SK 海力士重庆工厂，传将有变动

据知情人士透露，韩国 SK 海力士公司正在考虑其位于中国重庆的工厂的各种方案，包括引入投资者以帮助加速增长。

据知情人士透露，这家公司是英伟达公司高带宽内存芯片的主要供应商，目前正在与潜在顾问洽谈，以协助审查其业务。由于涉及内部信息，知情人士要求匿名。他们还表示，潜在的股权出售可能使该工厂的估值达到约 30 亿美元。

据 SK 海力士官网显示，该公司 20 多年前就已进入中国市场，当时与中国东部城市无锡签署协议，建设其首个大型海外晶圆制造厂。重庆工厂提供大规模的半导体封装和测试基地，助力该公司 NAND 闪存后端产能实现全球增长。

知情人士称，潜在买家可能包括中国基金和业内企业。他们还补充说，SK 海力士可能会保留该资产的少数股权。

知情人士表示，这些讨论只是初步的，不一定会促成任何交易。

SK 海力士的一位代表拒绝置评。

此外，该公司周五宣布计划投资 54 万亿韩元（约合 380 亿美元）扩建其在韩国的芯片制造设施。将在龙仁新建一座 DRAM 制造厂，并在清州新建一座 NAND 闪存制造厂。该公司表示，此举是为了应对人工智能时代日益增长的内存需求。

7 月，SK 海力士在美国上市筹集了 265 亿美元，创下外国公司在美国交易所上市以来的最高纪录。这笔轰动性的股票发行引领了亚太地区企业在股权资本市场创纪录的一个月。

SK 海力士营收创新高

受惠于人工智能（AI）记忆体需求持续强劲，韩国记忆体龙头 SK 海力士（SK hynix）于周三（7 月 29 日）公布第二季（截至 2026 年 6 月底）财报，营收、营业利益与净利益皆创下季度历史新高。尽管成绩亮眼，仍低于市场高度预期，导致首尔股市股价大幅下跌，并牵动亚洲晶片股走弱。

根据 SK 海力士官方数据，第二季营收达 79.3187 兆韩元（约 550 亿美元），较去年同期大幅成长 257%；营业利益 60.5426 兆韩元（约 420 亿美元），年增 557%，营业利益率达 76%；净利益 93.9226 兆韩元（约 650 亿美元），年增 1,242%。与上一季相比，营收与营业利益分别成长 51% 与 61%。三项核心指标均刷新纪录，上半年累计营收也首次突破 100 兆韩元。

然而，这份财报仍低于投资人预期。根据 LSEG SmartEstimates 等市场共识，原先预估第二季营收约 84 兆韩元（580 亿美元）、营业利益约 64 兆韩元（约 440 亿美元）。

实际数字的落差，加上市场对 AI 基础设施支出可持续性的疑虑，引发卖压。SK 海力士当日股价在首尔市场大跌 9.6%（盘中更一度暴跌 15%）；该公司与三星电子（Samsung Electronics）合计在韩国基准指数（KOSPI）指数中所占权重极高，两者股价下跌，拖累该指数当日下挫约 6%。

尽管自 6 月历史高点以来， SK 海力士市值已大幅回落（部分统计显示蒸发逾一半），但受惠于今年早些时候的 AI 热潮，该股今年迄今累计涨幅仍高达约 138%。

分析师认为，获利未达预期很大程度上反映出货产品组合递延与长期供应协议（LTA）定价较为保守，而非需求转弱。大和资本市场（Daiwa Capital Market）周三告诉彭博电视（Bloomberg TV），AI 驱动的超级周期基本面并未改变，投资人在股价出现修正后，正期待更明确的股东回报政策。

SK 海力士企业中心总裁宋贤钟（Song Hyun-jong）在财报电话会议上表示，AI 记忆体需求依旧强劲，主要客户持续要求增加供应。公司正积极寻求更多长期供应协议，以管理价格波动并确保稳定供应。

此类协议通常为期约五年，并包含保证金等财务保障措施。目前已完成约 10 项此类协议的谈判，并持续与其它主要业者讨论。主要客户包括英伟达（Nvidia，辉达）等美国大型科技公司，双方近期透过一项价值超过 5,000 亿美元的多年期合作扩大伙伴关系。

eToro 亚太区首席分析师乔许‧吉尔伯特（Josh Gilbert）指出，公司毛利率高达约 83%，显示定价权依然存在，“这种情况不会出现在需求疲软的市场，只会出现在客户争夺供应的市场”。

为因应 AI 基础设施投资扩大与需求成长，SK 海力士表示将优先投资成长领域，并维持稳健财务结构。公司预期今年资本支出将达 40 兆韩元（约 280 亿美元）区间的高段。

财报显示，动态随机存取记忆体（DRAM）和快闪记忆体（NAND）价格均出现季增。公司透过扩大高附加价值产品销售，包括高频宽记忆体（HBM）、AI 服务器专用 DRAM 与企业级固态硬碟（eSSD），维持顶级获利能力。

技术方面，凭借第四代高频宽记忆体（HBM4）在能源效率与成本竞争力上的优势，SK 海力士已于第二季开始量产出货，并将于下半年扩大生产；升级版 HBM4E 采用了兼具技术成熟度与量产稳定性的最优制程工艺，上半年已交付样品。

NAND 方面正加速向先进制程转型，321 层产品目前已占总产量最大份额，目标年底前达到韩国国内产能的 50%。公司计划利用韩国利川、龙仁现有制造中心最大化产量，同时提升清州 NAND 产量与先进封装能力。

整体而言，SK 海力士第二季财报再次印证 AI 记忆体超级周期的强劲动能，但同时也凸显市场对高估值与未来支出可持续性的敏感。管理层对中长期需求持乐观态度，并透过长期协议与产能扩张，力求在波动中稳固领先地位。

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