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title: "三星谈合作、SK 海力士扩产、铠侠 NAND 送样，日韩股市用 V 型反弹回应算力过剩恐慌"
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description: "受 Anthropic 与三星洽谈定制芯片、SK 海力士扩产及铠侠 NAND 送样等利好提振，日韩股市在经历抛售后出现 V 型反弹。韩国 KOSPI 大涨 5.8%，日经 225 涨 1.5%。尽管市场情绪逆转，但投资者对 AI 算力供需平衡仍保持审慎态度。"
datetime: "2026-07-03T08:32:02.000Z"
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# 三星谈合作、SK 海力士扩产、铠侠 NAND 送样，日韩股市用 V 型反弹回应算力过剩恐慌

日韩科技股在经历连续两日剧烈抛售后，迎来强劲反弹，市场情绪受产业端多重利好集中释放所提振，此前围绕 “AI 算力过剩” 的交易逻辑出现阶段性逆转。

7 月 3 日，韩国 KOSPI 指数早盘一度跌超 3%，随后迅速拉升至涨 5%，触发程序化买盘熔断机制；日本半导体板块同步大幅走高，**整体呈现深 V 修复走势**。个股方面，三星电子、SK 海力士双双涨超 8%，铠侠盘中一度涨逾 10%，带动**日韩半导体板块全面回暖**。截至收盘，日经 225 指数收涨 1.5%，东证指数收涨 1.2%；韩国首尔综指大涨 5.8%。

**反弹的直接催化来自 AI 产业链多项新进展。**据报道，AI 初创公司 Anthropic 正与三星电子洽谈定制 AI 芯片合作，提振市场对三星晶圆代工业务前景的预期。同时，三星、SK 海力士持续推进 AI 半导体扩产计划并公布新一轮投资；铠侠宣布其第十代 3D NAND 芯片已向 AI 数据中心客户送样，并释放需求依然强劲的信号。

不过，在 AI 投资进入更加注重回报率与资本效率的新阶段后，市场对产业链供需平衡及产能扩张节奏的审慎评估仍在延续，相关分歧并未根本消除。

## AI 催化引领反弹，三星战略合作与业绩预期共振

本轮市场反弹首先来自 AI 产业链的新催化。

据报道，Anthropic 正与三星电子讨论合作开发定制 AI 芯片。**虽然合作仍处于早期阶段，但市场认为，这意味着三星晶圆代工业务有望进一步参与 AI 芯片生态。**

Fibonacci Asset Management Global 首席执行官 Jung In Yun 表示，这一合作短期内对盈利贡献有限，但战略意义积极，有助于强化三星在 AI 芯片领域的重要地位，也进一步凸显亚洲在 AI 半导体供应链中的角色。

与此同时，市场也开始提前交易三星即将公布的季度初步业绩。分析师普遍预计，公司第二季度盈利将继续大幅增长，投资者更关注管理层对于 AI 存储需求持续性的判断。

## 韩国龙头继续扩产，试图回应市场对 AI 需求的担忧

与资本市场此前担忧形成鲜明对比的是，韩国半导体企业仍在持续扩大投资。

7 月 2 日，**三星电子和 SK 海力士再次公布新的建厂计划。**根据公开信息，三星计划在韩国忠清地区投资约 140 万亿韩元，覆盖 HBM 晶圆厂、高性能封装、OLED 及下一代电池等多个领域；SK 海力士则计划投资约 100 万亿韩元，重点布局 NAND 及先进封装。

与此同时，**韩国政府宣布推动企业在东南部地区投资超过 312 万亿韩元，重点发展半导体、AI 及航天产业。**其中，SK 集团、三星、韩华、现代汽车等企业均将参与相关投资。

从韩国资本市场表现来看，虽然市场短期存在波动，但韩国存储芯片龙头企业仍选择继续投资，以稳定市场对于 AI 长期增长的预期。

业内人士也认为，**Meta 此前出租部分闲置算力，更应理解为资源优化，而非 AI 基础设施需求拐点。**随着未来 AI 企业更加重视成本控制，自研芯片趋势反而可能进一步加强。

## 三星推动 DRAM 涨价，长期协议强化盈利预期

需求预期之外，价格同样成为市场关注重点。

据韩国 ZDNet 报道，**三星电子正在与客户协商第三季度 DRAM 价格，目标是将通用 DRAM 平均售价较第二季度再提高最高 20%**，服务器及移动端 LPDDR 产品涨价幅度也可能超过 20%。

业内人士表示，AI 基础设施持续建设，使服务器 DRAM、高带宽存储器（HBM）及 LPDDR 需求仍然紧张，供给压力短期难以明显缓解。

值得关注的是，长期供应协议（LTA）正在成为行业稳定盈利的重要支撑。

美光此前披露，公司已与客户签订 16 份长期供应协议，这类协议不仅锁定采购数量，也设定价格下限，有助于降低未来价格大幅回落风险。**业内人士认为，随着长期协议比例提升，DRAM 市场明年出现明显下行的可能性较低。**

不过，也有业内人士指出，三星在价格谈判中的态度较为强硬，客户能否完全接受涨价方案，仍有待观察。

## 铠侠推出新一代 NAND，押注 AI 数据中心需求

日本存储厂商铠侠则选择通过新品回应市场质疑。

该公司宣布，**第十代 BiCS FLASH 3D NAND 已开始向 AI 数据中心客户送样，并计划于 2027 年启动量产。**新产品采用 332 层堆叠架构及自主研发的 CBA 技术，存储密度较上一代提升约 60%，接口速度达到 4.8Gbps。

据报道，铠侠认为，相比超过 400 层的设计方案，332 层架构在成本、功耗及可靠性之间实现了更优平衡。

公司首席执行官 Hiroo Ota 表示，**公司没有看到数据中心需求减弱迹象，将继续积极响应市场增长，不排除进一步增加资本支出。**他认为，随着 AI 智能体和机器人应用的发展，闪存市场仍存在较大的增长空间。

不过，市场竞争也正在加剧。

根据 Omdia 分析师 Akira Minamikawa 测算，2025 年三星电子在数据中心 NAND 市场份额约 40%，SK 海力士约 30%，铠侠约 10%。韩国厂商依托 HBM 产品形成的一站式销售能力，仍是铠侠需要面对的重要竞争压力。

与此同时，SK 海力士计划投资建设新的 NAND 生产设施，三星也正规划新的 NAND 产线。**三大厂商同步扩产，意味着未来市场仍将持续关注供需关系及价格走势。**

## 市场开始重新审视 AI 投资回报率

此次反弹虽然缓解了市场恐慌，但业内普遍认为，AI 产业的投资逻辑正在发生变化。

分析人士表示，行业正从此前 “无底线采购 AI 芯片”，逐步转向更加关注投资回报率，**未来云服务厂商对于存储芯片等产品的采购将更加精细，AI 基础设施投资将进入效率优先的新阶段。**

在经历本周剧烈波动之后，AI 产业链未来能否继续维持高增长预期，仍将成为市场关注的核心变量。

风险提示及免责条款

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