--- title: "HBM 封装技术生变：三星、SK 海力士双双推迟 HBM 混合键合导入" type: "News" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/news/291764563.md" description: "三星与 SK 海力士相继将混合键合技术的 HBM 导入节点推后——原定 HBM4 首发，如今可能延至第七代 HBM4E 甚至更晚。厚度标准放宽、散热替代方案落地，令这项技术的紧迫性骤降。但随着 HBM5E 的 I/O 数量或再度翻倍至 4096 个，混合键合并非被抛弃，而是在等待那个间距极限真正到来的时刻。" datetime: "2026-07-06T06:58:26.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/291764563.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/291764563.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/291764563.md) --- # HBM 封装技术生变：三星、SK 海力士双双推迟 HBM 混合键合导入 三星电子与 SK 海力士正重新审视混合键合技术在高带宽存储器（HBM）领域的导入时间表。随着 HBM 厚度标准逐步放宽、散热问题出现替代解决方案，这一原本被寄予厚望的下一代封装技术，其商用节点已被接连后移。 据韩国科技媒体 ZDNet Korea 周一报道，**业内观察人士指出，混合键合技术全面应用于下一代 HBM 的时间点可能比此前预期更晚。两家公司最初预计最早在 HBM4（第六代 HBM）上导入该技术，但最终仍沿用了传统热压键合（TC 键合）方案。** 目前业界预测，混合键合的导入节点或推迟至 16 层 HBM4E（第七代 HBM），而部分业内人士认为实际时间可能还将进一步延后。 这一变化对 HBM 供应链及相关封装设备厂商构成直接影响。混合键合技术的推迟意味着现有 TC 键合工艺的生命周期延长，而围绕混合键合设备与材料的资本开支节奏也将随之调整。 ## 厚度标准放宽，混合键合核心优势弱化 混合键合技术的主要优势在于无需凸点（Bump）结构，可直接连接各层 DRAM 的铜线，从而更易压缩 HBM 整体厚度，并改善散热性能与电源效率。然而，上述优势的市场紧迫性正在下降。 HBM 行业厚度标准已呈现逐步放宽趋势。HBM 标准厚度在 HBM3E（第五代）时为 720 微米，进入 HBM4 后已上调至 775 微米，主因是堆叠层数从 8 层、12 层提升至 12 层、16 层。据悉，国际半导体标准化机构 JEDEC 目前正讨论将 HBM5 等 20 层堆叠产品的厚度上限从 900 微米进一步放宽至约 1000 微米。厚度约束一旦松动，DRAM 层间间距无需压缩至极限，TC 键合所承受的技术压力也将相应减轻。 **与此同时，英伟达等核心客户对高堆叠 HBM 的需求时间表亦出现后移。**一位内存行业人士 A 表示，"目前客户与内存制造商之间关于 16 层 HBM 的讨论并不活跃，就目前而言，即便在 HBM4E 中，12 层产品也很有可能继续占据主导地位。" ## 散热替代方案浮现，两家公司另辟蹊径 散热性能的改善是混合键合的另一大卖点——去除导热系数低的底部填充材料有助于提升 HBM 热特性。但三星电子与 SK 海力士已分别开发出不依赖混合键合的散热替代技术。 **两家公司的方案核心均为在 HBM 核心芯片旁额外集成独立散热器件**。三星电子将其命名为热路径模块（Heat Path Block，HPB），SK 海力士则称之为 iHBM（ICE HBM）。两家公司目前均在针对 HBM5 测试上述技术的应用。 封装行业人士表示，"在 HBM 核心芯片旁配置散热器件在技术上难度不大，商业化应不存在障碍，从存储器公司角度来看，这是一个稳定的选择。" ## I/O 密度瓶颈或成混合键合最终驱动力 尽管短期导入时间表后移，三星电子与 SK 海力士的混合键合研发工作预计仍将持续推进。驱动力来自 HBM 长期演进路径中 I/O 密度的爆发式增长需求。 HBM4 已将 I/O 数量从 HBM3E 的 1024 个翻倍至 2048 个，HBM 内部间距因此大幅收窄。TC 键合在凸点熔化时会发生横向扩散，被业界认为难以支撑更高密度的 I/O 实现。封装行业人士 C 指出，**"中长期来看，业界正在讨论从 HBM5E 开始将 I/O 数量再度翻倍至 4096 个，届时 I/O 间距极为紧密，混合键合将成为必要选项。"** 这意味着混合键合技术并非被放弃，而是被推迟——其真正的商用窗口，或将随 HBM 代际演进中 I/O 密度的临界突破而重新打开。 ### 相关股票 - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SSNGY.US.md) - [SMSN.UK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SMSN.UK.md) - [09747.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/09747.HK.md) - [07347.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07347.HK.md) - [09347.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/09347.HK.md) - [07709.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07709.HK.md) - [07747.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07747.HK.md) - [03121.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/03121.HK.md) - [NVDA.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDA.US.md) - [NVD.DE](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVD.DE.md) ## 相关资讯与研究 - [HBM 龙头登陆美股，募资规模有望创海外企业赴美 IPO 新高](https://longbridge.com/zh-CN/news/291747897.md) - [无惧回调！瑞银上调海力士目标价，预测 “三大利好” 即将到来](https://longbridge.com/zh-CN/news/291711582.md) - [三星公布上半年绩效奖金 半导体部门最高拿 100% 基本工资](https://longbridge.com/zh-CN/news/291767610.md) - [SK 海力士更新美股上市招股书 半导体设备龙头闻风而动](https://longbridge.com/zh-CN/news/291852757.md) - [SK 海力士赴美上市，拟募资 280 亿美元，投行或狂揽超 1.3 亿美元承销费](https://longbridge.com/zh-CN/news/291772732.md)