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title: "ROHM SiC 元件打入 AI 伺服器电源系统 抢攻 800V HVDC 商机"
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locale: "zh-CN"
url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/289671073.md"
description: "日本罗姆（ROHM）宣布其 750V 碳化矽 MOSFET 产品已获 AI 伺服器备援电池单元采用，应用于新一代±400V 电源架构。该元件具备低损耗与耐高温特性，能适应高功率密度环境。随著 AI 数据中心向 800V HVDC 架构演进，ROHM 指出该产品仍能满足下一代系统设计需求，凸显 SiC 在提升能源效率及供应链中的重要性。"
datetime: "2026-06-13T17:00:16.000Z"
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# ROHM SiC 元件打入 AI 伺服器电源系统 抢攻 800V HVDC 商机

![Reuters](https://imageproxy.pbkrs.com/https://cimg.cnyes.cool/prod/news/6498576/o/8593eee4870b7c3b5ae07a61543abeb4.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg)

2026 年 06 月 14 日（优分析／产业数据中心报导）⸺ 随著生成式 AI 带动资料中心用电需求快速攀升，电源架构也朝更高电压与更高效率方向发展。日本功率半导体厂罗姆 ROHM(6963-JP) 宣布，旗下 750V 碳化矽（SiC）MOSFET 产品已获 AI 伺服器备援电池单元（BBU，Backup Battery Unit）采用，应用于新一代 AI 伺服器电源系统。

近年来，随著 GPU 运算效能持续提升，资料中心耗电量同步增加。为降低电力传输过程中的能量损失，产业正加速导入高电压直流输电（HVDC）架构，并逐步由传统供电系统转向±400V 电源设计。

在这个架构下，BBU 与电容储能单元（CU）成为重要的备援供电设备，当停电或瞬间断电发生时，可立即提供电力，避免 AI 伺服器中断运作。

ROHM 本次导入的产品为 750V SiC MOSFET「SCT4013DLL」，配置于 AI 伺服器±400V 电源架构中的供电模组。公司表示，SiC 材料具备低损耗与耐高温特性，元件最高接面温度（Tj）可达 175°C，即使在高电压、高功率密度环境下，仍可维持稳定运作。

随著 AI 伺服器电源系统持续升级，市场已开始布局下一代 800V 直流供电架构。ROHM 指出，在 800V 电源系统中，BBU 电池组工作电压约为 560V，因此额定耐压 750V 的 SiC MOSFET 仍可满足系统设计需求，并具备充足的安全余裕。

相较传统矽基功率元件，SiC 功率半导体具备更高转换效率、更低导通损耗及更佳耐高温能力，因此特别适合应用于高功率密度电源系统。随著 AI 伺服器、资料中心及高效能运算设备需求持续增加，SiC 元件在电源供应链的重要性也同步提升。

除了 SiC 之外，氮化镓（GaN）功率元件亦逐渐受到市场关注，成为提升资料中心能源效率的重要技术方向之一。市场普遍认为，未来高效率功率半导体将成为 AI 基础设施升级不可或缺的核心元件。

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