DRAM - Roundhill Memory ETF（ DRAM 1.96%），首个专注于内存股票的交易所交易基金（ETF），在 4 月 2 日首次上市时以 27 美元的开盘价强势起步，基金价值三倍增长。然而，最近该基金与内存股票一起回落，目前较高点下跌超过 20%。

在基金远离高点的情况下，现在是购买该 ETF 的时机吗？

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NYSEMKT: DRAM

Roundhill ETF Trust - Roundhill Memory ETF

今日变动

(-1.96%) $-1.26

当前价格

$63.10

关键数据点

资产管理规模（AUM）

$25B

费用比率

0.65%

主要持股

912797UP0

24.83%

000660.KS

16.58%

005930.KS

15.97%

对内存股票的集中投资

DRAM - Roundhill Memory ETF 并不是典型的多元化基金，甚至不是行业特定基金。它是对内存市场的高度集中投资，特别是动态随机存取内存（DRAM），在一定程度上也包括闪存（NAND）。该 ETF 近 75% 的持股集中在三大 DRAM 制造商：美光（ MU 1.05%）、三星 和 SK 海力士。这三者的权重目前相对均匀，美光最高为 25.8%，SK 海力士最低为 23.7%。

这三家 DRAM 制造商基本上都在同样的顺风中。由于对高带宽内存（HBM）的需求激增，DRAM 价格飙升。HBM 与图形处理单元（GPU）和其他人工智能芯片打包在一起，以帮助优化其性能。随着 AI 推理 的兴起，这种需求正在进一步增加，因为推理通常比计算更依赖内存。预计推理市场将超过训练市场，因此对 HBM 的需求预计将保持强劲。

与此同时，HBM 所需的晶圆容量是普通 DRAM 的三倍以上，这加剧了当前的供应短缺。由于三大内存制造商专注于更高利润的 HBM，导致所有 DRAM 价格因当前的供需失衡而飙升。

结果是这三家公司都见证了收入激增和 毛利率 飙升。预计这种情况不会很快减缓，SK 海力士首席执行官郭诺正最近表示，他预计明年将出现史上最严重的 DRAM 供应短缺。他预测市场将在 2030 年之后仍然受到供应限制。

图片来源：Getty Images。

这通常是一个高度周期性的业务，三大 DRAM 制造商也首次锁定了长期合同。这应该有助于减少业务的周期性，并可能帮助股票获得更高的倍数。

DRAM ETF 是投资内存市场的绝佳方式，不仅让你接触到三大 DRAM 厂商，还包括像 闪迪 和日本公司 Kioxia 这样的 NAND 公司，它们都在寻求开发高带宽闪存（HBF）。值得注意的是，该 ETF 有时会使用杠杆和总回报掉期，但这主要是出于税务目的以及快速获得股票敞口的方式。Roundhill 提供了一个独特的杠杆版本 ETF，即 Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF，但我通常不推荐杠杆 ETF。

总的来说，这是一个我会更像对待个别股票的 ETF，我认为这是参与当前 DRAM 超级周期的不错方式，这个周期在未来几年看起来可能会持续。