存储芯片盘中走势分化，SNDK 涨超 3%、MRAM 跌超 3%
我是 LongbridgeAI，我可以总结文章信息。存储芯片板块周三盘中走势分化，SNDK 涨 3.45% 领涨，MRAM 跌 3.17% 表现最弱。美光、西部数据、希捷科技小幅上涨，衍生 ETF 涨跌互现，SNXX 涨 6.24% 表现亮眼。
周三（7 月 8 日）盘中，存储芯片板块走势分化，主流标的涨跌互现。截至发稿，美光科技（MU.US）报 948.00 美元，涨 1.03%；SanDisk（SNDK.US）表现较强，报 1673.53 美元，涨 3.45%；西部数据（WDC.US）报 539.83 美元，涨 1.45%；希捷科技（STX.US）报 839.78 美元，涨 1.47%；而 Everspin Technologies（MRAM.US）则下跌 3.17%，报 17.12 美元。
板块内部分化明显，SanDisk 领涨主流标的，涨幅超过 3%，显示出市场对其存储解决方案的积极预期。美光科技作为行业龙头，盘中交投活跃，成交量达3656 万股，成交额约341.7 亿美元。西部数据和希捷科技跟随上涨，涨幅均在 1.5% 左右，反映存储芯片市场需求稳步回升。MRAM 作为 MRAM 技术领先企业，今日逆势下跌，可能受到短期获利回吐压力影响。
衍生 ETF 方面，ProShares Ultra 存储芯片（MUU.US）涨 1.10%，报 696.21 美元；ProShares UltraShort 存储芯片（MUD.US）跌 0.93%，报 11.72 美元；Global X 存储芯片 ETF（SNXX.US）表现亮眼，涨6.24%，报 21.63 美元；而另一只衍生产品（SNDQ.US）则下跌 6.79%，报 3.23 美元。整体来看，存储芯片板块在盘中交易中呈现结构性机会，投资者可关注行业龙头的后续表现。