--- title: "长鑫科技挂牌上市在即，长江存储还会远吗？" type: "Topics" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/topics/42221137.md" description: "摘要：2028 年周期供需拐点将至，上市融资扩产分秒必争 ID ：朝阳资本论作者：鼓风 6 月份的存储，二级市场买方强势，叠加业绩预期，“超级周期” 名副其实。就在刚不久，美光科技财报又加了一把火。2026 财年第三财季营收 414.6 亿美元，同比暴增 346%；毛利率达 84.9%。面对本轮存储超级景气周期，国产存储双雄，长鑫科技、长江存储正抓紧机会 “上车”。客观看..." datetime: "2026-06-26T02:21:00.000Z" locales: - [en](https://longbridge.com/en/topics/42221137.md) - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/topics/42221137.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/topics/42221137.md) author: "[朝阳资本论](https://longbridge.com/zh-CN/profiles/26763750.md)" --- # 长鑫科技挂牌上市在即，长江存储还会远吗？ 摘要：2028 年周期供需拐点将至，上市融资扩产分秒必争 ID ：朝阳资本论 作者：鼓风 6 月份的存储，二级市场买方强势，叠加业绩预期，“超级周期” 名副其实。 就在刚不久，美光科技财报又加了一把火。2026 财年第三财季营收 414.6 亿美元，同比暴增 346%；毛利率达 84.9%。 面对本轮存储超级景气周期，国产存储双雄，长鑫科技、长江存储正抓紧机会 “上车”。 客观看，**留给长鑫和长存抢占通用存储市场的黄金时间窗口，只有 1-2 年。** 毕竟，高盛、摩根士丹利等国际投行研判高度一致：本轮存储景气周期将贯穿 2026-2027 年，**2028 年是供需拐点。** 赛道内的龙头企业判断与投行如出一辙。 据韩媒透露，三星内部已预判，这轮由 AI 算力需求驱动的内存超周期，将在 2028 年前后走向终结。 美光也明确表态，存储芯片供应紧张将持续至 2027 财年之后，预计 2028 年才会逐步改善。 此外，海外巨头已在提前布局通用存储市场的回归。 据韩媒消息，SK 海力士近期已放缓 HBM4 扩产步伐，明确要将更多产能与研发资源倾斜至通用型 DRAM 市场。 可以说，一旦 HBM 供需缓和，海外巨头随时可能集体回头重抢通用存储市场，快速挤压国产厂商的生存空间。 届时，如果国产存储双雄尚未在产能规模、技术代际、客户黏性上建成足够深的护城河，通用存储市场价格战将重新开打。 而价格战，恰恰是长鑫 2023 年亏损 163 亿、2024 年亏损 71 亿的导火索。 市场会用真金白银买 2026 年业绩暴涨的长鑫，不会买 2024 年亏损的长鑫。 周期反转拐点，才是真正的定价锚。 **这也是长鑫科技火速过会拿批文、165 天完成注册的根本原因；也是长江存储 5 月进入辅导、6 月完成武汉新芯股权重整、扫清一切上市障碍的直接动力。** 当下，是长鑫和长存上市融资扩产抢占通用存储市场的最佳窗口，可能也是唯一窗口。错过这 1-2 年，再等下一个这样 AI 爆发周期，不知猴年马月了。 超级周期不会等人，海外巨头不会轻易让出通用存储市场，争分夺秒，分秒必争。 **存储赛道太火了** 2026 年，全球半导体资本市场最热主线，非存储赛道莫属。 从美股到韩股，从科创板到创业板，板块全线走出史诗级行情：三巨头三星、SK 海力士、美光三大龙头集体站稳万亿美元市值。 A 股 “存储模组三杰”——德明利、佰维存储、江波龙年内股价全线大涨，尤其德明利表现活跃，从 230 元涨到 800 元，让投资者侧目。 （A 股存储龙头德明利近 3 个月的股价走势，从 230 元一路飙涨破 800 元，年内累计最大涨幅超 250%） 资金持续扎堆的背后，产业逻辑已经重构，**存储芯片不再是跟随消费电子波动的周期元器件，而是 AI 算力时代的核心战略资产、数字石油。** 过去，中国在 DRAM 和 NAND 两大核心存储赛道没有底气，全球存储市场的游戏规则由美韩巨头单方面书写，中国既无规模、也无技术话语权。 在这轮存储景气周期，国产龙头规模扩张迅速，市场研究机构 Counterpoint 报告显示，**长鑫科技已在 DRAM 赛道拿下全球约 8% 的份额，长江存储在 NAND 赛道占据全球 13% 的市场。** 现在可以说，中国存储产业从 “旁观者” 转变为深度参与全球产业分工与标准制定的 “共建者”，不仅能开始自主定义技术路线，还能用成熟产能直接参与市场价格博弈，更以核心 IDM 平台牵引整条国产供应链协同升级，在全球存储产业格局中逐渐拥有发言权。 这也是长鑫科技能够以 165 天（从受理到注册生效）创下大型硬科技 IPO 审核效率纪录的根本原因，存储超级景气周期不等人，此时此刻不融资不扩产，更待何时？ **四十年的追赶与十年的攻坚** 这一轮国产存储龙头能快速抢占通用存储市场份额，首先要归功于海外三巨头。 为什么这么说？ 因为三星、SK 海力士、美光为追逐 HBM 超高毛利，将 70% 以上新增先进晶圆产能倾斜 HBM，大幅缩减 DDR4、普通 DDR5、消费级 NAND 投片量，形成 “高端挤压低端” 的产能断层。 这给了长鑫科技、长江存储扩张中低端通用存储市场的机会。 长鑫科技一跃成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商，2026 年一季度营收 508 亿元，同比增长 719%，归母净利润 247.62 亿元，全球市占率升至 7.7%。长江存储一季度营收突破 200 亿元，同比增长约 100%，全球 NAND 市占率从 8% 跃升至 13%。 当然，打铁也要自身硬。 **当下国产存储双雄的 DRAM、NAND 产品成熟度达标，通用存储颗粒性能、良率、成本全面对标海外中端产品，已经具备承接全球通用订单的硬实力。** **从无到有再到规模这一步，国家用了四十年，国产存储双雄用了十年。** 回望历史，中国存储产业的追梦之旅始于 1975 年，北京大学实验室里诞生的第一块 1024 位 MOS DRAM，曾让中国存储站在了世界起跑线上。 然而此后数十年，产业化的漫长征程却在技术封锁与资本鸿沟面前一再延宕。 **真正的转折发生在 2016 年。** 那一年，长鑫科技与合肥政府达成协议，全力攻坚技术壁垒极高的 DRAM 制造。 彼时，**三星、SK 海力士、美光三家巨头已垄断全球 90% 以上份额，技术、资金、专利三重壁垒将中国拒之门外。** 几乎同一时间，长江存储在武汉成立，下定决心绕过海外厂商的 2D NAND 专利封锁，直接切入 3D NAND 赛道。 **为什么 DRAM 和 NAND 两大存储赛道，会交由两家不同的公司分头攻坚？** 这其实是国家层面的战略布局。 2016 年之前，存储芯片是中国产业链中 “卡脖子” 最深的环节之一，形势紧迫，中国不可能先攻一条再攻另一条，必须双线并进、同时突围。 技术层面，DRAM 和 NAND 虽然同属存储芯片，但技术原理和制造工艺截然不同。 DRAM 的核心在于制程微缩，依赖光刻精度，比拼的是线宽极限；NAND 的核心在于 3D 堆叠层数，依赖薄膜沉积和刻蚀工艺，比拼的是垂直高度。 两者的技术路线、人才结构、设备需求交集有限。**在当时的条件下，一家公司同时攻克两条路线，人力、资金和管理精力都无法承载。将两条赛道分拆给不同团队，各自集中资源专注突破，是理性的战略选择。** 正是基于上述客观情况，2016 年三大存储器项目同步启动：长江存储主攻 NAND Flash；合肥国资与兆易创新联手设立长鑫，自主研发 DRAM；福建晋华原计划通过与联华电子合作切入 DRAM，后因法律纠纷而发展停滞。 多线并进，各有侧重，形成了覆盖两大核心赛道的完整拼图。 **从区域产业布局来看，两座城市分头卡位存储产业最关键的两条赛道并非偶然。** 武汉光谷集聚 300 余家集成电路企业，涵盖芯片设计、制造、封装、测试全链条，其中就包括长江存储这一产业龙头，天然的产业集群效应让长江存储在上游设备验证、材料配套、人才供给等方面均享有地利之便，为 3D NAND 的快速迭代提供了坚实的产业腹地。 合肥则依托长鑫科技的龙头带动效应，集聚 400 余家集成电路企业，以长鑫为核心，DRAM 产业链上下游的设计公司、设备厂商、材料供应商围绕其构建了完整的生态圈，让长鑫在制程追赶过程中能够实现 “就近配套、快速响应”。 **十年之后，这场战略布局的价值已全面兑现，尤其随着 2025 年存储超级周期开启，投入终迎回报。** 长鑫与长存成长为各自赛道的领军者，在龙头的带动下，国产存储设备、材料、封测整条产业链协同爆发，中国第一次打通了从晶圆到模组的存储全链路。 **抓紧上市融资扩产，助力 DRAM 赛道突破** 存储是重资产标准化赛道，规模直接决定单位成本，韩国三星和海力士之所能崛起到垄断全球，背靠韩国政府的扶持以及财阀资本的现金流托底。 长鑫、长江存储也类似，和韩国政府持续扶持逻辑一致，国内大基金、地方国资是长鑫、长存核心股东，合肥、武汉地方政府提供土地、配套资金、税收优惠，在行业下行周期提供现金流托底，允许企业阶段性亏损换产能扩张。 2024 年行业底部，两家企业没有缩减资本开支，反而持续推进新厂区建设，完美复刻韩国 “别人减产我扩产” 的周期打法。 当下海外巨头收缩通用存储产能，正是国产厂商逆周期放量、抢占份额的黄金窗口期。 也因此，**对长鑫科技与长江存储而言，此刻唯一的战略命题是：赶紧上市，速度融资，立刻扩产，承接这一波时代红利。** 所以就有了资本市场的神速表现。 作为中国大陆唯一具备 DRAM 全流程 IDM 量产能力的企业，长鑫科技创下大型硬科技 IPO 审核效率纪录。 募资 295 亿元，规模位列科创板历史第二，资金重点投向晶圆产线升级、DDR5 通用颗粒扩产、HBM 高端 AI 存储研发，扩产节奏完美匹配海外大厂收缩通用产能的窗口期。 随着这轮景气周期，长鑫科技基本面已跨过盈亏平衡点，进入业绩爆发期。 2025 年公司首次年度扭亏，营收 617.99 亿元，归母净利润 18.75 亿元；2026 年增长势能全面释放，单季营收突破 508 亿元，同比暴涨 719.13%，单季归母净利润 247.62 亿元，日均盈利超 2.75 亿元。 上半年业绩预告显示，营收有望突破 1100 亿元至 1200 亿元，归母净利润 500 亿至 570 亿元。 市场普遍预期 7 月底至 8 月初正式挂牌，上市后充足资本将持续加码通用 DRAM 产能，放大周期红利带来的份额增量。 **特别值得一提的是技术面，在 EUV 光刻机全面禁运的背景下，长鑫依托 DUV 多重曝光工艺走出极限追赶路线。** 19nm 成熟制程稳定量产，支撑 DDR4 海量出货；17nm 先进制程良率突破 90%，全面适配 DDR5、LPDDR5X 等中端服务器、移动端通用产品，最高速率达 8000MT/s；16nm 制程已实现规模化量产，下一代更先进制程正持续研发推进，逼近 DUV 工艺物理极限。 在定价上，长鑫科技也是坚持用低价抢市场的策略，DDR4 等成熟产品定价远低于海外竞品，逼海外厂商主动放弃中低端通用市场。 战略价值方面，长鑫科技的作用也远不止于 “造出了国产 DRAM”。 在长鑫出现之前，中国大陆 DRAM 颗粒 100% 依赖进口，如今党政、金融、能源等关键信息基础设施拥有了完全自主的内存芯片供应，从根源上规避了地缘断供风险。 与此同时，长鑫的崛起打破了三星、SK 海力士、美光三家寡头长达数十年的价格同盟，国内终端厂商议价权大幅提升。 在设备国产化方面，北方华创、中微公司、拓荆科技、盛美上海等企业的 PVD/CVD、刻蚀、薄膜沉积、湿法清洗及测试设备均已加速进入长鑫供应链体系，当前国产设备整体占比已达四至五成。 **长江存储 NAND 赛道话语权，正在质变** DRAM 赛道之外，国产 3D NAND 龙头长江存储的资本化进程同样全面提速，意在抓住本轮存储超级周期完成通用 NAND 产能跨越式扩张。 2026 年 5 月 19 日，长江存储正式在湖北证监局完成 IPO 辅导备案，由中信证券与中信建投联合辅导。根据市场普遍预期，长江存储最快有望于 2026 年下半年向科创板提交上市申请。 为扫清合规障碍，公司推动子公司武汉新芯股权重整、撤回独立 IPO 申请，彻底消除同业竞争。 从技术层面看，**长江存储最核心的竞争力，在于全球独有的 “Xtacking®晶栈架构”。** 采用 “双晶圆独立制造 + 混合键合” 模式，将存储单元阵列与 CMOS 外围电路分别在两片晶圆上独立制造，再通过铜 - 铜直接键合技术垂直拼接，彻底解决了传统架构中外围电路挤占存储面积、堆叠层数越高良率越难控制的瓶颈。 依托这一架构，长江存储跑出行业最快迭代速度：2018 年 32 层实现从 0 到 1，2022 年 232 层跻身全球第一梯队，2025 年 294 层产品实现量产。 当前 294 层 TLC 通用颗粒良率超 90%，存储密度达 20Gb/mm²；其 232 层产品量产良率更高达 92.5%，性能已比肩巨头竞品。与三星 286 层、SK 海力士 321 层相比，层数差距已缩小至一代以内。 产品端已搭建完整通用存储矩阵：致态消费级 SSD 对标三星旗舰；中端企业级 SSD 批量进入国内云厂商、运营商，填补美光、铠侠收缩的中端通用服务器闪存份额；闪存颗粒产品已广泛应用于下游模组厂商及嵌入式存储方案。 **在国产替代层面，长江存储的战略价值同样突出，是国内唯一打通了从设备到材料全链条国产化验证的晶圆制造平台。** 三期工厂国产设备采购占比首次突破 50%，整体国产设备采用率约 45%，已是国内所有晶圆厂中的最高水平。关键设备环节也已经实现国产主导。比如在刻蚀设备领域，中微公司在长江存储供应链中占比超 40%，其 3D NAND 刻蚀设备全球市占率第一。 从刻蚀到薄膜沉积，从晶圆载具到 CMP 抛光垫，从靶材到硅片，长江存储在用大规模量产采购，验证并拉动整条国产供应链的结构性升级。 **“两存” 合力，重塑全球存储产业格局** 长鑫与长存已筑起了中国存储产业的防火墙，两者合力，正在从三个维度重塑全球存储产业格局。 产能层面，集体突围正在改变全球供给格局。 长鑫科技目前月产能 28 万至 30 万片 DRAM，2026 年底目标 40 万片；长江存储月产能 20 万片 NAND，远期规划 50 万片。 从全球供需格局看，2026 年全球 DRAM 产能约 1220 万至 1280 万片/月，NAND 产能约 1600 万至 1700 万片/月，**“两存” 的产能扩张正在实质性改变全球存储供给结构。** 全部达产后，两存合计月产能将达 90 万片，足以对全球存储供需产生深远影响。 技术层面，标准定义权正在发生历史性转移。 长鑫的 17nm 制程良率突破 90%，DDR5 速率达 8000MT/s，性能差距与龙头产品缩至 5% 以内；长江存储的 Xtacking 架构更实现了从 “跟跑” 到 “并跑” 的跨越。 **尤其是 2025 年初三星与长江存储达成混合键合技术专利许可协议，这是全球存储产业三十年来，海外巨头首次向中国企业购买核心技术专利**。 当然客观差距也明显，制程代差依然存在，长鑫在工艺密度和能效上仍有约 1.5 至 2 代的追赶空间，HBM 领域差距更大。 资本层面，生态牵引力正在形成正向循环。 长鑫科技 IPO 募资 295 亿元、长江存储预期募资 200-300 亿（该数据基于市场机构的合理预测），这些募集的资金会流向哪里？ 大概率预测融资额度约 80% 将转化为存储产业链的设备采购订单，且会大规模采购国产设备，直接拉动刻蚀、薄膜沉积、清洗、量检测等国产半导体设备全产业链的订单增长，最终形成 “资本投入→产能扩张→国产替代深化→业绩释放” 的正向循环。 **存储双雄将国产设备替代扎根到了全产业链深处。** **景气周期存续多久是关键** 对投资存储赛道的投资人而言，围绕存储双雄，有两个敏感问题无法回避。 一是存储超级景气周期能持续多久？产能过剩拐点何时到来；二是资本市场能否承受如此大的募资抽血压力。 存储景气周期前者决定如长鑫科技业绩暴涨持续多久，毕竟其单季净利润达 330 亿元是建立在存储紧缺 DRAM 产品价格暴涨之上。 目前看，高盛等国际投行的预测是本轮存储超级景气周期大概率贯穿 2026-2027 年，供给刚性、HBM 挤占、长协锁货三重因素叠加，决定了紧缺格局难以在短期内逆转。 但风险是，海外大厂不是永远不做通用存储，只是当下 HBM 的毛利是通用存储的 3-4 倍，资源优先倾斜高端赛道。一旦 HBM 供需缓和，海外巨头随时可以调整产线结构，回头重新抢占通用存储市场。 韩国媒体传出，三星内部此前已预判 DRAM 超级周期将于 2028 年终结，正据此校准投资节奏，避免重蹈过度扩张的覆辙。 美光大量新增产能预计将在 2028 年左右集中涌入市场，届时供需平衡可能面临重新洗牌。 另一龙头 SK 海力士则更直接，调整产能规划倾斜资源给通用 DRAM 产能。 韩媒称，已占据 HBM 竞争优势 SK 海力士无需继续采取激进的扩产竞争策略。相比之下，通用型 DRAM 供应严重短缺，盈利能力也已经超过 HBM，成为获取更多利润的新重点。 所以，留给长鑫和长存抢通用存储市场的时间窗口，也就 1-2 年光景。 **换言之，必须赶在 2028 年海外新产能集中释放、供需格局逆转之前，完成产能扩张和市场份额的锁定。** 对绝大部分理性的投资人而言，业绩暴涨的长鑫值得买入，但 2024 年亏损的长鑫就不会多看一眼，所以市场集体关注周期反转拐点。 另外关于募资抽血的问题。两存合计预测 500-600 亿元的融资规模，在 A 股日均成交额超 3 万亿元的市场体量中能否承受？ 客观说，不好评价， 两存上市节奏大概率错开许久，并非同个区间释放，关键还是存储赛道产业趋势是决定市场走向的核心变量。 **这里也有赌国运的逻辑，赌存储双雄能够逆流而上，稳住市场份额，业绩营收持续增长，持续吸引资金流入。** 把视角拉大，复盘全球存储产业四十年格局变迁，其实每一次龙头换位，都离不开对周期窗口的精准把握：日本企业抓住 PC 产业起飞的窗口崛起，韩国企业抓住金融危机后的行业低谷逆势扩产实现反超。 如今，**AI 重构产业秩序、海外巨头主动收缩通用赛道、国产替代需求全面爆发，三重红利叠加，给了中国存储双雄一次改写格局的历史机遇。** 长鑫科技 IPO 临门一脚，长江存储辅导启动，资本化的大幕已经拉开。但要真正抓住这轮超级周期，核心还是产品竞争力。 最终看，新产线建设能否转化为真实的市场份额，产品性价比能否在通用存储领域彻底站稳脚跟。 但不管如何，国产存储赛道已经成长起来。 ### 相关股票 - [MU.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/MU.US.md) - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SSNGY.US.md) - [688525.CN](https://longbridge.com/zh-CN/quote/688525.CN.md) - [301308.CN](https://longbridge.com/zh-CN/quote/301308.CN.md) - [001309.CN](https://longbridge.com/zh-CN/quote/001309.CN.md) - [07709.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07709.HK.md)