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尽管 SK 海力士计划通过投资 380 亿美元进行工厂搬迁以提高芯片产能,其股票(SKHY)仍持续下跌

Tip Ranks
2026年8月7日 10:13
LongbridgeAI我是 LongbridgeAI,我可以总结文章信息。

SK 海力士的股票在盘前交易中下跌,尽管该公司宣布将投资 380 亿美元扩建两座工厂并将生产能力翻倍。该公司旨在通过在韩国建设新的 DRAM 和 NAND 设施,以满足日益增长的人工智能时代内存需求,计划在 2028-2029 年开始运营。尽管这一举措解决了全球芯片短缺问题并确保了长期客户协议,但投资者仍对利润率的可持续性感到担忧

尽管制定了 380 亿美元的计划以扩建两座工厂并将生产能力翻倍,韩国芯片制造商 SK 海力士(SK Hynix)的股票在今日盘前交易中小幅下跌。

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对内存的需求不断增长

全球第二大内存芯片制造商表示,将在韩国龙仁市建设一座新的 DRAM 制造设施,并在清州建设一座 NAND 制造厂。该举措是为了应对 “在人工智能时代对内存不断增长的需求”,并将有助于缓解全球芯片短缺。

SK 海力士的一位发言人补充道:“这项投资是为了确保我们在市场增长时不失去机会。通过主动确保生产能力,我们将确立自己作为关键的人工智能基础设施合作伙伴,助力全球人工智能半导体供应链的稳定。”

SK 海力士表示,新的龙仁 Y2 将是计划在龙仁半导体集群内建设的四座工厂中的第二座。它计划于明年 7 月开始建设,目标是在 2029 年 6 月开放第一间洁净室,以生产高带宽内存和其他下一代 DRAM。清州 M17 的扩建将于 2 月开始,第一间洁净室的目标是在 2028 年底前完成。

满足投资者的关注

DRAM(动态随机存取内存)芯片是快速工作的内存,帮助服务器和计算机快速处理活动数据。NAND 芯片是用于固态硬盘(SSD)的闪存,用于长期数据存储。

预计 SK 的芯片整体需求将继续增长,行业估计 DRAM 制造商仅满足全球需求的 75% 到 80%。SK 海力士还在不断创新,计划在下半年向领先的人工智能芯片设计师提供 HBM4 样品,并预计在 2027 年实现 HBM4 和 HBM4E 的量产。

然而,一些投资者担心,尽管公司的生产能力已售罄至 2027 年,并且正在与客户签订多项长期合同,但利润率是否可持续。

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