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title: "ZAM 在性能指标上展现出对标甚至超越 HBM 的潜力。初步讨论数据显示，得益于 Z-Angle 互连技术，新内存的功耗相比现有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是，其单芯片存储容量最高可达"
description: "ZAM 在性能指标上展现出对标甚至超越 HBM 的潜力。初步讨论数据显示，得益于 Z-Angle 互连技术，新内存的功耗相比现有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是，其单芯片存储容量最高可达 512GB，这一数据远超当前主流内存产品的规格。"
type: "topic"
locale: "zh-CN"
url: "https://longbridge.com/zh-CN/topics/38652098.md"
published_at: "2026-02-11T06:47:58.000Z"
author: "[冲动是魔鬼](https://longbridge.com/zh-CN/profiles/17766278)"
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# ZAM 在性能指标上展现出对标甚至超越 HBM 的潜力。初步讨论数据显示，得益于 Z-Angle 互连技术，新内存的功耗相比现有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是，其单芯片存储容量最高可达

ZAM 在性能指标上展现出对标甚至超越 HBM 的潜力。初步讨论数据显示，得益于 Z-Angle 互连技术，新内存的功耗相比现有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是，其单芯片存储容量最高可达 512GB，这一数据远超当前主流内存产品的规格。

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