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title: "TechInsights：突破性技術 台積電最先進的嵌入式 RRAM 芯片 (22ULL eRRAM) 來了"
type: "News"
locale: "zh-HK"
url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/204430488.md"
description: "TechInsights 報道，台積電推出了最先進的 22 納米嵌入式 RRAM 芯片，Nordic Semiconductor 的 nRF54L SoC 器件採用了該技術。這是業界首個擁有最先進的 22 納米 CMOS 技術的 RRAM，具有高密度和較寬的位線方向。RRAM 作為一種新興存儲器件，具有取代嵌入式閃存的潛力。"
datetime: "2024-05-20T06:33:05.000Z"
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# TechInsights：突破性技術 台積電最先進的嵌入式 RRAM 芯片 (22ULL eRRAM) 來了

智通財經 APP 獲悉，TechInsights 發文稱，發現了台積電 22ULL 嵌入式 RRAM(阻電存儲器) 芯片，低功耗無線物聯網解決方案的領導者 Nordic Semiconductor 推出的突破性 nRF54L SoC 器件採用了台積電的 22ULL 嵌入式 RRAM (eRRAM)。  

TechInsights 拆解了 Fanstel EV- BM 15 EV Kit，找到了 Nordic BT 5.4 SoC nRF54L15 器件。自 2019 年以來，台積電提供了 40 納米 RRAM 平台，現在的 22 納米 RRAM 是台積電的第二代 eRRAM。這是業界首個擁有最先進的 22 納米 CMOS 技術的 RRAM，可與嵌入式 STT-MRAM 相媲美。

eRRAM 內存塊密度為 17.5 bit/ µm2，位線方向的 RRAM 層寬度為 170 納米。RRAM 存儲層放置在 metal 3 上。ReRAM 使用電阻作為開關的基礎。與 STT-MRAM、FRAM 和 PCM 等其他新興存儲器件一起，ReRAM 是取代嵌入式閃存 (eFlash) 的主要競爭者之一。ReRAM 不受輻射的影響，具有很高的電磁耐受性，並且沒有泄漏問題，因為它不是基於電荷的器件。

![dd280faab9e8982ea9593b576b55fdf7.png](https://imageproxy.pbkrs.com/https://img.zhitongcaijing.com/image/20240520/1716185695582928.png?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg "1716185695582928.png")圖 1：ReRAM （RRAM）產品和技術路線圖顯示台積電22ULL ReRAM

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