我是 LongbridgeAI，我可以总结文章信息。美光科技宣布推出全球首款 512GB DDR5 RDIMM，旨在满足人工智能和数据密集型服务器工作负载的需求。该模块的速度可达 9,200 MT/s，并且与较低容量的替代品相比，操作功耗降低超过 60%。经过 AMD 和英特尔的验证，它能够在现有的空间内支持多 TB 的服务器。量产计划在 2027 年下半年进行
美光推出了一款 512GB DDR5 RDIMM，旨在为人工智能和数据密集型工作负载提供多 TB 的高效能服务器，预计将在 2027 年开始大规模生产。
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美光的先进 DRAM 封装使 512GB DDR5 RDIMM 能够以高达 9,200 MT/s 的速度释放数据中心性能，并将运行功耗降低超过 60%
爱达荷州博伊西，2026 年 9 月 15 日（GLOBE NEWSWIRE）-- 美光科技公司（Nasdaq: MU）今天宣布在内存创新方面取得了重大里程碑，成功演示了全球首个 512GB DDR5 模块在多个服务器平台上的应用。这一成就巩固了美光在高性能、高容量服务器内存领域的领导地位，为企业数据中心和云客户提供了支持大型和高要求的人工智能、分析、内存数据库和重模拟工作负载的高效路径。领先的半导体支持商 AMD 和 Intel 都在积极验证该模块，该模块将提供高达 9,200 MT/s 的速度。
该模块的高容量得益于美光先进的垂直互连封装创新。该产品通过硅通孔（TSVs）垂直堆叠 DRAM 芯片，以最大化单个 DRAM 封装内的密度，同时保持现代数据中心架构所需的性能。该模块在单个 24 插槽双插座服务器中支持高达 12TB 的 DDR5 DRAM。
“美光继续引领内存技术的发展，提供一种新型超密集、高性能的服务器内存，帮助客户将更大的数据集更靠近需要它们的计算引擎，” 美光云内存业务部高级副总裁兼总经理 Raj Narasimhan 表示。“512GB RDIMM 支持多 TB 服务器，支持更大的人工智能和数据库工作负载、更高的虚拟化密度和更好的能效，所有这些都在现有的服务器占地面积内。”
生态系统合作伙伴验证 美光正与领先的生态系统支持商紧密合作，以验证 512GB DDR5 RDIMM 在下一代服务器平台上的兼容性，确保广泛的兼容性和顺利的部署路径。
“AMD 的解决方案继续推动数据中心性能、可扩展性和效率，因为人工智能和数据密集型工作负载正在重塑基础设施需求，” AMD 计算与企业人工智能平台解决方案工程的企业副总裁 Amit Goel 表示。“我们与美光的紧密工程合作将计算和内存创新结合在一起，帮助客户实现 AMD 平台的全部价值。我们共同为现代工作负载的不断增长的规模和复杂性提供平衡的高性能基础设施。”
“人工智能和其他数据密集型工作负载的增长对服务器基础设施提出了新的要求，使内存容量和带宽对整体系统性能变得越来越重要，” 英特尔数据中心集团平台和系统工程总经理 Karin Eibschitz Segal 表示。“英特尔正与美光紧密合作，以验证其 512GB DDR5 RDIMM，并帮助启用未来的服务器平台，以满足下一代数据中心工作负载日益增长的需求。”
满足数据密集型工作负载的内存需求 大型语言模型（LLMs）、自主人工智能、实时推理和高核心数 CPU 工作负载的快速普及正在推动对更大服务器内存容量、更高带宽和更好能效的需求。美光 512GB RDIMM 通过使更大的数据集保持在主内存中，减少对较慢存储层的依赖，最小化昂贵的数据移动来满足这些需求。新的 512GB RDIMM 还提高了效率，与四个 128GB RDIMM 相比，运行功耗降低超过 60%。
对于内存密集型工作负载，如基于 Spark 支持向量机（SVM）的数据分析，美光 512GB RDIMM 的性能可比 256GB DDR5 配置高出 1.4 倍。512GB 模块还为内存密集型数据库和缓存平台（包括 RocksDB 和 Redis）提供了显著优势，提高了吞吐量，增加了并发性，并帮助更高效地扩展数据集。
行业对这一未来内存解决方案的看法“随着数据中心工作负载的持续增长，我们越来越关注如何在整个技术栈中优化计算、内存和效率之间的平衡，” 摩根大通基础设施平台首席信息官 Darrin Alves 表示。“像美光的 512GB RDIMM 这样的高容量内存技术将帮助企业支持更大的内存工作负载，提高资源利用率，并增强扩展现代计算环境所需的灵活性。”
美光预计 512GB RDIMM 将在 2027 年下半年开始大规模生产，以满足客户需求。有关美光目前可用的数据中心解决方案的更多信息，请访问美光数据中心内存网页。
关于美光科技公司 美光科技公司是全球半导体内存和存储的领导者，为从云到边缘的人工智能和计算密集型应用提供动力。美光专注于客户、技术和产品领导力，以及制造和运营卓越，其全面的高性能 DRAM、NAND 和 NOR 解决方案组合提供了当今工作负载所需的速度、效率和规模，加速智能化以丰富所有人的生活。要了解更多关于美光科技公司的信息（Nasdaq: MU），请访问 micron.com。
前瞻性声明 本新闻稿包含前瞻性声明，包括关于美光 512GB DDR5 RDIMM 的预期性能、能力、优势、验证和部署，以及大规模生产的时间安排。这些前瞻性声明受到多种风险和不确定性的影响，可能导致实际结果与预期结果存在重大差异。请参阅美光向证券交易委员会提交的文件，特别是其最新的 10-K 表格和 10-Q 表格。这些文件包含并识别可能导致实际结果与这些前瞻性声明中包含的结果存在重大差异的重要因素。这些因素可以在 https://investors.micron.com/risk-factor 找到。尽管美光相信前瞻性声明中反映的预期是合理的，但美光无法保证未来的结果、活动水平或成就。美光没有义务在本新闻稿日期之后更新任何前瞻性声明，以使这些声明与实际结果相符。
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1 基于一个 512GB 模块的 16.0W，与四个 128GB 模块的总功耗 44.2W 相比。
