功率 GaN 器件市场预计将以 35% 的年复合增长率增长，到 2031 年达到 35 亿美元，这一增长主要受到数据中心、电动汽车和工业系统的推动

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功率氮化镓（GaN）在过去几年中在消费快充设备中证明了自己的价值，但根据 Yole Group 的年度报告《Power GaN 2026》，这一阶段即将结束。GaN 现在正进入一个更广泛的多市场采用周期，人工智能数据中心、电动汽车、工业系统和可再生能源都成为重要的需求驱动因素。对于芯片制造商、代工厂和投资者而言，了解这一波增长的集中领域以及哪些公司有能力捕捉这一机会，对于未来五年的战略规划至关重要。

“多年来，功率 GaN 的故事几乎完全围绕着你口袋里的手机充电器。但这已不再是全部，” Yole Group 的复合半导体技术与市场分析师 Roy Dagher 博士指出。“人工智能基础设施为这项技术开启了第二个，甚至可以说是更大的篇章，而且发展迅速。”

消费和移动电子产品仍然是市场的主要收入来源，预计到 2031 年将达到 17 亿美元，原因在于快充和家电的持续采用。但增长最快的领域是汽车，车载充电器和新兴的 48V 架构推动该领域的年复合增长率（CAGR）达到 57%；电信/基础设施领域则因人工智能驱动的数据中心需求，推动 CAGR 达到 45%，达到 7.5 亿美元。

展望未来，人形机器人在 2030 年之后有望成为一个潜在的增长引擎。人形平台中的执行器驱动和电池管理都需要在严格的重量和热预算内实现高功率密度——这是 GaN 效率和小型化最为重要的条件。目前的市场规模微不足道，但如果人形平台在 2030 年代达到商业规模，它们将为消费、汽车和数据中心应用之外的需求池增添新的动力。

GaN 竞争加剧，采用范围扩大

竞争格局也在发生变化。Innoscience 在 2025 年占据了领先地位，并继续扩大在汽车和数据中心的市场份额。英飞凌科技凭借数据中心和可再生能源的胜利，取得了年度最大的增长，而瑞萨电子则在多个领域持续扩展。Navitas 采取了不同的路径，故意在低利润的快充市场中放弃市场份额，以便在更高价值的细分市场中占据立足点。

onsemi 是最重要的新进入者：它通过与 GlobalFoundries 合作，进入了功率 GaN 市场，开发 650V 设备，基于 200mm GaN-on-silicon 平台，同时与 Innoscience 建立了平行的晶圆供应安排，客户采样将在 2026 年上半年开始，目标是人工智能数据中心、电动汽车和可再生能源。

在领先者之后，一群快速增长的供应商——ROHM、德州仪器、意法半导体、Nexperia，以及包括 GaNext 和 Southchip 在内的中国新进入者——正在随着 GaN 在行业的进一步普及而获得市场份额。

制造基础多样化

制造转变是报告的核心发现之一。行业并没有集中在单一主导代工厂，而是有效地分散开来：GlobalFoundries 已从台积电获得 GaN 技术许可，并在美国进行生产验证，台湾的 Vanguard International Semiconductor Corp（VIS）和 Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp（PSMC）正在吸纳客户从台积电转移的产量，而三星、DB HiTek 和 SK Keyfoundry 则在韩国各自建立早期的 GaN 能力。同时，包括英飞凌、瑞萨、onsemi、意法半导体、ROHM 和 Nexperia 在内的 IDM 公司继续投资于自身的产能和垂直整合，通常通过收购实现。

“台积电退出 GaN 代工工作可能被视为行业的警告信号。然而，实际上，这正成为该生态系统成熟程度的最明确信号之一，” Yole Group 半导体基板与材料的首席技术与市场分析师 Poshun Chiu 表示。“其他代工厂正在迅速进入，制造基础比以往更加分散。”

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www.yolegroup.com/product/report/power-gan-2026