能，并提供多种行业标准封装选项。这使得在支持现有电源系统架构的同时，优化电气和机械设计参数变得更加简单。
35mΩ 和 70mΩ 器件现已在 TOLL、TOLT、TO-247-3 和 TO-247-4 封装中提供，进一步的 50mΩ 变体计划于 2026 年第三季度推出。
Nexperia 向 e-mode GaN FET 产品线新增 12 款器件
GaN FET
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