东芝推出 80V N 沟道功率 MOSFET，采用其最新一代工艺，旨在提升 AI 数据中心的效率

东芝推出了一款新的 80V N 沟道功率 MOSFET，采用其最新技术，旨在最小化损耗和电磁干扰（EMI），以提高人工智能（AI）数据中心的效率。