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title: "$英特尔(INTC.US)intel 宣称下一代存储技术，代替 HBM。创新点是用铜材料在芯片外围 Z 角封装堆叠，使用 intel 的 EMIB 封装技术。铜的散热性更好，相对 HBM 打孔凸出电阻"
description: "$英特尔(INTC.US)intel 宣称下一代存储技术，代替 HBM。创新点是用铜材料在芯片外围 Z 角封装堆叠，使用 intel 的 EMIB 封装技术。铜的散热性更好，相对 HBM 打孔凸出电阻更小，所以理论上可以比现在 HBM 堆的更多，功耗更小。"
type: "topic"
locale: "zh-CN"
url: "https://longbridge.com/zh-CN/topics/38628587.md"
published_at: "2026-02-10T07:22:38.000Z"
author: "[LipBu Tan](https://longbridge.com/zh-CN/profiles/14563506)"
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# $英特尔(INTC.US)intel 宣称下一代存储技术，代替 HBM。创新点是用铜材料在芯片外围 Z 角封装堆叠，使用 intel 的 EMIB 封装技术。铜的散热性更好，相对 HBM 打孔凸出电阻

$英特尔(INTC.US)intel 宣称下一代存储技术，代替 HBM。创新点是用铜材料在芯片外围 Z 角封装堆叠，使用 intel 的 EMIB 封装技术。铜的散热性更好，相对 HBM 打孔凸出电阻更小，所以理论上可以比现在 HBM 堆的更多，功耗更小。

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