我是 LongbridgeAI，我可以总结文章信息。Navitas Semiconductor 和 Magnachip Semiconductor 宣布建立战略合作伙伴关系，以加速高压 (HV) 和超高压 (UHV) 碳化硅 (SiC) 的采用。Magnachip 将许可 Navitas 的 GeneSiC TAP 技术，涵盖 1200V 及更高电压，以进入 HV/UHV SiC 市场。该协议为 Magnachip 提供了对 Navitas 供应链和材料生态系统的访问，促进了下一代电力转换应用在能源、汽车和工业领域的更快市场进入
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Navitas 与 Magnachip 合作加速高压和超高压碳化硅的采用
位于美国加利福尼亚州托伦斯的氮化镓（GaN）功率集成电路和碳化硅（SiC）技术公司 Navitas Semiconductor Corp 与总部位于韩国的 Magnachip Semiconductor Corp（设计和制造模拟及混合信号功率半导体平台解决方案）宣布建立战略合作伙伴关系，以加速 SiC 技术在高压（HV）和超高压（UHV）电力市场的采用。
Magnachip 将获得 Navitas 的 GeneSiC Trench-Assisted Planar（TAP）技术许可，以进入 HV 和 UHV SiC 市场。该许可涵盖 1200V、2300V、3300V 及更高电压的 GeneSiC 第四代和第五代技术，使 Magnachip 能够基于 Navitas 经过验证的 SiC 器件平台，开发下一代功率转换应用。
Magnachip 还将获得 Navitas 的 SiC 供应链和材料生态系统的访问权限，以支持更快的市场进入。同时，该技术计划在 Magnachip 的工厂进行移植、验证和内部化。
两家公司预计这种方法将有助于加速 Magnachip 进入 SiC 市场，同时保持与 Navitas 已建立的技术和材料基础的连续性。许可技术预计将支持下一代应用，包括能源和电网基础设施、能源存储、工业电气化、汽车及其他高功率系统。
该协议还涵盖了超出 SiC 的更广泛合作。其他合作领域预计将在稍后详细说明并宣布。
Navitas 总裁兼首席执行官 Chris Allexandre 表示：“与 Magnachip 的这一战略合作伙伴关系反映了我们扩大 GeneSiC 在高压和超高压电力市场采用的长期愿景。通过许可我们经过验证的 GeneSiC 技术，并通过我们的供应链和材料生态系统支持 Magnachip，我们正在创造一个更快速扩展先进 SiC 解决方案的路径，同时促进我们公司之间更深入、长期的合作。”
Magnachip 首席执行官 Chae Lee 表示：“该协议为 Magnachip 在高压和超高压 SiC 领域开辟了一个重要的新市场机会。GeneSiC 技术的加入补充了我们现有的 MOSFET 和功率半导体产品组合，使 Magnachip 能够为需要更高效率、更高电压能力和更可靠功率转换解决方案的客户提供服务。”
Navitas 推出 1200–3300V SiC MOSFET 的绝缘通孔封装
Navitas 推出第五代 SiC Trench-Assisted Planar MOSFET 技术
Navitas 正在采样 3300V 和 2300V 超高压碳化硅产品组合
SiC 功率 MOSFET
www.magnachip.com
www.navitassemi.com