--- title: "闪迪新专利曝光：处理器直接键合 NAND 闪存芯片，HBM 退居辅助角色" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/290404011.md" description: "闪迪最新专利揭示一项激进存储革命：将多核处理器与 NAND 闪存直接键合，构建 3D 堆叠架构，同时将 HBM 从” 核心主角” 降格为” 辅助配角”。这一设计剑指 HBM 容量天花板与现有高带宽闪存的延迟痛点，若落地将从根本上重塑 AI 加速器的内存架构逻辑，存储与计算深度融合的时代或已提前到来。" datetime: "2026-06-22T08:17:33.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/290404011.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/290404011.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/290404011.md) --- # 闪迪新专利曝光：处理器直接键合 NAND 闪存芯片，HBM 退居辅助角色 闪迪正在推动一场存储架构的根本性重构——将计算单元与 NAND 闪存直接键合，并将 HBM 的角色从核心内存降级为辅助层级。 据美国专利商标局公开的专利文件，闪迪提出了一种将多核处理器直接集成于 CBA 存储芯片之上的 3D 堆叠架构，整体封装于同一中介层之上，HBM 则围绕该堆叠结构分布于周侧。这一设计意在同时突破 HBM 容量天花板与现有高带宽闪存（HBF）架构在延迟、功耗及系统集成层面的局限。 该专利的曝光表明，闪迪在加速推进 HBF 量产路线的同时，已在专利层面布局更激进的存储 - 计算融合方案，对 AI 加速器及 GPU 的内存架构设计路径具有潜在的深远影响。 ## HBM 容量瓶颈催生新架构探索 HBM 凭借高带宽优势成为当前 AI 芯片的主流内存方案，但其容量限制日益成为制约因素。**据科技媒体 Wccftech 报道，现有 HBM 解决方案单栈容量通常为 32 至 64GB，难以满足大规模 AI 模型对内存容量的持续增长需求。** 为此，闪迪此前已推出 HBF 架构，借鉴 HBM 的垂直堆叠理念，通过硅通孔（TSV）将多层 NAND 闪存互联，形成统一存储栈。据闪迪披露，HBF 单栈容量可扩展至 4TB，在带宽上接近 HBM 水平，同等成本下容量可达 HBM 的 8 至 16 倍。 然而，NAND 闪存在容量优势之外仍存在固有短板。Wccftech 指出，NAND 在系统架构中距离计算核心较远，数据访问速度慢于基于 DRAM 的架构，这一结构性劣势限制了 HBF 在延迟敏感型工作负载中的适用性。 ## 新专利核心：计算与 NAND 直接键合 闪迪最新专利提出的方案，正是针对上述延迟问题的直接回应。根据专利文件，该设计将一块基于 CBA 结构构建的 NAND 闪存芯片置于计算芯片（如 AI 加速器或 GPU）正下方，实现处理器与 NAND 的直接物理键合。 **CBA 结构本身将大容量 NAND 闪存阵列与 CMOS 逻辑层合二为一，而整个集成堆叠随后被安装于中介层之上。HBM 芯片栈则附着于该组合堆叠的一侧或多侧，与 NAND 层共享同一中介层平台。** 这一架构的关键在于重新定义了各类存储介质的分工边界：HBM 负责处理即时性、高速内存操作，而 NAND 闪存层则承担读写密集型工作负载及大规模数据存储任务。据 Wccftech 报道，在此配置下，HBM 仍被集成于系统之中，但其角色已从主导地位转变为整体存储 - 计算层级中的特定功能模块。 ## HBF 之外的并行布局 值得关注的是，上述专利所呈现的架构方向与闪迪现阶段主推的 HBF 路线并非替代关系，而是并行推进的技术储备。闪迪目前仍在加速 HBF 的开发进程，HBF 代表着其在近期可落地的高容量存储方案上的主要商业押注。 **新专利所描述的处理器直接键合 NAND 的 3D 堆叠方案，则指向更长期的架构演进路径，旨在从根本上缩短计算单元与大容量存储之间的物理距离，从而在系统层面同时优化带宽、延迟与能效表现。** 对于 AI 芯片设计商及封装技术供应链而言，闪迪此次专利布局释放出明确信号：存储与计算的深度融合正从概念走向具体技术路径，围绕中介层封装平台的生态竞争或将进一步加剧。 ### 相关股票 - [SNDK.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SNDK.US.md) - [SNDG.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SNDG.US.md) - [SNDQ.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SNDQ.US.md) - [SNDU.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SNDU.US.md) - [SNXX.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SNXX.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SOXL.US.md) ## 相关资讯与研究 - [大摩：维持闪迪 “超配” 评级，看好其在 NAND 市场结构性转变中的受益地位](https://longbridge.com/zh-CN/news/290429596.md) - [存储涨价：一块游戏机硬盘 已能抵三台完整主机](https://longbridge.com/zh-CN/news/290134390.md) - [存储成为 AI 负担，这对投资意味着什么？](https://longbridge.com/zh-CN/news/290430023.md) - [存储芯片为什么涨疯了？](https://longbridge.com/zh-CN/news/290012519.md) - [群智咨询：Q2 存储市场延续短缺格局 消费端 DRAM/NAND 价格大幅上涨](https://longbridge.com/zh-CN/news/290055968.md)