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title: "SK 海力士的 40 亿美元 HBM 项目旨在填补美国芯片制造的空白"
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description: "SK 海力士宣布将在印第安纳州投资 40 亿美元建设先进封装设施，以生产高带宽内存（HBM）芯片，旨在解决美国半导体供应链的脆弱性。HBM4E 芯片的商业生产计划于 2029 年底开始，2030 年后有可能进行本地制造。该项目与普渡大学合作进行研发和人才培养，使印第安纳州成为美国日益激烈竞争中关键的 HBM 基地，竞争对手包括台积电和艾克尔科技"
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# SK 海力士的 40 亿美元 HBM 项目旨在填补美国芯片制造的空白

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SK 海力士在美国首个高带宽内存（HBM）先进封装工厂的投资达 40 亿美元，旨在帮助弥补美国半导体产业的制造脆弱性。

韩国内存巨头在 8 月底于美国印第安纳州的一次活动中表示，将在 2029 年下半年首次在美国进行 HBM 芯片的封装和测试。

HBM 一直是支持人工智能扩展的关键主流内存。先进封装将多个芯片组合成一个封装，或者在 HBM 的情况下，垂直堆叠内存以增强性能，克服摩尔定律的物理限制。

由于全球大部分先进封装能力集中在亚洲，美国在芯片生产的关键阶段面临供应链脆弱性。美国在人工智能芯片设计方面处于领先地位，但将大部分制造外包给台湾的台积电和韩国的三星及 SK 海力士等公司。

印第安纳州的工厂将对 SK 海力士在韩国制造的 HBM 芯片进行最终处理。SK 海力士首席执行官郭诺正表示，成为 HBM 制造的领导者还不够。

“我们还必须通过先进封装为客户开发定制的内存供应，” 郭诺正指出。“我们必须最大化内存、人工智能芯片和整个系统的性能。”

SK 海力士的工厂将在 2029 年下半年开始商业生产 HBM4E 芯片，每年处理数十万片晶圆。该公司暗示，可能在 2030 年后在印第安纳州附近制造 HBM 芯片。

“到 2030 年，印第安纳州预计将成为关键的 HBM 生产基地，” 郭诺正说。SK 海力士正在与数百家供应商讨论，以在该地区建立产业生态系统。

该公司正在与附近的普渡大学合作进行研发和即将到来的先进封装技术。SK 海力士的先进封装研发设施将与当地生产线毗邻，使客户、大学和合作伙伴能够共同开发下一代封装技术，并进行原型制造和性能验证。

### **竞争**

全球第二大半导体封装和测试（OSAT）公司安可（Amkor）正在亚利桑那州凤凰城的台积电新芯片工厂附近投资约 70 亿美元建设先进封装设施。安可的设施预计将在 2028 年左右准备投入生产，与 SK 海力士在印第安纳州的生产启动时间相同。

台积电还计划在 2029 年前在亚利桑那州开设首个先进封装设施。根据分析师的说法，该公司今年在 HBM 封装方面遇到了问题。

全球最大的芯片封装商 ASE 科技正在加大对亚洲的投资，今年的扩张预算创纪录地达到 105 亿美元，包括先进封装。

### **普渡大学**

普渡大学是几所大学之一，领导美国半导体回流工作，2022 年推出了全国首个全面的半导体学位项目。

普渡大学的 Birck 纳米技术中心拥有美国最大的学术洁净室之一和 33,000 平方英尺的专业实验室。

普渡大学工程学院院长兼大学首席半导体官马克·伦德斯特罗姆表示，他对普渡大学能够满足 SK 海力士对工程人才的需求充满信心。

“我们正在培养大量学生，涵盖生态系统的各个方面，” 伦德斯特罗姆告诉 EE Times。“不仅是电气和计算机工程，还有材料、化学、机械、工业工程。实际上是跨越整个领域，因为这些公司需要各种不同类型的人才。”

普渡大学在四年前只有 40 名学生参与芯片设计项目，而今天接近 400 名。大学的纳米技术中心有 100 名学生正在进行芯片制造项目。

“四年前我们甚至没有这些项目，” 伦德斯特罗姆指出。

普渡大学的先进系统集成与封装中心有大约 35 名教职员工支持全国最大的先进封装项目之一。

“这可能是 SK 海力士决定与我们合作并来到这里的一个因素，” 伦德斯特罗姆说。“在活动中有一些迹象表明，这是更大事情的第一步。我们现在专注于确保这个封装设施和研发实验室的成功，并将供应链合作伙伴引入这里。”

普渡大学在半导体行业的其他主要合作伙伴包括台湾芯片设计公司联发科技和欧洲的研发组织 imec。

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CHIPLETS, HBM, 高带宽内存， 半导体， SOC

SK 海力士公司

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