--- title: "存储行业投资分析:超级周期下的机遇与挑战" description: "昨天市场没什么看头,窄幅震荡,基本上跟我一周前瞻里面的剧本是一个,还是要看今晚的数据情况。黄金今天再次来到 5050-5060 的压力位,仍然有可能再度下探,上车机会走过路过不要错过。加密持续寒冬,昨天 hood 的财报不及预期,主要还是加密持续萎靡拖累了利润。最近不知大家有没有留意到,加密出现在新闻里面的频率变高了,不知道有没有说法咯~今天主要想聊一下确定性更高的存储系..." type: "topic" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/topics/38655133.md" published_at: "2026-02-11T10:20:39.000Z" author: "[花街S姐](https://longbridge.com/zh-CN/profiles/17743303)" --- # 存储行业投资分析:超级周期下的机遇与挑战 昨天市场没什么看头,窄幅震荡,基本上跟我一周前瞻里面的剧本是一个,还是要看今晚的数据情况。黄金今天再次来到 5050-5060 的压力位,仍然有可能再度下探,上车机会走过路过不要错过。加密持续寒冬,昨天 hood 的财报不及预期,主要还是加密持续萎靡拖累了利润。最近不知大家有没有留意到,加密出现在新闻里面的频率变高了,不知道有没有说法咯~ 今天主要想聊一下确定性更高的存储系,存储作为开年以来最热门的题材之一,我翻了一下过往文章,居然没有专门写过,再加上刚好这几天进入了回调的阶段,所以今天想讨论一下存储行业的未来预期、扩厂后的供需缺口、核心逻辑拆解,并对周期是否见顶进行判断。 **价格趋势与供需格局** 存储芯片价格在 2026 年初呈现出强劲的上涨势头。DRAM 合约价在 2026 年 1 月环比大幅上涨,其中 PC DRAM 合约价上涨约 98%,服务器 DRAM 上涨约 90%。UBS 指出,2025 年至 2027 年间,DRAM 每 Gb 价格可能累计上涨 289%,而 NAND 价格可能累计上涨 144%。尽管预计 2026 年第二季度 DRAM 价格涨幅将放缓至 20-25% 的季度环比增长,但整体价格水平仍将保持高位。 从供需层面来看,市场普遍预期存储行业将面临严重的供不应求,2026 年和 2027 年 DRAM 的供需缺口将分别达到-4.9% 和-2.5%,NAND 的供需缺口分别为-4.2% 和-2.1%。其中,2026 年的 DRAM 短缺被认为是过去 15 年来最严重的一次。 **表 1:DRAM 与 NAND 供需缺口预测 (2026E/2027E)** **扩厂与产能缺口** 尽管存储厂商已开始增加资本开支(Capex)以扩充产能,但新产能的释放速度远不足以弥补强劲的需求增长。主要原因包括: **1 洁净室空间限制**:现有洁净室空间有限,尤其是在 HBM(高带宽内存)产能优先的情况下,传统 DRAM 产能的增加受到制约。 **2 新建工厂周期长**:三星 P5 和海力士龙仁等新建工厂预计要到 2027 年下半年才能实现大规模量产。 **3 HBM 挤占效应**:HBM 的生产对晶圆的消耗量是传统 DRAM 的 3 倍,这意味着即使总晶圆产出增加,可用于传统 DRAM 的有效产能也会被 HBM 大量挤占。 大摩预计,2026 年晶圆产能增长仅为 7% 。这种有限的产能扩张与爆发式增长的需求形成了鲜明对比,进一步加剧了供需紧张。 **核心逻辑拆解:AI 驱动与技术瓶颈** 本轮存储超级周期的核心驱动力是人工智能的快速发展,特别是 AI 服务器对 HBM 和高容量 DDR5 的巨大需求。NVIDIA 推出的 Rubin 平台及其 ICMSP 架构,预计将为 NAND 市场带来巨大的增量需求,每颗 GPU 可能需要额外增加 16TB 的 KV Cache 存储。高盛预计,服务器相关 DRAM 需求(包括 HBM)将占全球 DRAM 总需求的 53%-57%,使其成为全球 DRAM 需求最重要的驱动力。 与此同时,DRAM 微缩技术的放缓也改变了行业的成本结构。随着密度提升的减缓,每比特成本的下降速度变慢,存储产品的定价更多地取决于产能分配和供需动态,而非单纯的技术进步**带来的成本降低**。 此外,**云服务提供商的强劲需求是支撑当前存储价格高位运行的关键因素**。即使 PC 和智能手机市场因存储成本上升而出现需求疲软,CSP 的需求依然旺盛,并愿意支付溢价以确保供应。存储成本在服务器物料清单中的占比已从 46% 上升至 67%,凸显了存储在 AI 服务器中的战略重要性。 **周期是否见顶?** 关于存储周期是否见顶,市场存在一定的分歧,争议点在于短缺能否持续到 2027 年甚至更久。支持周期持续的逻辑主要在于: **• AI 需求的持续爆发**:只要 AI 技术和应用持续发展,对高性能存储的需求就不会减弱。 **• 新产能释放滞后**:如前所述,大规模新产能的释放需要时间,在 2027 年之前难以有效缓解供需紧张。 **• 库存水平低位**:目前生产商和客户的库存水平普遍较低,难以应对突发需求或供应中断。 然而,潜在的风险点也不容忽视,包括: **• 需求破坏**:存储价格的持续飙升可能导致 PC 和智能手机等消费电子产品出现 “需求破坏”,即消费者因成本过高而推迟购买或选择低配产品。 **• 新产能集中释放**:如果 2027 年之后,大量新建工厂产能集中释放,可能导致市场再次出现供过于求的局面。 综合来看,在 AI 需求强劲、技术瓶颈和产能扩张滞后的多重因素作用下,存储行业的 “超级周期” 有望持续。在 2026 年,DRAM 和 NAND 的营业利润率预计将达到历史高位,例如三星和海力士的 DRAM OPM 可能达到 70%-80%。对于投资者而言,当前存储行业的估值(如美光)仍处于相对较低水平,存在重估空间。 **结论** 存储行业正处于一个由 AI 驱动的结构性增长周期中,供需紧张的局面在短期内难以改变。尽管存在价格过高导致需求破坏和未来产能集中释放的风险,但 AI 的长期发展趋势和现有产能的限制,使得存储行业在未来几年内仍具备较高的投资价值。 [$英伟达 (NVDA.US)](https://longbridge.com/quote/NVDA.US?invite-code=8SXD4G&channel=WHAB0002)[$特斯拉 (TSLA.US)](https://longbridge.com/quote/TSLA.US?invite-code=8SXD4G&channel=WHAB0002)[$Meta(META.US)](https://longbridge.com/quote/META.US?invite-code=8SXD4G&channel=WHAB0002)[$亚马逊 (AMZN.US)](https://longbridge.com/quote/AMZN.US?invite-code=8SXD4G&channel=WHAB0002)[$黄金 ETF - 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