--- title: "三星、SK 海力士砸 1.3 万亿美元加码 AI 存储：存储周期短期紧俏，长期暗藏产能博弈" type: "Topics" locale: "zh-CN" url: "https://longbridge.com/zh-CN/topics/42334675.md" description: "6 月 29 日，在韩国总统牵头的半导体产业会议上，三星电子与 SK 海力士抛出了一项长达十年的史诗级投资方案，两家企业合计投入 2000 万亿韩元（折合 1.3 万亿美元），全部押注 AI 存储赛道，重点攻坚 HBM 高端内存市场。消息落地后，韩股两大存储龙头股价不涨反跌，市场多空分歧彻底显现，新一轮存储行业周期博弈正式开启..." datetime: "2026-07-01T06:49:31.000Z" locales: - [en](https://longbridge.com/en/topics/42334675.md) - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/topics/42334675.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/topics/42334675.md) author: "[付轶啸](https://longbridge.com/zh-CN/profiles/4968.md)" --- # 三星、SK 海力士砸 1.3 万亿美元加码 AI 存储：存储周期短期紧俏，长期暗藏产能博弈 6 月 29 日，在韩国总统牵头的半导体产业会议上，三星电子与 SK 海力士抛出了一项长达十年的史诗级投资方案，两家企业合计投入 2000 万亿韩元（折合 1.3 万亿美元），全部押注 AI 存储赛道，重点攻坚 HBM 高端内存市场。消息落地后，韩股两大存储龙头股价不涨反跌，市场多空分歧彻底显现，新一轮存储行业周期博弈正式开启。 一、投资核心：全力聚焦 HBM 高端存储赛道 本次万亿级投资的重心高度集中在 AI 时代的核心产品 HBM（高带宽内存）。 三星将新建多座 12 英寸晶圆工厂，加码平泽生产基地，全力扩产新一代 HBM4 产线；SK‑海力士计划五年内将 DRAM 晶圆产能实现翻倍，把 60% 的先进产能倾斜至 HBM3E、HBM4 产品，同时打造全球规模最大的 HBM 先进封装基地。 在 AI 算力爆发的背景下，HBM 是 GPU 运行必不可少的配套元件，当下英伟达、AMD 的 AI 芯片订单激增，直接带动 HBM 订单供不应求，产品价格持续暴涨，这也是韩国两大存储巨头大举扩产的核心底层逻辑。韩国政府也通过政策扶持，巩固本国在全球 DRAM、HBM 行业的垄断地位，守住半导体核心基本盘。 二、股价回调的底层逻辑：市场担忧远期产能过剩 消息公布之后，三星、SK 海力士股价迎来小幅回落，空头的顾虑十分清晰：万亿级的产能规划，会在未来几年释放海量供给，等到 2027 年新增产能全面落地，HBM 会从当前供不应求的紧俏状态，转变为产能过剩，压缩产品溢价，挤压毛利率。 历史上存储行业有着极强的周期性。过往每当三星、SK 海力士大规模扩产 DRAM、NAND‑Flash，在产能投放完成后，都会引发行业价格战，存储芯片价格大跌，企业利润大幅缩水。市场投资者担忧，本次大规模扩产会复刻旧周期，等到 2027‑2028 年新产能集中投产，HBM 供给过剩，打破当前高毛利格局，行业景气度快速下行。 三、机构乐观逻辑：近两年供需缺口稳固，短期超级周期不变 机构看多存储板块的核心论据，在于产能投放存在时间差。 本次规划的新建晶圆厂、封装基地建设周期漫长，新增产能要到 2027 年之后才会逐步量产释放。2025‑2026 两年之内，新增的 HBM 供给增量有限，而全球 AI 大模型、AI 服务器建设还在持续提速，英伟达、云厂商对 HBM 的采购需求还在持续攀升。 在未来两年，HBM 依旧维持结构性紧缺的格局，芯片价格能够维持高位，三星、SK 海力士的营收、毛利率会持续走高，存储的上行超级周期还会延续。同时，本轮扩产只集中在高端 HBM 产品，普通 DRAM、闪存并没有盲目扩产，传统存储芯片供需格局保持稳定，传统存储也会跟随行业周期实现涨价回暖，打开整体行业利润空间。 四、长期行业博弈：国产存储迎来机遇与挑战 韩国两大企业大举锁定未来 HBM 产能，也给国内存储行业带来双面影响。 从挑战层面来看，三星、SK 海力士提前锁定下一代 HBM4 技术路线，巩固了在高端 AI 存储的技术壁垒，长江存储、长鑫存储想要切入高端 HBM 赛道，追赶难度进一步加大。 从机遇角度来说，2027 年韩系产能释放之后，HBM 行业竞争加剧，下游 AI 服务器厂商的采购成本会下降，国内 AI 产业成本压力降低；同时在中低端 DRAM、NAND 闪存市场，国产存储可以持续抢占份额，避开韩企的正面竞争，实现国产替代提速。 五、总结 三星、SK 海力士 1.3 万亿的十年投资计划，将存储行业划分成两个阶段。 短期 2‑3 年，受建厂周期限制，HBM 供需缺口难以填补，AI 存储的景气上行周期会延续，存储企业利润将维持高位；2027 年之后，新增产能陆续落地，行业将进入新一轮产能博弈阶段，HBM 溢价会逐步回落，行业周期会由上行转入平稳甚至下行阶段。 整体来看，接下来投资存储板块，短期可以依托供需缺口把握行情；长期则要持续跟踪 HBM 产能释放节奏、AI 算力的实际需求增量，同时关注国产存储的技术突破进度，以此判断后续行业拐点。$南方两倍做多海力士(07709.HK) @活动君 ### 相关股票 - [07709.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07709.HK.md) - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/SSNGY.US.md) - [AMD.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/AMD.US.md) - [NVDA.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDA.US.md) - [AMDL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/AMDL.US.md) - [NVDL.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDL.US.md) - [07788.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07788.HK.md) - [07388.HK](https://longbridge.com/zh-CN/quote/07388.HK.md) - [NVDY.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDY.US.md) - [NVDD.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDD.US.md) - [NVDX.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDX.US.md) - [NVDQ.US](https://longbridge.com/zh-CN/quote/NVDQ.US.md)