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title: "SK 海力士（紀要）：營收破百萬億，全年回饋 100 萬億韓元"
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description: "三季度營收 104.6 萬億韓元、營業利潤率 80%，雙雙創新高，DRAM 與 HBM 至 2029 年實質售罄，但非經營淨支出 32.6 萬億韓元拖累淨利，同時公司宣佈 2026 財年約 100 萬億韓元股東回報。"
datetime: "2026-10-28T01:36:44.000Z"
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author: "[Dolphin Research](https://longbridge.com/zh-HK/dolphin.md)"
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# SK 海力士（紀要）：營收破百萬億，全年回饋 100 萬億韓元

**以下為海豚君整理的** $SK海力士(SKHY.US) **2026Q3 的財報電話會紀要**

**一、財報核心信息回顧**

1\. **股東回報**

a. 2026 財年股東回報約 100 萬億韓元：現金分紅不低於 30 萬億，回購註銷不低於 60 萬億（含 8 月公佈的 40 萬億，已於上週完成回購、即將註銷），兑現返還 50% 以上自由現金流的承諾。

b. 董事會今日決議：三季度每股分紅 2 萬韓元，合計 14 萬億韓元，其中 1 萬韓元為業績分紅、1 萬韓元為鎧俠投資收益特別分紅。鎧俠收益大部分將以特別分紅返還，餘下部分納入年終分紅。

c. 本季回購 20 萬億韓元，其中 10 萬億用於股東回報並全額註銷，另 10 萬億用於高管及員工薪酬，不計入股東回報；剔除後三季度股東回報約 24 萬億韓元。

d. 此後每季度持續回購，規模由董事會結合股價、市場與現金流決定。

2\. **前瞻與資本開支**

a. Q4：DRAM 位元出貨環比增長二十幾個百分點；NAND 位元出貨環比增長中個位數。

b. 2027 年受供給約束，可實現的需求增速與今年相近：DRAM 二十幾個百分點，NAND 十幾個百分點的高段；公司收入與利潤的絕對值將大幅提升。

c. 2027 年資本開支較 2026 年大幅增加，用於提高先進製程佔比、爬坡龍仁首座晶圓廠及國內外基建，規模與節奏視需求可見度與回報而定。

3\. **本季關鍵財務指標**

a. 總量：營收 104.6 萬億韓元（環比 +32%，同比 +328%），單季首破 100 萬億。

b. 利潤：營業利潤 83.3 萬億韓元（環比 +38%，同比 +632%），利潤率 80%（環比 +3 個百分點）；EBITDA 87.7 萬億韓元，利潤率 84%。

c. 量價：DRAM 位元出貨環比約 +10%，服務器 DDR5 出貨環比增長 40% 以上，ASP 漲幅在 20% 以上的高段；NAND 位元出貨環比小降，ASP 漲幅二十幾個百分點。

d. 非經營項目：匯兑淨損失 11.6 萬億、投資資產估值損失 22.9 萬億韓元，合計非經營淨支出 32.6 萬億；税前利潤 50.7 萬億，淨利潤 39.8 萬億韓元，淨利率 38%；折舊攤銷 4.3 萬億韓元。

4\. **資產負債表與戰略投資**

a. 現金 114.5 萬億韓元（環比 +26.5 萬億），有息負債降 2.8 萬億至 15.8 萬億，淨現金 98.7 萬億韓元；負債率 5%（環比 -2 個百分點）。

b. Solidigm 因金融市場波動和半導體股回調，終止 pre-IPO 及 IPO 評估；擴產融資將以兼顧兩家公司股東價值的方式推進。

**二、財報電話會詳細內容**

**2.1 高管陳述核心信息**

1\. **市場判斷**

a. 據第三方估算，全球 CSP 資本開支 2027 年增長 60% 以上，已鎖定的電力容量增長 100% 以上；AI 數據中心基建至 2030 年年均增速約 40%。

b. AI 投資方從少數巨頭擴展到更多企業與各國政府，即便個別調整，整體仍將強勁。

c. 短期看企業與個人 AI 帶動需求，中長期看自動駕駛、機器人等物理 AI；PC 與手機出貨量因內存漲價和缺貨會下降，但會被 AI 基建需求超額抵消。

d. 先進製程難度與建廠週期決定供給跟不上需求，預計這一約束將持續到 2030 年。

2\. **DRAM 與 HBM**

a. 三季度 HBM4 全面量產出貨，12 層 HBM4 按與大客户約定的節奏交付；M15x 加速爬坡，年底滿產。

b. Q4 HBM4 在 HBM 出貨量和收入中的佔比將超過 HBM3e，成為旗艦產品。

c. 已與大客户敲定 2027 年 HBM 量價，充分體現 HBM4 的產品價值，HBM 與常規 DRAM 的盈利差距將明顯收窄。

d. 常規 DRAM 方面，Q4 快速提高服務器 1c nm 產品佔比，擴大 1c DDR5 與 AI 服務器 LPDDR5 SOCAMM 的銷售。

3\. **NAND**

a. Q4 將 321 層工藝提升至國內產能的 50% 以上，擴大 321 層企業級 SSD 供給。

b. 中長期擴大適用於 KV cache 分層的高性能大容量 eSSD，並通過 HBF 與系統優化，把 NAND 打造成 AI 推理的核心方案。

4\. **長期協議（LTA）**

a. 已與包括全球主要 CSP 在內的 14 家核心客户簽署 LTA，通常為期五年，部分客户正在討論延期。

b. 價格結構因客户與產品而異，一般在約定的價格區間內反映市場行情；並設有保證金等條款，確保採購計劃轉為實際訂單。

c. LTA 鎖定的量已佔 2027 和 2028 年總產能的 50% 以上。

**2.2 Q&A 問答**

**Q：AI 投資持續增長但變現偏慢，公司憑什麼判斷 AI 投資勢頭能延續？**

A：**依據有二：AI 投資已轉化為業務成果，且投資主體正在結構性多元化。** 節奏討論是客户在逐個評估項目的可行性與回報。主要超大規模客户雲收入同比增長 30%–80%，全球雲訂單積壓增長 2–5 倍，付費用户穩步增加；多點部署、中小型數據中心、自建發電與散熱升級也在緩解約束。

早期投資集中於大型科技公司，單家調整就會造成波動；如今非科技企業、主權 AI 與本地部署需求快速加入，個別放緩可被其他需求填補。公司預計內存供不應求的結構性失衡仍將持續一段時間。

**Q：總股東回報中，分紅與回購的比例如何確定？**

A：**先按可持續水平定分紅，餘下全部用於回購註銷。** 分紅參考業績改善、歷史股息率、全球同業股息率與合理的現金儲備。鎧俠投資收益大部分以特別分紅返還，在年度結賬前先付一部分，其餘納入年終分紅。管理層認為當前股價未充分反映盈利與現金流，回購註銷能有效提升每股價值；回購在年度額度內按季執行。

**Q：LTA 鎖定情況及未來幾年的銷售可見度如何？**

A：**LTA 加在談需求，DRAM 與 HBM 至 2029 年的產量實質已售罄。** 在談量基於客户具體採購計劃，落地可能性很高。LTA 佔 2027、2028 年總產能 50% 以上，中長期將保持類似比例，以鎖定穩定盈利；非 LTA 產能用於靈活應對市場與下一代產品需求。

**Q：持續建廠擴產，若需求不及預期如何應對過剩風險？**

A：**投資分階段執行，廠房提前建，設備進場與量產爬坡按需求調整。** 管理層稱多投資不等於多供給：HBM 等高性能產品消耗更多資源，製程微縮帶來的位元增長越來越有限，投資更多是為技術遷移與高附加值產品打底。

龍仁集羣與 M17 加速建設廠房主體，潔淨室分期開放。評估需求時不只看客户的資本開支預測，還看其財務健康、融資能力與關鍵供應鏈就緒情況，並結合公司自身的淨現金目標；若情況變化，將靈活調整投資支出、生產計劃與資源配置。

**Q：HBM4 供貨進展，以及 HBM4E 與定製 HBM 的規劃？**

A：**HBM4 良率超計劃並已上調目標，Q4 出貨量與收入佔比將超過 HBM3e。** 前道與後道良率均保持業界最佳，後道統計口徑覆蓋凸點、堆疊到 KGSD 測試的全流程；HBM3E 也已超過計劃中的成熟良率。

HBM4E 已於二季度完成送樣，開發與認證按客户時間表推進；定製 HBM 正與大客户合作推進相關項目。

**Q：部分客户降低 HBM 堆疊層數，對出貨與盈利有何影響？**

A：**中長期 HBM 需求展望不變，客户需求量仍是公司當前供給的兩倍以上。** 降層是客户在供給受限下獲取更多顆粒的策略；即便從 12 層 HBM4 改為 8 層 HBM4E，單顆 die 容量提升也能抵消大部分影響。同樣位元需要更多顆粒，帶動基礎 die 與後道需求，已納入生產計劃。

盈利不只取決於層數，還取決於交易條件、產品結構、良率、後道效率與成本。2027 年 HBM4 佔比與價格提升，HBM 收入與利潤將同比大幅增長、利潤率明顯改善，並維持在遠高於以往週期峯值的水平。

**Q：同業推進新單元結構，公司 4F² DRAM 的準備與技術方向？**

A：**先通過 EUV 儘量延展 6F² 平台，再過渡到 4F² 或 3D DRAM。** 公司認為當前最有效的做法是用量產可靠性與成本已驗證的平台強化產品競爭力。

新單元結構要兼顧性能、良率、可靠性、成本，還要完成設計與客户認證，因此研發時點不等於商用時點；公司已備好從極限微縮到 4F² 再到 3D DRAM 的分步路線圖，在技術與經濟性都就緒時導入。

**Q：KV cache 快速增長並跨多層內存存儲複用，對 NAND 需求有何影響？**

A：**分層內存架構將為 NAND 創造存儲與複用推理上下文的新需求。** Agent 與長上下文使 KV cache 難以全部放進 HBM 或 DRAM，SSD 已在部分系統中用於卸載 KV cache，並將擴展為多服務器、多 GPU 共享的上下文內存層。

公司正在開發 SALT KV（按複用價值與存儲成本在 HBM、DRAM、SSD 間分配數據的軟件）和 CMM Hybrid（基於 CXL，把完整 KV cache 存於 SSD 並預取到 DRAM）。

公司還通過真實推理負載驗證 eSSD 的性能要求。中長期計劃用 HBF 填補 HBM 與 SSD 之間的新層級。

<正文結束>

**本文的風險披露與聲明：**[**海豚研究免責聲明及一般披露**](https://support.longbridge.global/topics/misc/dolphin-disclaimer)

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## 評論 (1)

- **yanny · 2026-10-29T20:36:16.000Z**: 好


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